-
公开(公告)号：CN110158109A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910454693.4
申请日：2019-05-29
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种将二氧化碳电还原为一氧化碳的金属硫化物修饰电极的使用方法及其制备方法，属于二氧化碳资源化利用技术领域。用低温等离子体渗硫法，在金属或合金表层渗入硫元素，制得金属硫化物修饰电极；在隔膜电解池中，然后以金属硫化物修饰电极为阴极，惰性电极为阳极，将二氧化碳电还原为一氧化碳，所述隔膜电解池的阴极室电解液为溶有二氧化碳的有机电解液，阳极室电解液为含有支持电解质的水溶液，阴极上得到一氧化碳，阳极上得到氧气。本发明生成一氧化碳的电流效率达到90～97%，电流密度达到27mA/cm2以上，槽电压降低至4.5V以下，24小时长周期电解实验结果表明，金属硫化物修饰电极的催化性能十分稳定。
-
公开(公告)号：CN109904407A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910000324.8
申请日：2019-01-02
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种金刚线切割硅废料制备锂离子电池负极材料的方法，属于新能源材料和电化学技术领域。本发明将金刚线切割硅废料经烘干、破碎、研磨、HF溶液处理、热处理得到热处理硅粉，将热处理硅粉进行金属纳米颗粒辅助避光刻蚀得到刻蚀预处理硅粉，刻蚀预处理硅粉烘干得到多孔硅/金属复合材料，刻蚀预处理硅粉经洗涤除去金属粒子得到高纯多孔硅；将多孔硅/金属复合材料或高纯多孔硅加入到有机碳物质中进行包覆处理并经高温处理即得硅基负极复合材料。本发明在硅料表层引入纳米多孔结构以破坏硅料表层的氧化层并使硅料中包裹的杂质充分暴露给酸性溶液，可以缓冲充放电过程中硅的体积膨胀问题。
-
公开(公告)号：CN109585843A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811336793.9
申请日：2018-11-12
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/485 , H01M4/525 , H01M10/0525 , B22F9/24
摘要： 本发明公开一种高镍三元镍钴铝正极材料前驱体的制备方法，将清洗后的镍颗粒与N,N-二甲基甲酰胺、乙二胺混合，按照最后所得到的高镍三元正极材料Ni1-y-xCoyAlx的化学计量比加入钴盐并搅拌混匀，恒温反应，冷却后取出产物并用去离子水和乙醇反复清洗，真空干燥；将产物与乙二醇、无水乙二胺混合，再按照化学计量比加入铝盐，恒温反应，反应结束后自然冷却至室温，取出产物并清洗，真空干燥，得到高镍三元镍钴铝正极材料前驱体粉末Ni1-y-xCoyAlx；本发明制备的镍钴铝化合物前驱体为规则球形，球形度较好，粒度均匀，振实密度高，适合作为工业化生产锂离子电池正极材料的前驱体，工艺简单，可控度高，成品率高，纯度高，节省生产成本，保护环境。
-
公开(公告)号：CN109095767A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810946444.2
申请日：2018-08-20
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种真空热处理CRT锥玻璃脱除氧化铅的方法，属于危险固废资源的处理和再利用领域。本发明所述方法首先是将锥玻璃破碎、研磨至合适的粒度；而后在温度为105℃的干燥箱中干燥24小时；并按小于5%配碳量与干燥的锥玻璃均匀混合后模压成型，然后将成型的锥玻璃片在压力小于30Pa、温度大于1200℃条件下进行融化，破坏其中的—O—P—O—Si—O—网状结构，保温30-120min，使氧化铅充分挥发，并冷凝于冷凝盘内得以收集；最后，保温结束自然冷却，分别获得脱铅后的玻璃和氧化铅冷凝物，铅脱除率达96.5%以上，残留物中铅含量低于1%，可实现锥玻璃的无害化处理。
-
公开(公告)号：CN108439412A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810529329.5
申请日：2018-05-29
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种低硼型高纯工业硅的制备方法，属于硅提纯技术领域。将工业硅块粉碎细磨后、筛分、水洗、烘干得到工业硅粉；将得到的工业硅粉用一步或两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法进行预处理，预处理完成后用洗涤剂清洗掉工业硅粉表面的金属纳米粒子，过滤分离、烘干得到多孔硅粉；将多孔硅粉进行退火处理；将退火后多孔硅粉进行酸洗处理，浸出完成后进行过滤、洗涤、烘干制备得到低硼型高纯工业硅。本方法金属纳米颗粒辅助刻蚀（MACE）法得到的多孔硅粉进行退火吸杂，使内部的杂质再次析出暴露，再通过用加入硼的络合物配体的酸性溶液进行酸洗来达到工业硅料中杂质深度脱除的目的。
-
公开(公告)号：CN105801354B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610276360.3
申请日：2016-04-29
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C07C31/04 , C07C29/151 , B01D53/62
CPC分类号： Y02A50/2341
摘要： 本发明涉及一种将电解铝高温烟气中的二氧化碳转化为甲醇的装置及方法，属于电解铝烟气治理和二氧化碳资源化利用技术领域。将电解铝高温烟气通入装有焦炭的气体转化炉中，使烟气中的二氧化碳转化为一氧化碳，从气体转化炉中排出的烟气，经脱氟除尘处理后，与氯碱工艺副产的氢气混合，得到合成气，将合成气通入气体净化装置中，深度脱除其中的硫、氯、氟，然后将合成气压缩至8～15MPa，在甲醇合成塔中制备甲醇。利用本发明提出的方法，可以将电解铝烟气中的二氧化碳转化为甲醇，同时减少污染物排放，实现烟气余热利用。
-
公开(公告)号：CN108328619A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810268569.4
申请日：2018-03-29
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种工业硅湿法冶金除硼的方法，属于湿法提纯制备太阳能级硅技术领域，本发明以工业硅为原料，粉碎细磨后先通过金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)法制得多孔硅粉，制备得到的多孔硅可使硅料内部包裹的夹杂硼充分暴露；然后将得到的多孔工业硅粉加入含有硼络合物配体的酸性混合溶液中进行浸出，加热并搅拌一定时间；经过滤、洗涤、干燥后可得到硼去除率大于90%的高纯工业硅粉；本发明所述方法操作简单、成本低、实用性强。
-
公开(公告)号：CN105648216B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201610017115.0
申请日：2016-01-12
申请人： 昆明理工大学 , 昆明鼎邦科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种固体进出料的连续真空蒸馏装置及其应用方法，属于真空炉技术领域。该固体进出料的连续真空蒸馏装置，包括进料系统、蒸发系统和出料系统，进料系统、出料系统通过密封阀门与蒸发系统连接，进料系统至少包括两个加料仓，出料系统至少包括两个出料仓，所述进料系统中的加料仓、蒸发系统中的真空炉9和出料系统中的出料仓均装有独立抽真空的装置。本装置在物料的真空处理过程中，不破坏真空系统而进行的物料的连续进出，对真空处理时间控制性强，实现了对固体物料进行连续真空处理。
-
公开(公告)号：CN108286054A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810099939.6
申请日：2018-02-01
申请人： 昆明理工大学
CPC分类号： Y02E60/366 , C25B1/00 , C25B1/10 , C25B13/02 , C25B13/08
摘要： 本发明涉及一种电解二氧化碳制一氧化碳的电解池隔膜和应用方法，属于二氧化碳资源化利用技术领域。所述电解池隔膜为多孔聚乙烯膜、多孔聚丙烯膜、多孔聚偏氟乙烯膜、多孔聚苯并咪唑膜、多孔硅油纸膜或多孔甲基硅树脂膜。将有机电解液注入到阴极室中，然后向有机电解液中通入二氧化碳得到溶有二氧化碳的饱和溶液；将水溶液注入到阳极室中；阴极室和阳极室中分别插入浸没在溶液中的阴极和阳极，在常温常压、电解电压为3.4～4.1V进行电解，在阴极上生成一氧化碳。本发明采用低成本多孔隔膜用以替代价格昂贵的全氟磺酸膜，构建新型隔膜电解池，采用该新型隔膜电解池用于电解二氧化碳制一氧化碳。
-
公开(公告)号：CN108190863A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810174892.5
申请日：2018-03-02
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B32/18
摘要： 本发明公开一种制备掺氮碳纳米角的方法，属于直流电弧法制备碳纳米材料领域。本发明所述方法用石墨棒作阴极，阳极为带孔的石墨棒，并向孔中加入一定比例氮源与石墨粉的混合物，阴极和阳极竖直放置，电弧炉抽真空后，充入缓冲气体并启动电弧，反应结束后，收集反应腔内壁沉积物即为掺氮碳纳米角；本发明制备得到的碳纳米角纯度高，单个纳米角直径为2～5nm，多个纳米角聚集成直径80～100nm的球状聚集体；该方法采用直流电弧法制备掺氮碳纳米角，具有安全可靠、成本低廉、操作过程简单等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
544 条记录 (耗时 0.051 秒)
