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公开(公告)号：CN112526773B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011449803.7
申请日：2020-12-09
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种电光调制器，包括：射频电极和光波导；其中，所述射频电极包括第一电极和第二电极，所述光波导位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述射频电极用于对所述光波导中的光波进行调制；所述光波导相对于所述射频电极具有第一结构关系，以使所述光波导和所述射频电极的群折射率相匹配；其中，所述第一结构关系基于所述光波导的群折射率和所述射频电极的群折射率确定。
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公开(公告)号：CN114690454A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210306146.3
申请日：2022-03-25
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本公开提供了一种微环波长的控制系统、方法、设备及存储介质。所述控制系统包括：微环滤波器和波长控制电路；所述波长控制电路包括温控单元和监测单元；所述温控单元用于生成控制信号并发送至所述微环滤波器，所述控制信号用于控制所述微环滤波器的谐振波长；所述监测单元用于对所述微环滤波器进行监测，以获取监测信号；所述波长控制电路用于基于所述监测信号实时调节所述控制信号。
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公开(公告)号：CN111883608B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010652114.X
申请日：2020-07-08
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
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公开(公告)号：CN114185221A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111295421.8
申请日：2021-11-03
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本申请公开了一种调制器和调制方法，其中，所述调制器包括：分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、可调光衰减器、相移器和合束器；所述分束器的输入端接入光源，所述分束器的第一输出端与所述第一渐变波导的输入端连接，所述第一渐变波导的输出端与所述电光调制器的输入端连接，所述电光调制器的输出端与所述第二渐变波导的输入端连接，所述第二渐变波导的输出端与所述合束器的第一输入端连接；所述分束器的第二输出端与所述可调光衰减器的输入端连接，所述可调光衰减器的输出端与所述相移器的输入端连接，所述相移器的输出端与所述合束器的第二输入端连接，所述合束器的输出端输出干涉光。
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公开(公告)号：CN109557686B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811467078.9
申请日：2018-12-03
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于提高消光比并降低驱动电压的系统，涉及光通信器件领域，包括：电光调制器，其包括电光调制器输入端、电光调制器输出端和电光调制器芯片；光放大器，其包括光放大器输入端和光放大器输入端，光放大器输入端与电光调制器输出端相连；以及电驱动芯片，其用于同步驱动电光调制器芯片和光放大器。本发明结构简单、易于批量制造又成本低廉，且可以在实现降低电光调制器驱动电压的同时提高信号消光比。
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公开(公告)号：CN111025468A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911414652.9
申请日：2019-12-31
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 一种模式复用解复用器、模式解复用方法及模式复用方法，涉及光通信器件技术领域，包括：呈非对称形且宽度变化的多模干涉波导、连接在所述多模干涉波导左侧的多模波导以及连接在所述多模干涉波导右侧的两个传输波导，所述多模波导的左端形成第一端口，每个所述传输波导的右端的单模波导处分别形成第二端口。本发明的有益效果：通过调整多模干涉波导的形状即可调整内部的干涉点，实现模式复用和解复用，结构工艺容差大，尺寸小，没有精细的波导结构，加工精度要求不高，制作成本低。
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公开(公告)号：CN110989214A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911338345.7
申请日：2019-12-23
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
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公开(公告)号：CN110649455A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910941092.6
申请日：2019-09-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01S3/098
摘要： 本发明公开了一种片上集成石墨烯二氧化硅光波导饱和吸收体及制备方法，其包括衬底、二氧化硅光波导和石墨烯薄膜，衬底长度、宽度及高度方向分别定义为X、Y、Z方向，所述衬底上表面开设有收容槽，所述收容槽沿X方向延伸至衬底两端；二氧化硅光波导位于所述收容槽内且底部与所述收容槽槽底不接触，所述二氧化硅光波导通过悬臂梁连接于所述收容槽槽侧壁上，所述二氧化硅光波导两端分别用于与输入光器件和输出光器件耦合；石墨烯薄膜覆盖于所述二氧化硅光波导上，且沿Y方向，其两侧均至少部分覆盖所述衬底上表面。本发明不仅能够增强石墨烯薄膜与光波导传输模式的相互作用力，而且还能够提高饱和吸收消光比。
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公开(公告)号：CN107870454B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201711386958.9
申请日：2017-12-20
申请人： 武汉邮电科学研究院
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明适用于电光调制器领域，提供了一种电光调制器的制备方法和制备系统，所述制备方法包括：获取未添加表面覆盖层的电光调制器的电极的有效折射率；将覆盖材料的介电常数或折射率设置为一扫描变量，并随着所述扫描变量的变化，获取添加覆盖材料的电极的多个有效折射率；从所述多个有效折射率中获取与光波相匹配的匹配折射率，并获取与所述匹配折射率对应的覆盖材料；将所述覆盖材料覆盖在所述未添加表面覆盖层的电光调制器的电极之上。实施本发明实施例，在不增加电容或电感的情况下使电光调制器的折射率与电波的折射率相匹配，而且保证了电光调制器的整体3dB带宽的稳定。
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公开(公告)号：CN114185224B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111544549.3
申请日：2021-12-16
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本申请提供一种光倍频转换装置，所述光倍频转换装置包括：衬底；多微环耦合结构，包括至少两个具有不同弯曲半径且同轴的环形波导，位于所述衬底上；所述多微环耦合结构用于对预设波长范围内的光信号进行倍频转换；直波导，位于所述衬底上，所述直波导位于所述多微环耦合结构的一侧。
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