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公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN104269400A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410439316.0
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN104241274A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN104269401A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104269401B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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