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公开(公告)号：CN113521791A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110699850.5
申请日：2021-06-23
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： B01D9/00
摘要： 本发明公开了光电半导体薄膜制备技术领域的一种光电半导体薄膜的超声波振荡制备装置，包括底座，水平的稳定架设在工作台上；超声波震板，水平的架设在底座顶部；超声波换能器，安装在底座内部的超声波震板底部，所述超声波换能器与外接电源和控制器电连接，能够优化的，便捷快速，更加效率，本装置生产成本及能耗更低，并且让光电半导体薄膜特别是钙钛矿湿膜可以在室温下发生结晶，生产设备简单，操作简便，可中试放大，批量生产。
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公开(公告)号：CN112520784A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011449684.5
申请日：2020-12-11
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： C01G21/00
摘要： 本发明提供一种研磨制备NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料的方法，所述方法包括如下步骤：(1)将氯化铵和碘化铅混合后放入球磨机充分研磨；其中，氯化铵和碘化铅的摩尔比为1:1‑3:1，球磨机研磨时间为1‑2小时，球磨机研磨转速为200‑400转/分钟，球磨机中的物料与研磨球的质量比为1:20‑1:10；(2)将步骤(1)中充分研磨后的混合物放入真空干燥箱中加热，冷却至室温获得NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料。本发明制备过程简单易控制、制备成本低，而且该方法得到的NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料具有合适的带隙，有望应用于光伏电池。
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公开(公告)号：CN108101792B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201711389566.8
申请日：2017-12-21
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： C07C211/11 , C07C209/00 , H01L51/42 , H01L51/46
摘要： 本发明涉及一种铜钙钛矿光电材料的合成，尤其涉及一种二氨基丙胺碘化铜钙钛矿光电材料的合成方法。包括如下步骤：(1)将1，3‑二氨基丙烷与碘化氢在冰水浴中反应，蒸干溶剂，洗涤、干燥得到前驱物固体；(2)将步骤(1)合成的前驱物与碘化亚铜在γ‑丁内酯中继续搅拌过夜，蒸干溶剂，再用无水乙醚抽滤洗涤沉淀，得到二氨基丙胺碘化铜产物。本发明的合成方法具有环保特性，所合成的二氨基丙胺碘化铜是以铜取代的无铅钙钛矿材料，具有超宽的光吸收范围，且具有很好的空气稳定性，可在空气中长期稳定存在，而不影响其光吸收范围，是一种具有潜在应用前景的太阳电池光吸收层材料。
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公开(公告)号：CN109036567A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810959632.9
申请日：2018-08-22
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： G16H50/50
CPC分类号： G16H50/50
摘要： 本发明涉及一种基于子空间凝聚算法的软组织形变仿真方法。该方法包括：a)数据预处理与软组织模型的三维重建；b)进行软组织的生物力学特性分析；c)采用AABB包围盒与三角形面片相交相结合实现碰撞检测；d)最后进行子空间凝聚算法完成软组织形变仿真计算，采用空间核方法实现空间映射，利用贪心算法及二维分离算法分离出最佳纯子空间。本发明结合了软组织的三维几何建模和实时的碰撞检测方法，最后采用改进子空间凝聚算法进行软组织形变仿真，能较好的调节软组织形变过程中真实性与实时性的均衡，防止模型形变过程出现畸变或停顿等现象，通过分析可具有良好的仿真效果且花费时间较短，对虚拟手术中的形变仿真有着重要的指导作用。
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公开(公告)号：CN108183880A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810019808.2
申请日：2018-01-09
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： H04L27/26
CPC分类号： H04L27/2614
摘要： 本发明提供一种基于限幅联合星座扩展法的OFDM峰均比抑制器，其包括相连接的限幅滤波模块和星座扩展处理模块；限幅滤波模块可以降低OFDM信号的峰均比，星座扩展处理模块可以改善系统接收端误码率性能。本发明能够在系统误码率提高不大的情况下，降低OFDM信号的PAPR。本发明的峰均比抑制器简单、有效，并且接收端不需要增加额外的处理。
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公开(公告)号：CN108123046A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711389578.0
申请日：2017-12-21
申请人： 福建江夏学院
摘要： 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法。采用双结叠层电池结构，底电池为n型晶体硅太阳电池，顶电池为钙钛矿太阳电池；所述n型晶体硅太阳电池为背结结构，包括从下到上依次层叠的背电极、p+发射极，n型晶体硅基底，n+前表面场以及前表面钝化层；所述钙钛矿太阳电池制备在n型晶体硅太阳电池的前表面上。这种电池结构还保留了硅片背面的减反射结构，可以增加电池的内反射，减小光学损失。该方法制备工艺简单，可以有效控制太阳电池的制作成本，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN108101792A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711389566.8
申请日：2017-12-21
申请人： 福建江夏学院
IPC分类号： C07C211/11 , C07C209/00 , H01L51/42 , H01L51/46
摘要： 本发明涉及一种铜钙钛矿光电材料的合成，尤其涉及一种二氨基丙胺碘化铜钙钛矿光电材料的合成方法。包括如下步骤：(1)将1，3‑二氨基丙烷与碘化氢在冰水浴中反应，蒸干溶剂，洗涤、干燥得到前驱物固体；(2)将步骤(1)合成的前驱物与碘化亚铜在γ‑丁内酯中继续搅拌过夜，蒸干溶剂，再用无水乙醚抽滤洗涤沉淀，得到二氨基丙胺碘化铜产物。本发明的合成方法具有环保特性，所合成的二氨基丙胺碘化铜是以铜取代的无铅钙钛矿材料，具有超宽的光吸收范围，且具有很好的空气稳定性，可在空气中长期稳定存在，而不影响其光吸收范围，是一种具有潜在应用前景的太阳电池光吸收层材料。
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公开(公告)号：CN219612492U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320363181.9
申请日：2023-03-02
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要： 本实用新型提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。所述FTO导电玻璃的厚度为350～450nm,SnO2电子传输层的厚度为20～50nm，钙钛矿层的厚度为200～500nm，P3HT界面修饰层的厚度为1～10nm，Spiro‑OMeTAD空穴传输层的厚度为100～300nm，Au电极的厚度为80～120nm。本实用新型采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式在钙钛矿层和空穴传输层之间形成P3HT界面修饰层，提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。
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