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公开(公告)号：CN110942103A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911235032.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06K9/62
Abstract: 本发明提供了一种分类器的训练方法和一种计算机可读存储介质，其中，分类器的训练方法包括：对包含冷痛信息的脑电信号的时间序列进行分解，以得到分解后的子带分量；确定任一子带分量的能量值与所有子带分量的能量值之和的比值、任一子带分量的精细复合多尺度色散熵、精细复合多尺度模糊熵以及自回归模型系数；根据任一子带分量的能量值与所有子带分量的能量值之和的比值、精细复合多尺度色散熵、精细复合多尺度模糊熵以及自回归模型系数确定特征集；根据特征集对分类器进行训练，以得到目标分类器，根据上述特征变量训练得到的分类器对冷痛信息的分类效果更佳，提高了神经类疾病诊断结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN110631745A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910898393.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种压力传感元件和压力传感系统，其中，压力传感元件包括：基底；加载波导，加载波导设置于基底上，两个耦合器与加载波导的两端相连，耦合器用于对激光器发出的光线进行传导，两个耦合器通过光纤分别与激光器和光谱分析仪相连；加载波导包括光栅和形变部，光栅与形变部相连，形变部上设置有一个通孔，通孔的轴线与基底相平行，通孔的轴线与两个耦合器之间的连线相垂直。本发明中的压力传感元件相比于相关技术加载波导的体积可以设置得更小，实现使压力传感元件的体积更小，并且基于形变部的形变量对折射率的影响进行压力检测，可以提高压力传感元件的稳定性，以及压力传感元件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110575164A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910893087.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: A61B5/0476 , A61B5/00 , G06K9/00
Abstract: 本发明提供了一种脑电信号伪迹去除方法及计算机可读存储介质，其中，脑电信号伪迹去除方法，包括：获取含冷痛信息的脑电信号作为目标信号，将目标信号进行迭代降噪以得到纯净模态分量；对纯净模态分量进行短时傅立叶时频分析以得到时频图，根据时频图确定有效特征，构造有效特征对应的模态分量以得到有效信号，从有效信号中筛选出纯净信号；将纯净信号的测试数据集输入到分类模型中，获取纯净信号的精度评价参数；纯净信号的检测精度评价参数满足精度需求确定纯净信号为合格信号。通过对带有冷痛信息的多通道脑电信号进行VMD分解和降噪，改善了模态混叠、端点效应的问题，提高了分解降噪的精度同时也提高了提取有效特征的精度。
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公开(公告)号：CN110492314A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910710142.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种插座、插头和插座的控制方法，其中，插座包括：执行组件，执行组件设置在插座的壳体内部，执行组件串联在插座的输入端的电源线路中，用于控制电源线路的通断状态；执行组件包括：开关组件，开关组件串联接入电源线路，用于根据接收到的控制指令，导通或断开电源线路；处理器组件，处理器组件连接开关组件，用于生成控制指令，以控制开关组件的通断状态；控制组件，控制组件连接处理器组件，用于生成用电请求信信息，以便于处理器组件根据用电请求信息生成控制指令。通过本发明的技术方案，实现了只有在插头插入插座时插座才供电，当插头拔出插座后插座切断供电，提高了插座安全性，减少使用过程中可能出现的安全隐患。
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公开(公告)号：CN110224118A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910408052.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/50 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M4/131 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86
Abstract: 本发明提供了一种复合型锰氧化合物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锰氧化合物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锰氧化合物薄膜。本发明复合型锰氧化合物薄膜的制备方法将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锰氧化合物薄膜具有界面电阻小和比表面积大的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锰氧化合物薄膜化学性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190240A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110112369A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910403620.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01G11/86 , H01G11/46
Abstract: 本发明提供了一种复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。所述复合型二氧化钛薄膜的制备方法包括的步骤有：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。本发明复合型二氧化钛薄膜的制备方法将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型二氧化钛薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型二氧化钛薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN109755060A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811615545.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林旭研机电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种按键和按键的制作方法，按键包括：底座和焊脚，焊脚卡接于底座上，焊脚包括焊接部、连接部和固定部，焊接部与底座的下表面相贴合，固定部与底座的上表面相贴合，连接部的一端与焊接部相连接，另一端与固定部相连接。本发明所提供的按键，由于通过机械加工即可实现对焊脚的安装，加工按键时不需对焊脚的焊接面进行保护，并且可确保焊脚的焊接面无残留物残留，简化了按键的制作工艺，并且可降低按键的废品率；通过机械加工对焊脚进行安装，焊脚的位置、数量、形状、尺寸等不受按键成型工艺的影响，还使得焊脚的安装位置更加灵活，适合多种型号的按键的制作，提升了焊脚的通用性。
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公开(公告)号：CN109545697A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811605514.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，包括：将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；在引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；将导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接；将半导体芯片的栅极与引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；包封半导体芯片、导电金属片、键合引线和部分引线框架。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。
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公开(公告)号：CN106206328B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610595227.4
申请日：2016-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了.一种埋入芯片式封装基板的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）提供辅助板和选取临时粘膜；2）形成临时粘膜；3）制作金属线路层；4）扣压辅助板；5）制作凹型空腔结构；6）电气互联；7）进行模塑封料的预封装工艺，形成埋入芯片式封装基板；8）得到目标封装基板，对埋入芯片的封装基板进行烘干和冷却，得到目标封装基板。这种方法既没有使用支撑板结构也没有直接在基板上开槽，简化了工艺，降低了成本，另外临时粘膜的使用也进一步对基板进行了减薄，提高了基板的集成度。
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