公开(公告)号：CN103107068A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310039821.1

申请日：2013-01-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张晨旭 ,  张玉明 ,  张克基 ,  雷天民 ,  胡彦飞

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC与氯气反应的Ni膜退火侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管栅介质导致沟道载流子迁移率降低以及不能有效控制电流传输特性的问题。其实现过程是：(1)清洗SiC样片；(2)在清洗后的SiC样片上淀积SiO2掩模，并在SiO2光刻出侧栅晶体管图形；(3)将光刻后的样片置于石英管中，与Cl2反应生成碳膜；(4)去除SiO2掩模；(5)在碳膜样片上电子束沉积一层Ni膜；(6)将碳膜样片置于Ar气中，退火生成侧栅石墨烯；(7)在石墨烯样片上淀积金属Pd/Au层并刻蚀成侧栅晶体管的金属接触。本发明制作的侧栅石墨烯晶体管载流子迁移率极高，能够精确控制单个晶体管沟道电流，并且避免顶栅石墨烯场效应管顶栅介质的散射效应。

公开(公告)号：CN208026877U

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201820178841.5

申请日：2018-02-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张晨旭 ,  张玉明 ,  王雨田 ,  黄海栗

IPC: G01T7/00

Abstract: 本实用新型涉及一种中子探测器性能测试系统，所述测试系统包括：探测器暗室、中子辐射源、前置放大器、滤波器、锁相放大器、示波器、工控机、稳压电源以及信号发生器；其中，探测器暗室内设置有中子辐射源，中子辐射源对准待测中子探测器，待测中子探测器、前置放大器、滤波器、锁相放大器、示波器以及工控机依次电连接；稳压电源与待测中子探测器102电连接；信号发生器与前置放大器电连接。本实用新型实施例，提供了一套完整的性能测试系统，能够对中子探测器进行多方面参数的检测，有效节省了时间。

公开(公告)号：CN206179886U

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201621186928.4

申请日：2016-10-28

Applicant: 西安电子科技大学 ,  国家电投集团西安太阳能电力有限公司

Inventor： 郭辉 ,  董鹏 ,  张玉明 ,  张晨旭 ,  屈小勇

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型涉及一种具有渐变增透部件的IBC太阳能电池，包括IBC太阳能电池硅基体和渐变折射率增透部件，所述的渐变折射率增透部件设置在IBC太阳能电池硅基体的上表面，所述的渐变折射率增透部件自下而上依次设置第三折射率部、第二折射率部和第一折射率部，所述的第一折射率部的折射率为1.055至1.065，厚度为250nm至300nm；所述的第二折射率部的折射率为1.45至1.46，厚度为125nm至135nm；所述的第三折射率部的折射率为2.45至2.55，厚度为65nm至70nm。该IBC太阳能电池平均反射率降低至6.5％以下，显著降低了对太阳光的反射率，从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN206179875U

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201621186924.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 西安电子科技大学 ,  国家电投集团西安太阳能电力有限公司

Inventor： 郭辉 ,  董鹏 ,  张玉明 ,  张晨旭 ,  屈小勇

IPC: H01L31/0216

Abstract: 本实用新型涉及IBC太阳能电池技术领域，特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池，包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32)，P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)交替布置在N型硅片(10)的背面；所述P+重掺杂区(21)形成在相邻N+重掺杂区(22)之间的凹槽中。该实用新型具有良好的钝化效果，减小了光生载流子的表面复合，N型硅片中少数载流子的漂移距离更小，电池的光电转换效率更高。