公开(公告)号：CN101816064B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880109735.0

申请日：2008-09-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。

公开(公告)号：CN101617393B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880005459.3

申请日：2008-02-20

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 大塚智弘 ,  石井彻哉 ,  中岛节男

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口41向被处理物10喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口41的处理头39相对于被处理物10在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物10的表面形成的硅。以使在被处理物10的表面上形成的凝结层18的厚度t成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为3～4m/分钟以上。

公开(公告)号：CN101023714B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580031892.0

申请日：2005-09-20

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 武内稔公 ,  中岛节男 ,  斋藤直道 ,  西川理

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32348 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/0206 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 一种等离子加工设备，其中防止了由电极与固体电介质之间热膨胀差引起的电弧放电的出现。加工单元(10L、10R)的壳体(20)的底部开口，并使用固体电介质板(50)关闭，且电极(30)容纳在壳体(20)内，且电极(30)在纵向方向上是自由的。固体电介质板(50)具有例如可以由自己支撑电极(30)的静重的强度。电极(30)安装在固体电介质板(50)的上表面，且没有固定到其上，从而电极(30)的静重大体上全部由固体电介质板(50)承受。

公开(公告)号：CN101427353B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。

公开(公告)号：CN101427353A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)＞1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1672248A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817749.8

申请日：2003-06-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 江口勇司 ,  中岛节男 ,  伊藤巧 ,  川崎真一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H05H1/42

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的CVD法在基板(S)的表面形成氧化膜的装置，具备供给由TMOS、MTMOS等含硅气体构成的原料气体(A)、由O2、N2O等氧化性气体构成的反应气体(B)这样的2成分工艺气体的工艺气体供给源(3A)、(3B)、放电处理部(1)。通过对工艺气体(A)不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部1进行了放电处理的工艺气体(B)中，从而在常压下的CVD法中，用较快的成膜速度形成膜质·覆盖性良好的氧化膜。另外，如果混合进行了放电处理或未进行放电处理的H2O则更为理想。