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公开(公告)号：CN110221123B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910464805.4
申请日：2019-05-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了CMUTS谐振式生化传感器的频率追踪电路，包括偏置网络、阻抗匹配网络、CMUTs网络、负载电容网络以及BJT放大反馈网络。偏置网络为CMUTs提供直流电压且避免电流过载。阻抗匹配网络进行调谐使CMUTs形成串并联谐振区域。基于BJT和负载电容网络，形成振荡信号正反馈，实现CMUTs并联谐振点振荡信号实时输出。本发明使CMUTs在低电压下形成串并联谐振区域，所述谐振电路简单方便，启动时间为微秒级，可实时输出CMUTs谐振频率，对基于CMUTs谐振式生化传感器的便携式和实时检测应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111537922A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010403189.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种原子磁强计的MEMS气室碱金属原子源选择方法，它属于量子精密测量领域。具体为：首先确认MEMS气室内导致原子自旋弛豫的各种机制；然后根据气室内的具体实验参数计算总的弛豫率；最后根据横向弛豫时间以及实现的难易程度，综合比较MEMS气室内各种碱金属原子的优劣，并最终确定充入气室内的碱金属原子源的种类。本发明为原子磁强计中MEMS气室原子源的选择提供了理论依据，并为原子磁强计实现及灵敏度改善提供了理论参考。
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公开(公告)号：CN111504526A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010478838.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片由浅槽薄膜结构层和背腔结构层组成。浅槽薄膜结构分为浅槽结构和薄膜结构，浅槽结构由沿薄膜边缘分布的四条浅槽和位于薄膜内部分布的正方形浅槽组成，应力集中在两条浅槽结构端部之间，分布的正方形浅槽则进一步集中和调节了应力分布，提高了传感器的灵敏度。在应力集中处均匀布置四个压敏电阻条，金属引线将四个压阻条连接组成半开环惠斯通全桥，并将电桥与布置在基底上的五个焊盘连接实现电信号的输入输出。背腔由半岛和岛屿组成，两者之间的空隙与两条浅槽结构端部相对应；半岛和岛屿提高应力的集中效果，并提高了传感器的刚度，使传感器的线性度得到提高。
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公开(公告)号：CN1673501A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510041953.3
申请日：2005-04-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: F02B53/02
CPC classification number: Y02T10/17
Abstract: 本发明公开了一种新型的滑动转子式微型内燃机结构，涉及针对便携式能源而设计的高能电源组的核心部件——微型热力发动机。该发明主要由燃烧室缸体；垂直于缸体的输出轴；绕输出轴旋转，且相对输出轴有一定径向滑动的转子；进排气口；前后端盖等平面结构组成。所述缸体具有特定的型线方程，通过转子将缸体分成两个容积不断变化的腔体，以两冲程方式工作，纯旋转形式的机械能输出。该发明具有体积小、重量轻、压缩比高等优点。且整个系统只有一个可动部件(转子)，大大提高了系统的可靠性，多层平面形式的结构也为通用微机械加工直至MEMS加工提供了结构保障。从而为以微型内燃机为基础的便携式微型高能电源组的真正微型化，实用化提供有力支持。
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公开(公告)号：CN119779554A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411985754.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L25/00
Abstract: 一种针对微小型多维力传感器的六轴联合加载装置，包括下层框架、中间层框架和上层框架，下层框架和上层框架的水平桁架中心位置均安装一个单滑轮换向机构，用于面外力和力矩加载时砝码标准力源的方向转换；中间层框架外侧的水平桁架中心位置均安装一个三滑轮换向机构，用于面内力和力矩加载时砝码标准力源的方向转换；中间层框架中心连接加载机构；对微小型多维力传感器进行标定时，通过标准砝码‑拉力线‑滑轮换向机构‑加载针‑加载立柱‑传感器的载荷传递路线对传感器施加特定方向的力和力矩载荷；本发明实现对微小型多维力传感器所有六个方向力/力矩的单独加载，还可实现对任意两个力或力矩的联合加载，具有结构简单紧凑、准确度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116430072A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211715305.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有位置无关纯轴向变形压阻梁的MEMS压阻式加速度计芯片及其制备方法，子单元为一轴对称结构，第一支撑梁的一端与芯片外框连接，第一支撑梁的另一端与第一质量块一端的中部连接，第一质量块的另一端与第二质量块的一端之间通过第一敏感梁和第二敏感梁连接，第二质量块另一端的中部与第二支撑梁的一端连接，第二支撑梁的另一端与芯片外框连接；第一支撑梁和第二支撑梁关于子单元对称轴对称，第一质量块和第二质量块关于子单元对称轴对称，第一敏感梁和第二敏感梁关于第一支撑梁以及第二支撑梁的轴线对称。该芯片支撑梁和敏感梁通过质量块分离设置，极大弱化了灵敏度与谐振频率之间的直接耦合关系。
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公开(公告)号：CN113746371A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110998561.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种叠层阵列简支梁压电振动能量收集器及能量收集方法，能量收集器，包括框架、共质量块和压电双晶片，共质量块设置于框架的轴心，共质量块上在其相对的两侧分别连接相同数量的压电双晶片，共质量块同一侧的压电双晶片分布于共质量块的不同厚度上，共质量块两侧的压电双晶片分别一一相对设置；压电双晶片的两端分别与共质量块和框架连接。本发明叠层阵列简支梁压电振动能量收集器，由于简支梁横向振动占用限幅间距对于叠层是共享的，因此封装体积小，发电能量密度高。共用质量块的叠层阵列压电输出相位一致，可直接串联或并联，从而实现不同的输出电压，适应接口电路输入电压范围。
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公开(公告)号：CN111537922B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010403189.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种原子磁强计的MEMS气室碱金属原子源选择方法，它属于量子精密测量领域。具体为：首先确认MEMS气室内导致原子自旋弛豫的各种机制；然后根据气室内的具体实验参数计算总的弛豫率；最后根据横向弛豫时间以及实现的难易程度，综合比较MEMS气室内各种碱金属原子的优劣，并最终确定充入气室内的碱金属原子源的种类。本发明为原子磁强计中MEMS气室原子源的选择提供了理论依据，并为原子磁强计实现及灵敏度改善提供了理论参考。
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公开(公告)号：CN111537396B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202010335079.9
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法，包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器。通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜，双压电电极既可用于通入一定频率的交变电压并利用逆压电效应产生压电驱动力，也可将硅微悬臂梁谐振器的振动信号通过压电效应转化为可检测电压信号，四根压阻梁上的四个敏感压阻条通过压阻衔接梁上的金属引线构成惠斯通全桥，用于检测谐振应力并将其转化为电压信号输出，通过压电激励方式可以得到悬臂梁谐振器的面内振动模态，振动电信号的输出采用压电与压阻双检测模式，该黏度传感器芯片在流体中具备高品质因子，能够显著提升流体黏度的适用范围与测量精度。
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公开(公告)号：CN111537396A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010335079.9
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法，包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器。通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜，双压电电极既可用于通入一定频率的交变电压并利用逆压电效应产生压电驱动力，也可将硅微悬臂梁谐振器的振动信号通过压电效应转化为可检测电压信号，四根压阻梁上的四个敏感压阻条通过压阻衔接梁上的金属引线构成惠斯通全桥，用于检测谐振应力并将其转化为电压信号输出，通过压电激励方式可以得到悬臂梁谐振器的面内振动模态，振动电信号的输出采用压电与压阻双检测模式，该黏度传感器芯片在流体中具备高品质因子，能够显著提升流体黏度的适用范围与测量精度。
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