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公开(公告)号：CN105552074B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510974257.1
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区内设有另一第二种导电类型重掺杂区；所述硅衬底上还形成有第二种导电类型埋层区，其上形成第二种导电类型集电区以及集电区两侧相邻接的两个第二种导电类型重掺杂区，且与所述第二种导电类型阱区内另一第二种导电类型重掺杂区相连，集电区的硅表面上依次设置第一种导电类型锗硅层、第二种导电类型重掺杂多晶硅层，重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明能有效降低SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN107591401A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710785508.0
申请日：2017-09-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 一种用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件，属于集成电路静电释放保护电路技术领域。本发明用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件包括1个LDMOS-SCR和(n-1)个与阱电阻并联的VSCR堆叠单元，其中，LDMOS-SCR的栅电容和堆叠单元中的阱电阻构成一个内嵌的RC通路，可以实现降低LDMOS-SCR触发电压的目的，而器件的维持电压由1个LDMOS-SCR器件的维持电压和(n-1)个VSCR堆叠单元的维持电压共同决定，会随着堆叠VSCR的个数的增加而增加。因此，本发明用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件在实现高的维持电压的同时，保持了较低的触发电压。
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公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN104778410B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510179575.9
申请日：2015-04-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F21/56
摘要： 本发明提供一种应用程序完整性验证方法。内核层捕获打开文件系统调用后，触发内核层中的验证代理模块；验证代理模块获取当前应用程序的文件描述符，通过该文件描述符查看应用程序，判断应用程序是否有完整性扩展属性值，验证代理模块获取应用程序为完整性验证所添加的扩展属性值，计算当前打开应用程序的完整性校验值，再与获取的扩展属性值进行比较。本发明与文件系统完整性验证方法相比减少了验证开销；通过使用文件系统自带的扩展属性存完整性扩展属性值，不需要辅助硬件的存储支持。
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公开(公告)号：CN105374868A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510981673.4
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。
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公开(公告)号：CN104156659A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410401579.2
申请日：2014-08-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种嵌入式系统的安全启动方法，涉及嵌入式系统的启动安全领域，特别涉及一种基于密码学的方法对镜像进行验证技术以及通过硬件设计来辅助该方法的实现。在芯片设计时通过在芯片内部提供一个安全系统固件，同时利用非对称加密技术对需要加载的镜像进行签名，保障镜像的可信与完整的同时做到镜像可更新。本发明基于硬件的角度来保障安全，但不需要增加额外硬件，大大简化硬件设计难度以及开销，保障安全启动完整性的前提下降低开发难度。
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公开(公告)号：CN102624667A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210055490.6
申请日：2012-03-05
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开一种多点多用户OFDMA系统的时偏补偿方法，基于最大容忍剩余误差限松弛技术，采用对传输点时偏预补偿和对用户终端时偏后补偿的联合补偿，补偿过程为：各用户终端估计每条链路的时偏量；各用户终端反馈链路时偏量给各传输点；各传输点协同建立优化方程；求解优化方程；判断最优化解是否满足约束条件；各传输点对发送的信号进行时偏预补偿；各用户终端接收到时偏预补偿信号后进行时偏后补偿，后补偿包括估计剩余时偏量，计算后补偿量和补偿。本发明传输点求解优化问题降低用户终端计算复杂度。最终剩余时偏量在可容忍范围内，保证每个用户终端时间可靠同步，克服时偏影响，解决高速运动信道环境下多点多用户通信同步问题。
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公开(公告)号：CN117911675A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410090619.X
申请日：2024-01-22
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种光学遥感图像舰船目标显著性候选区域提取方法，包括：对海陆混合的光学遥感图像进行海陆分离和陆地屏蔽处理，得到分离结果图；利用视觉显著性算法对分离结果图进行检测，得到第一舰船目标ROI区域；根据舰船形状特征对第一舰船目标ROI区域进行精确提取，得到第二舰船目标ROI区域；对第二舰船目标ROI区域进行舰船尾迹去除，得到舰船目标候选区域。本发明针对海陆混合背景的光学遥感图像舰船目标做到了快速准确提取ROI区域，同时解决了舰船目标灰度不均和环境干扰导致漏检或者难以提取完整的舰船区域的问题，随后采用灰度统计结合舰船尾迹的特点解决了舰船的拖尾问题，最终实现了舰船目标候选区域的精确提取。
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公开(公告)号：CN116966435A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310981561.3
申请日：2023-08-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种微波艾灸装置，属于微波能应用技术领域。该装置包括金属外壳、圆柱内导体、耦合环、通气孔、塑料套筒、金属支架；通过耦合结构将微波馈入同轴谐振腔体并在腔体内传播；金属支架的引场作用将微波引到艾柱顶部，且两对高度不同的金属支架能够提高艾柱加热区域微波的均匀性，使得艾柱能够更好更均匀的被加热，防止艾柱燃烧大量出烟。本发明装置提升了微波的均匀性，能够更均匀的加热艾草，在保持艾灸药效的同时，防止艾柱燃烧产生大量浓烟影响环境和健康；此外，该装置尺寸较小，方便集成。
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公开(公告)号：CN116596691A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310447574.2
申请日：2023-04-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06Q50/00 , G06N7/01 , G06N3/042 , G06F40/216 , G06F40/284
摘要： 本发明公开了一种基于人际传播的Twitter社交信息传播路径生成方法，首先采集Twitter相关数据用于构建Twitter信息传播的关注网络，再通过构建社交网络的人际传播模式，对人际传播模式中的特征进行属性建模并计算传播概率，最后根据传播概率生成新的传播路径并进一步对传播路径进行更新。本发明的方法以社交网络中信息传播特点和马莱兹克关于大众传播的系统模式为引导，解决了现有基于时间序列的信息传播建模方法中对用户属性和信息属性等因素考虑不足的问题，且依据传播学教程和马莱兹克关于大众传播的系统模式中有关人际传播的特征进行了信息传播的建模，能够有效防止不相关特征的引入，相比于现有方法能更好地反映推文信息的累计传播规模随时间的变化情况。
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