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公开(公告)号：CN104911691B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510177748.3
申请日：2015-04-15
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界:当籽晶的侧面晶向为 时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非 晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。
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公开(公告)号：CN103952754A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410160053.X
申请日：2014-04-21
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 一种类单晶硅锭制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：在坩埚底部铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，所述单晶硅籽晶为 晶相；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全融化；以及控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶层上沿 晶向结晶生长，制备得到类单晶硅锭。本发明还提供两种切割所述类单晶硅锭制备类单晶硅片的方法，本发明利用 晶相的单晶硅籽晶生长获得位错面积小的类单晶硅锭，并通过选择合适的切割方向，切割得到〈100〉晶向的类单晶硅片，提高了材料的使用率和生产效率。
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公开(公告)号：CN102721697B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210171066.8
申请日：2012-05-29
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种晶体硅位错的检测方法，包括如下步骤：（1）取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；（2）采用高清成像系统对待检测晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；（3）根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值。另，本发明还公开了一种晶体硅位错的检测系统。采用本发明提供的晶体硅位错检测方法及检测系统，可对大尺寸的晶体硅直接进行检测，并能得到直观的位错结果，该检测方法简单可靠，为观察晶体硅的位错提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN103074669A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310033073.6
申请日：2013-01-29
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括：（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在微晶形核层上方填装硅料，加热使硅料熔化，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。该制备方法能够得到位错密度低、高质量的多晶硅锭，并且所使用的微晶形核层尺寸、形状不限，便于操作，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN105603507B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610077283.9
申请日：2016-02-03
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设第一硅材料，所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层；然后在所述第一保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；再在所述籽晶层上铺设第二硅材料，形成第二保护层。通过铺设第一保护层和第二保护层来保护籽晶，第一保护层阻隔坩埚底部杂质扩散，第二保护层阻隔硅料及坩埚中杂质气氛的杂质扩散，这二层保护层保护所述籽晶避免受到杂质的污染。本发明还提供了一种类单晶硅片及其制备方法。本发明提供的类单晶硅片位错较少、少子寿命较高，适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN106395829A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610816363.1
申请日：2016-09-12
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/02 , C30B28/06 , C30B29/06 , C01B21/068
CPC分类号： C01B33/02 , C01B21/0682 , C01P2004/50 , C01P2004/60 , C01P2006/14 , C01P2006/17 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种硅粉处理的方法，包括以下步骤：向纳米或微米级的硅粉原料中添加pH值为7.1-10.0的碱溶液，充分搅拌后静置以形成硅粉聚集体，其中，所述碱溶液的质量与硅粉原料的质量比为1:(1-5)；待体系温度降至室温，取出所述硅粉聚集体。所述硅粉聚集体可以直接用作生产氮化硅的原料，也可以进行研磨、筛选后得到粒径为毫米级的目标硅粉，以用于铸造多晶硅锭的形核剂。
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公开(公告)号：CN105755537A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610230120.X
申请日：2016-04-14
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；在第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内热场形成过冷度，并控制坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明方法能有效降低硅锭边部区域的硅晶体缺陷密度和杂质含量，提高硅锭的整体质量。本发明还提供了由该方法制备得到的多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN103952756B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410192435.0
申请日：2014-05-08
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法，所述拼接方法采用无机粘结剂将相邻籽晶粘连拼接在一起形成籽晶层；所述无机粘结剂填充在所述籽晶层中籽晶与籽晶的拼接缝隙处，将所述籽晶层用于类单晶硅铸锭，可以有效避免铸锭过程中籽晶拼接缝隙处多晶和位错缺陷的产生，有利于获得缺陷少、转换效率高的类单晶硅锭，获得全单晶硅片的比例大幅提高。本发明还提供了一种设置有籽晶层的铸锭用坩埚，适用于高质量类单晶硅的大规模生产。
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公开(公告)号：CN105442042A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610071516.4
申请日：2016-02-02
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，包括坩埚、围绕在所述坩埚外壁四周且与所述坩埚外壁紧密接触的护板以及盖住所述护板围成的口部的盖板，所述护板远离坩埚的外表面和所述盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层。所述涂层能与铸锭炉中的碳反应，能够降低铸锭炉中的碳含量，从而降低进入多晶硅锭中碳的含量。本发明还提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉的制备方法，通过在所述护板的外表面和盖板外表面刷涂或喷涂能与碳反应的涂层，从而降低铸锭炉中的碳含量，制备方法简单易操作。
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公开(公告)号：CN102759695B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210237553.X
申请日：2012-07-10
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种判断硅块质量的方法，包括：扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图；分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。本发明实施例还公开了一种判断硅块质量的装置。采用本发明，可以更准确地判断硅块的整体质量，有效地减少低效硅片的产出。
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