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公开(公告)号:CN112789334B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201880098044.9
申请日:2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠体,其具有能量射线固化性树脂层(I)、和支撑该能量射线固化性树脂层(I)的支撑层(II),上述能量射线固化性树脂层(I)包含具有粘合性的表面,上述支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层,该基材(Y)及粘合剂层中的至少一者含有热膨胀性粒子,由上述能量射线固化性树脂层(I)固化而成的固化树脂层(I')和上述支撑层(II)通过使上述热膨胀性粒子膨胀的处理而在其界面分离。
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公开(公告)号:CN108260356B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201680060831.5
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J163/00
Abstract: 本发明涉及一种固化性树脂膜,其包含重均分子量为200~4000的环氧类热固性成分,将该固化性树脂膜粘贴在具有平均顶部高度(h1)为50~400μm、平均直径(D)为60~500μm、平均间距为100~800μm的多个凸块(51)的半导体晶片(5)的表面(5a),使其于100~200℃加热固化0.5~3小时而形成第1保护膜(1a),并利用扫描电子显微镜对其纵向剖面进行观察时,凸块(51)间的中心位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h3)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h3/h1)、及与凸块(51)接触的位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h2)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h2/h1)满足下式[{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1]所示的关系。
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公开(公告)号:CN112585742A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201980052146.1
申请日:2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带(1),其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1),其具有黏弹性层(12),在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中,50℃下的tanδ值为0.2以上,黏弹性层(12)的厚度为80~800μm。
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公开(公告)号:CN107408500B
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN201580060101.0
申请日:2015-10-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/20 , C09J133/00
Abstract: 一种切割片,其具备基材与层叠于基材的至少一个面的粘着剂层,其中,粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物形成;粘着剂层于23℃的储能模量,在能量线照射前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下,并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上;粘着剂层的厚度小于20μm,粘着剂层的面,在照射能量线前的状态下,在JIS Z0237:1991中所记载的方法中,通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件,使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上、0.8mJ/5mmφ以下。
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公开(公告)号:CN111357088A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201880072999.7
申请日:2018-11-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/60 , G01N23/2209 , H01L21/304
Abstract: 本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜,在通过能量色散X射线光谱法对所述凸块的头顶部进行分析,测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)时,S(C)/S(Sn)的值为0.32以下。
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公开(公告)号:CN109075046A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780025391.4
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法,其中,在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后,对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化,接着,对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时,保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法,其中,拾取带保护膜的半导体芯片(19),并将半导体芯片(19)连接于衬底。
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公开(公告)号:CN108352365A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680063564.7
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(1),其是在第1支撑片(101)上层叠热固性树脂层(12)而成的,其中,热固性树脂层(12)是用于粘贴于半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜的层,热固性树脂层(12)的第1支撑片(101)侧表面在热固化前的表面自由能与第1支撑片(101)的热固性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。
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公开(公告)号:CN108243616A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201780003861.7
申请日:2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , H01L21/304
CPC classification number: B32B27/00 , C09J7/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1,其至少具备:具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30,第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下,将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10~1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时,不容易发生粘连。
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公开(公告)号:CN108243614A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201680062173.3
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及固化性树脂膜及第1保护膜形成用片,该固化性树脂膜用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜,该固化性树脂膜在通过于160℃加热1小时而固化时的黄度指数(YI1)为45以下,或在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线而固化时的黄度指数(YI2)为45以下。第1保护膜形成用片具备第1支撑片,并在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号:CN108140586A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680061246.7
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/60 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: B32B27/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种热固性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在上述表面形成第1保护膜,在使固化前的该热固性树脂膜以10℃/分的升温速度升温时,该膜在剪切速度1s-1下的粘度达到100000Pa·s以下的时间为500秒以上。本发明涉及的第1保护膜形成用片具备第1支撑片,并在该第1支撑片的一侧表面上具备该热固性树脂膜。通过在对该热固性树脂膜以0.1Pa以上的压力加压的同时使其发生热固化,从而形成第1保护膜。
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