公开(公告)号：CN115327354A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210803408.7

申请日：2022-07-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚玉玲 ,  叶晓静 ,  阎德劲 ,  曾丽珍 ,  韦淞译 ,  苏欣 ,  李春泉 ,  候杏娜 ,  周谨倬

IPC: G01R31/316 ,  G06K9/00 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明提出一种基于多尺度卷积神经网络的模拟电路故障诊断方法，包括以下步骤：（1）通过PSPICE仿真软件获取电路的一维时域响应信号，将采集到的时域响应信号作为MS‑CNN模型中1D‑CNN部分的输入；（2）将获取的模拟电路的一维时域响应信号通过短时傅里叶变换转化为二维电路频谱图，作为MS‑CNN模型中2D‑CNN部分的输入；（3）利用TensorFlow框架搭建包含1D‑CNN和2D‑CNN的多尺度卷积神经网络（MS‑CNN）诊断模型；（4）将一维时域信号样本及二维的电路频谱图像样本输送进MS‑CNN网络进行训练，设置训练参数，进行向前传播训练和参数优化，将模型训练到最优程度；（5）将测试数据集输送入训练好的MS‑CNN模型，进行故障诊断，验证模型的诊断性能，选择诊断准确率作为模型的评价指标。本发明可以增强模拟电路故障诊断中特征提取的信息完整度，进一步提高故障诊断准确率，有效地检测出模拟电路的各类故障。

公开(公告)号：CN114295967A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110842458.1

申请日：2021-07-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚玉玲 ,  范海花 ,  李春泉 ,  侯杏娜 ,  曾丽珍 ,  韦淞译 ,  叶晓静

IPC: G01R31/316

Abstract: 本发明公开了一种基于迁移神经网络的模拟电路故障诊断方法及其实现手段，包括数据采集与预处理、网络模型搭建与训练、迁移网络设计。采集被测电路的输出电压，对其进行三层小波包变换，取第三层小波包能量数据转换成灰度图，生成故障特征灰度图数据集。搭建卷积神经网络并使用mnist数据集训练。将训练之后的网络层参数迁移到新网络中，使用故障灰度图数据集训练网络，最终得到模拟电路的故障诊断模型。本发明在故障样本少的情况下，仍可保持较高的诊断精度，在大规模电路中，可以减轻数据采集和处理工作。

公开(公告)号：CN113280840A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110524565.X

申请日：2021-05-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 肖功利 ,  蓝群博 ,  杨宏艳 ,  曾丽珍 ,  欧泽涛 ,  徐燕萍 ,  陈剑云 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏

IPC: G01D5/28 ,  G01J3/447 ,  G01J3/02

Abstract: 本发明提供的是一种基于金纳米四棱锥结构偏振相关的等离子光热传感器。属于微纳光电子领域，传感器包括衬底和金属四棱锥，在衬底1上刻蚀有纳米金属四棱锥2阵列。通过改变传感器尺寸L1，可以达到对覆盖整个可见光谱的光的操纵。本发明可以实现对对覆盖整个可见光谱的光的调节，且具有偏振相关特性，可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度。

公开(公告)号：CN112558209A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011495449.1

申请日：2020-12-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 肖功利 ,  杨寓婷 ,  杨宏艳 ,  邓艳容 ,  曾丽珍 ,  李海鸥 ,  李琦 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  刘兴鹏

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器。所述滤波器结构为：在衬底上刻蚀介质纳米阵列，其中纳米阵列的单元结构为H型介质纳米结构。该结构由两个长度宽度相等且对称平行的介质矩形块，一个垂直于两个平行矩形块正中且宽度与之相等的介质矩形块构成。在本发明实例中，衬底材料为二氧化硅，介质纳米阵列材料为硅，厚度为75nm，阵列x方向填充因子为0.55，y方向填充因子为0.9。利用光激发硅纳米结构的电与磁的Mie共振，以及共振波长与硅纳米结构形状尺寸的强相关特性，本发明可通过按比例缩放结构大小、改变H型介质纳米结构中矩形块的长与宽来调控滤出颜色，其滤出的颜色具有极高的饱和度。

公开(公告)号：CN216284931U

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202122754551.5

申请日：2021-11-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾丽珍 ,  徐燕萍 ,  肖功利 ,  杨宏艳

IPC: G01N21/59 ,  G01N21/01

Abstract: 本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。

公开(公告)号：CN210742550U

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201921688007.1

申请日：2019-10-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾丽珍 ,  窦婉滢 ,  肖功利

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本实用新型公开一种基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关，包括附着在绝缘介质上的金属层，以及镂空嵌设在金属层中的传输波导、谐振腔和共振波导；传输波导位于金属层的中部；该传输波导呈直条状，其两端分别延伸至金属层两对边的边缘；所述谐振腔位于传输波导的一侧；该谐振腔呈矩形；所述共振波导位于传输波导和谐振腔之间；该共振波导呈直条状，其一端与传输波导相连通，另一端与谐振腔相连通。当谐振腔为一个时，该结构呈现单端口开关或带阻滤波器特性，当谐振腔为两个以上时，该结构呈现双端口开关或多端口开关特性。本实用新型可获得较好的光学开关特性，并为未来的全光集成电路中的滤波器和光开关等领域都有良好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利