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公开(公告)号：CN108169849B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711378335.7
申请日：2017-12-19
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种多通道星形光交叉，涉及光交叉领域。该多通道星形光交叉有n*n个通道，n≥3，且n为正整数，每一个通道包括顺次相连的入射端梯形波导、直波导、出射端梯形波导，入射端梯形波导用于扩束或者产生多模干涉，出射端梯形波导用于缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式；对于每一个通道，光束经由入射端梯形波导扩束或者产生多模干涉后，进入直波导，再经由出射端梯形波导缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式出射。本发明能实现多通道星形光交叉的高效率传输，插损低，工艺复杂度低，成品率高，尺寸不大。
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公开(公告)号：CN107966761B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711437296.3
申请日：2017-12-26
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 一种渐变匹配耦合器，涉及光通信集成器件领域，包括渐变二氧化硅波导、弯曲渐变硅波导和匹配区，渐变二氧化硅波导为锥形结构，宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变窄。弯曲渐变硅波导位于渐变二氧化硅波导内，其宽度逐渐变宽，且最宽端和渐变二氧化硅波导的最窄端位于同一平面，弯曲渐变硅波导的最窄端为尖端，且发生弯曲，尖端与渐变二氧化硅波导的最宽端之间的距离为d1。匹配区材料为折射率低于二氧化硅的匹配液，包覆于渐变二氧化硅波导侧壁，匹配区沿光耦合进入芯片的方向分为多个匹配分区，与渐变二氧化硅波导最宽端相接的匹配分区的长度d0小于所述d1。本发明可以减小耦合器的长度，解决背向反射高的问题。
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公开(公告)号：CN109709692A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811652758.8
申请日：2018-12-28
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅自由空间光可调芯片及系统，涉及光学通信领域，包括：折射率响应层，其上设有多个沿所述折射率响应层的水平方向设置的输入端口，所述折射率响应层上还设有多个沿所述折射率响应层的水平方向和竖直方向排列的控制单元，所述控制单元用于控制经由所述输入端口输入的光信号的输出方向。控制层，其设于所述折射率响应层的一侧，所述控制层用于调整所述折射率响应层的折射率。本发明结构简单、成本低，且提供了另外一种实现波长选择开关功能的方式。
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公开(公告)号：CN109541822A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811417278.3
申请日：2018-11-26
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及制备方法，包括：衬底，其长宽高分别定义为X、Y、Z方向；设于衬底上的绝缘材料层；沿X方向间隔地设于绝缘材料层内的光输入端和光输出端；位于光输入端和光输出端之间的亚波长光栅波导结构，包括设于绝缘材料层内且上下布置的第一石墨烯层和折射率层及设于绝缘材料层上表面上的第二石墨烯层，折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连，第一石墨烯层自折射率层一侧向外延伸并连接有第一金属电极，第二石墨烯层自折射率层另一侧向外延伸并连接有第二金属电极，折射率层包括沿X方向周期性布置的高折射率单元，相邻两个高折射率单元之间填充低折射率单元。本发明具有高调制效率、高3dB电光调制带宽的特点。
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公开(公告)号：CN109407229A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811458029.9
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种端面耦合器，涉及光通信器件技术领域。端面耦合器包括具有高折射率的第一波导以及具有低折射率的第二波导，第一波导在其长度方向上具有第一端面和第二端面，第一波导除第一端面以外的部分均埋设于第二波导内，第一波导沿其长度方向分为两段，第一端面位于第一段上，从第一端面到所述第二端面的方向，第一段的宽度递减，第二段的宽度不变且厚度递减。本发明端面耦合器制备难度小，耦合效率高。
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公开(公告)号：CN109407211A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811458048.1
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G02B6/125
摘要： 本发明公开了一种波导元件及分合束器，涉及光通信器件技术领域。波导元件具有第一波导和分支结构，分支结构将第一波导中传输的光分成至少两束，分支结构包括第二波导、第三波导、以及位于第二波导和第三波导之间的中间波导，第一波导、第二波导和第三波导的折射率及厚度均相等，中间波导随着第一波导的入射光传输方向厚度递减。本发明波导元件及分合束器带宽高，制备难度小，制备成本低。
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公开(公告)号：CN109378707A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811467091.4
申请日：2018-12-03
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅基可调谐激光器，涉及硅基光子学与集成光电子学领域，包括：集成在硅基平台的半导体放大器；模斑转换器，其与半导体放大器的背光端相连，模斑转换器包括双倒锥波导；非对称马赫-曾德尔干涉仪AMZI，其包括不等长的第一臂和第二臂，第一臂和第二臂的输入端分别与双倒锥波导级联，第一臂和第二臂的输出端交汇形成单波导，第二臂上设有加热器；第一微环滤波器，其与第一臂级联，第一微环滤波器上设有加热器；第二微环滤波器，其与第二臂级联，第二微环滤波器上设有加热器。分布式布拉格反射器DBR，用于实现光学反馈，形成于单波导上。本发明制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产，能提高调谐带宽和波长稳定性。
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公开(公告)号：CN106629572B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201611219563.5
申请日：2016-12-26
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： B81B7/00
摘要： 本发明公开了一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片，所述硅基光子芯片集成的锗电阻温度传感器制作在SOI晶圆上，所述硅基光子芯片上的锗电阻温度传感器设置在靠近待测硅基光波导的一侧，所述锗电阻温度传感器的电阻随着所述待测硅基光波导的温度变化而变化。本发明利用锗材料，在硅基光子芯片中集成锗电阻温度传感器，该锗电阻温度传感器能够通过硅基光子芯片常规工艺实现，与硅基光子芯片的制作工艺兼容，能够大规模生产，大大降低了成本。
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公开(公告)号：CN108181735A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711425046.8
申请日：2017-12-25
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明适用于电光调制器，提供了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，所述石墨烯电光调制器包括：衬底、形成于所述衬底上的双层石墨烯垂直狭缝光波导结构、第一电极、第二电极、光输入端以及光输出端，所述双层石墨烯垂直狭缝光波导结构包括由第一高折射率材料层、低折射率材料层、第二高折射率材料层组成的垂直狭缝光波导、第一石墨烯层、绝缘材料层、第二石墨烯层。实施本发明实施例，狭缝光波导可以增强对TE模式的限制作用，使得TE模式的模场在狭缝区域分布增多，有利于增强与上层覆盖的双层石墨烯的相互作用，提高了调制器的调制效率。由双层石墨烯制成的光调制器，其载流子的迁移速率较快，可以调高调制器的响应速率。
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公开(公告)号：CN108169849A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711378335.7
申请日：2017-12-19
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种多通道星形光交叉，涉及光交叉领域。该多通道星形光交叉有n*n个通道，n≥3，且n为正整数，每一个通道包括顺次相连的入射端梯形波导、直波导、出射端梯形波导，入射端梯形波导用于扩束或者产生多模干涉，出射端梯形波导用于缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式；对于每一个通道，光束经由入射端梯形波导扩束或者产生多模干涉后，进入直波导，再经由出射端梯形波导缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式出射。本发明能实现多通道星形光交叉的高效率传输，插损低，工艺复杂度低，成品率高，尺寸不大。
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