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公开(公告)号：CN112054055B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010762526.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
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公开(公告)号：CN112054055A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010762526.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
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公开(公告)号：CN109326682A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810906340.9
申请日：2018-08-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/11
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。
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公开(公告)号：CN116705872A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310681018.1
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种基于光栅结构的高效光导开关光学系统，包括：阳极金属电极、SiC材料衬底、阴极金属电极；阳极金属电极和阴极金属电极分别设置于SiC材料衬底的上表面和下表面；SiC材料衬底的上表面和下表面之一作为光入射面，入射光照射于光入射面内的目标区域；SiC材料衬底的上表面和下表面之另一作为非光入射面，非光入射面包括第一区域和第二区域；设置于非光入射面的金属电极位于第一区域内，第二区域在光入射面的对应区域包括目标区域；第二区域内制备有一系列平行等距的微槽构成的光栅结构。本发明利用光栅的反射作用增强对激光的吸收，避免了现有技术中由于激光长期烧蚀造成反射层寿命过短的问题；通过改变光栅周期等参数，能够进一步提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113314628B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110549953.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种导电沟道日盲光电探测器，包括碳化硅、氧化镓、外延生长石墨烯和电极，所述氧化镓为两层，所述外延生长石墨烯位于两层所述氧化镓之间，所述碳化硅位于其中一层所述氧化镓下，所述电极为两个，两个所述电极与另一层所述氧化镓连接。与现有技术相比，以石墨烯为导电沟道的β‑Ga2O3/外延生长石墨烯/β‑Ga2O3三层式结构。该结构改善了器件的迁移率，从而大大提升了器件的响应速度。本发明具有高响应速度，高光暗电流比，高电子迁移率。结构简单，使用方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517366A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110550031.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用异质结型结构，具有高响应速度，高迁移率，高光暗电流比。本发明在该区域内设置了一层高迁移率的石墨烯，使得二维电子气层与石墨烯层重合，从而达到更高的电子迁移率。以此结构制备的光电探测器会拥有高迁移率，高响应速度，以及高光暗电流比，具有推广应用的价值。
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公开(公告)号：CN113314628A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110549953.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种新型导电沟道日盲光电探测器，包括碳化硅、氧化镓、外延生长石墨烯和电极，所述氧化镓为两层，所述外延生长石墨烯位于两层所述氧化镓之间，所述碳化硅位于其中一层所述氧化镓下，所述电极为两个，两个所述电极与另一层所述氧化镓连接。与现有技术相比，以石墨烯为导电沟道的β‑Ga2O3/外延生长石墨烯/β‑Ga2O3三层式结构。该结构改善了器件的迁移率，从而大大提升了器件的响应速度。本发明具有高响应速度，高光暗电流比，高电子迁移率。结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN112054054B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202010760136.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10‑7～10‑8量级，该制备方法可重复性高。
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公开(公告)号：CN112054054A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010760136.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10‑7～10‑8量级，该制备方法可重复性高。
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公开(公告)号：CN117064536A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310935677.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲细胞消融纳米刀，包括：电源、脉冲发生器、纳秒激光器、连接电路以及脉冲消融电极；电源用于为脉冲发生器提供工作电压；脉冲发生器中包含SiC光导开关；纳秒激光器用于向SiC光导开关照射光脉冲，以使SiC光导开关响应于光脉冲控制脉冲发生器产生上升沿为纳秒级、脉冲幅度为千伏量级的纳秒级高压脉冲电场，纳秒级高压脉冲电场通过连接电路进入脉冲消融电极；脉冲消融电极通过输出纳秒级高压脉冲电场实现细胞消融。本发明极大地缩短了细胞消融时间，并减小了消融过程中加在健康组织上的热量，大大提高了整个消融过程的安全性﹑高效性和精确性。
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