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公开(公告)号：CN102776556A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210096255.3
申请日：2012-04-01
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用本发明方法制备的多晶硅锭位错少，该制备方法尤其适用于大尺寸高硅锭的铸造。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101613878A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910151828.6
申请日：2009-06-23
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明涉及硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法。本发明将颗粒直径在0.1微米－100微米的硅粉冷等静压或热等静压成0.2克－2000000克的填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中；冷等静压的静压技术参数范围为：10－800MPa；热等静压的静压技术参数范围为：10－800MPa；温度技术参数范围为：30－1400℃。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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公开(公告)号：CN101613877A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910151827.1
申请日：2009-06-23
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压参数为0.1－50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％－99.9999999％。该原料硅块可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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公开(公告)号：CN103074669A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310033073.6
申请日：2013-01-29
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括：（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在微晶形核层上方填装硅料，加热使硅料熔化，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。该制备方法能够得到位错密度低、高质量的多晶硅锭，并且所使用的微晶形核层尺寸、形状不限，便于操作，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101717990A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810107257.1
申请日：2008-10-10
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
CPC分类号： C01B33/037 , C30B13/00 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区域熔炼法中的应用以及制备方法。该高纯硅棒采用纯度在99.9999％-99.9999999999％的硅粉经过等静压方法压制成直径为20mm-300mm的硅棒，原料硅棒所采用的硅粉原料的颗粒直径在0.1微米-100微米，该原料硅棒的密度为1.60-2.29克/立方厘米，该原料硅棒的抗压参数为0.1-50MPa，该原料硅棒的纯度在99.999％-99.9999999999％，该原料硅棒密度均匀，密度均匀表现在该硅块的任意截面上的任意两点的密度相差幅度在0-18％，该高纯多晶硅棒有良好抗压性能，可以直接作为区域熔炼法单晶硅的供料棒使用。
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公开(公告)号：CN101623672A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810136298.3
申请日：2008-11-26
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： B03C7/00
摘要： 本发明涉及一种硅料的分选方法，特别是一种混有杂质的硅料分选方法，本发明技术方案为：一种混有杂质的硅料的分选方法，其中：硅料的电阻率是0.0001-100Ω.cm，通过电选将杂质与硅料分离。所述的杂质可以是石英、胶带、灰尘、碳化硅中的任意一种。混有杂质的硅料通过在电场中带电或其他方法带电后，因硅料与石英、胶带、灰尘、碳化硅等杂质的电阻率差异较大，可以在电选设备的不同分离区域分开。利用本发明实现了混有杂质的硅料分选的自动化生产，大大地减少了人力消耗，改善了硅料分选的工作环境，不仅大幅度提高了硅料分选效率，同时还可以将切割砂浆中的硅粉分选回收，回收后得到的硅粉可以直接用作制备太阳能级硅片的硅原料。
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公开(公告)号：CN102776556B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210096255.3
申请日：2012-04-01
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用本发明方法制备的多晶硅锭位错少，该制备方法尤其适用于大尺寸高硅锭的铸造。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN103074669B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310033073.6
申请日：2013-01-29
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在微晶形核层上方填装硅料，加热使硅料熔化，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。该制备方法能够得到位错密度低、高质量的多晶硅锭，并且所使用的微晶形核层尺寸、形状不限，便于操作，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101613878B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910151828.6
申请日：2009-06-23
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明涉及硅粉在单晶炉或多晶炉中的应用方法。本发明将颗粒直径在0.1微米-100微米的硅粉冷等静压或热等静压成0.2克-2000000克的填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中；冷等静压的静压技术参数范围为：10-800Mpa；热等静压的静压技术参数范围为：10-800MPa；温度技术参数范围为：30-1400℃。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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公开(公告)号：CN102776561A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210096291.X
申请日：2012-04-01
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。
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