公开(公告)号：CN104120395A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410349445.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 高原 ,  韦文竹 ,  王成磊 ,  陆小会 ,  张光耀

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种在铁基材料表面沉积铁+铬+钼+钛+氮化钛的混合多层纳米强化层的工艺，是利用磁控溅射技术，在铁基材料表面依次沉积纳米级厚度的混合过渡层，混合层铁和铬、铬和钼、钼和钛之间没有明显的分界线，为混合逐步形成的过渡层，最后再复合沉积纳米级的氮化钛强化层，形成结合力良好的复合强化层。本发明采用磁控溅射在铁基材料表面沉积铁+铬+钼+钛+氮化钛的多层纳米强化层，形成的过渡层成分梯度分布平缓，残余内应力较小，大大增加了膜基结合强度，增强了与基体的结合力，其硬质陶瓷薄膜的特点，具有耐腐蚀、耐磨损、化学稳定性好、韧性好、低应力等优点，能够大幅度提高工件耐磨性，耐腐蚀性等性能。

公开(公告)号：CN103029370A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210556119.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 高原 ,  吴炜钦 ,  马志康 ,  王成磊 ,  张焱 ,  徐晋勇 ,  蔡航伟 ,  陆小会 ,  韦文竹 ,  张光耀

IPC: B32B15/01 ,  C23C28/02 ,  C25B11/04

Abstract: 本发明公开了一种铁基、纯铜过渡层和表面纯金属钼或金属钨涂层的电极材料及制备方法，它是利用电刷镀或化学镀和溅射镀技术，在铁基材料表面首先涂覆一定厚度的纯铜作为过渡层，再利用溅射镀技术沉积金属钼或金属钨，以形成一种铁基、铜过渡层和表面金属钼或金属钨涂层的新型电极材料。本发明采用铁基材料作为电极材料，具有加工性能好、导电性好、强度高、成本低。在其上面镀一层铜增加导电性，并作为过渡层增加表面纯金属钼（或者金属钨）层的膜基结合强度，表面纯金属钼（或者金属钨）具有耐腐蚀、强度硬度较高、电阻率较小的优点，能大幅度提高电极的比能量与比功率，接触电阻保持恒定，电能消耗稳定并且较小。

公开(公告)号：CN102943189A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210479659.0

申请日：2012-11-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王成磊 ,  高原 ,  徐晋勇 ,  张光耀 ,  蔡航伟 ,  马志康

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  H01H1/025

Abstract: 本发明公开了一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法，它是将冶金熔炼的铜-铬合金，利用激光束快速扫描铜-铬合金表面，进行表面重熔，制备出晶粒细小，均匀弥散的呈颗粒状铬合金的新型触头材料。采用该方法制作的铜铬系触头致密度高，均匀性好，结合强度高，杂质含量低，能有效地提高真空开关的可靠性。