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公开(公告)号：CN109148458A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810990420.7
申请日：2018-08-28
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请公开了一种3D NAND存储器件的金属栅极的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠结构以及贯穿层叠结构的栅线缝隙，通过栅线缝隙去除牺牲层的部分，使其向远离栅线缝隙方向缩进，使得绝缘层的对应部分露出，然后处理绝缘层的露出部分，使得绝缘层在靠近栅线缝隙的部分的厚度小于远离栅线缝隙的部分，然后去除剩余的牺牲层形成镂空区域，向所述镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。通过该方法能够控制开口形貌，使得开口区域较大，进而使得金属介质得以充分填充，降低金属栅极产生缝隙的概率，避免残留在缝隙中的含氟气体侵蚀器件，提高了器件性能。本申请还公开了一种3D NAND存储器件。
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公开(公告)号：CN210296317U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921649253.6
申请日：2019-09-29
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型提供一种刻蚀装置，其包括一刻蚀槽及一磁场产生装置，所述刻蚀槽内能够盛放磷酸刻蚀溶液，所述磁场产生装置能够产生交变磁场，所述交变磁场施加在所述刻蚀槽内的磷酸刻蚀溶液上，以增加刻蚀副产物的运动活性。本实用新型的优点在于，在刻蚀槽内的刻蚀溶液上施加交变磁场，加速刻蚀副产物的运动活性，形成类似搅拌的效果，加速刻蚀副产物的扩散，从而避免刻蚀副产物在隔离层表面沉积而影响后续工艺的进行。
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公开(公告)号：CN218348429U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202222012368.2
申请日：2022-08-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： F17D1/02 , F17D3/01 , H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 公开了一种化学槽，包括：第一槽体；气体输入组件；以及气体辅助输入组件；气体输入组件包括：出气管，位于第一槽体底部，且沿第一方向延伸，出气管远离第一槽体槽底面的一侧开设有出气孔；以及进气管，位于第一槽体的一侧侧壁处，且与第一槽体的侧壁平行，进气管在出气管的第一端与出气管连通；气体辅助输入组件至少包括辅助出气管，辅助出气管位于第一槽体底部且沿第二方向延伸，辅助出气管远离槽底面的一侧开设有出气孔；其中，第一方向和第二方向相互交叉，出气管的第一段和第二端相对。本实用新型的化学槽设置气体辅助输入组件，以对出气管两端的出气压力进行补偿，解决在出气管的两端，晶圆的刻蚀速率的差异问题。
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公开(公告)号：CN217989136U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221438718.5
申请日：2022-06-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请提供了一种晶圆的处理设备以及半导体处理系统，该晶圆的处理设备包括：处理装置，包括壳体以及第一处理腔，第一处理腔位于壳体中，第一处理腔用于放置待处理的晶圆；混合装置，包括第一入口、第二入口以及出口，其中，出口与处理装置的入口连通，第一入口为预定气体的入口，第二入口为液体处理剂的入口。该晶圆的处理设备使得进入处理装置中的混合物中，预定气体和液体处理剂的混合较为均匀，从而使得预定气体能够更好地带动液体流动，进而使得液体处理剂对晶圆时的片内的均匀性较好，当同时处理多个晶圆时，也能保证不同的晶圆的处理效果较为一致，保证了晶圆与晶圆之间的均匀性较好。
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公开(公告)号：CN208819881U
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201821577841.9
申请日：2018-09-26
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11578
摘要： 本申请公开了一种3D NAND存储器，该3D NAND存储器的堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的第一沟道层，其中，所述第一沟道层的底部设置有第一开口，所述存储器层的底部设置有第二开口，其中，第二开口是在干法刻蚀形成第一开口之后，通过湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺形成的。因湿法腐蚀工艺和气体刻蚀工艺均具有各向同性的特点，因此，第二开口的口径大于第一开口的口径，如此，该开口较大的第二开口有利于后续沉积的第二沟道层与沟道孔底部的外延结构的连接，进而有利于提高3D NAND存储器的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215815802U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202122036107.X
申请日：2021-08-26
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型提供一种湿法刻蚀设备，其包括：反应腔，下部设置有至少一进液口；第一加热装置，设置在所述反应腔外，用于加热刻蚀溶液，加热后的刻蚀溶液能够经所述进液口进入所述反应腔；第二加热装置，设置在所述反应腔上方，用于加热所述反应腔内的刻蚀溶液。本实用新型的优点在于，湿法刻蚀设备利用第一加热装置及第二加热装置实现对刻蚀溶液的加热，在提高刻蚀溶液温度的同时能够缩小所述反应腔下部与上部刻蚀溶液温度上升速率的差异，平衡反应腔上部及下部刻蚀溶液的温差，进而在提高刻蚀速率的同时提高刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN213093176U
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202022351143.0
申请日：2020-10-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供一种晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备，晶圆刻蚀装置包括刻蚀槽和气体输入件，刻蚀槽包括底壁和多个侧壁，多个侧壁围合底壁而形成容纳空间，容纳空间用于容置刻蚀液和晶圆；气体输入件包括相互连通的进气部和出气部，进气部用于向出气部输入气体，出气部位于容纳空间内，出气部开设有背向底壁的多个出气孔，出气部的延伸方向为第一方向，在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大。通过设置在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大，逐渐增大的孔径可以对末端出气孔的流量不足作出补偿，化学均匀性较高，使得不同位置的晶圆的刻蚀程度相同，同时反应副产物的扩散效率较高，不容易堆积于蚀刻槽，降低了残留风险。
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公开(公告)号：CN210349786U
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201921419610.X
申请日：2019-08-28
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型公开了一种批处理清洗机，包括制程槽，第一进酸管路和第二进酸管路，其特征在于，所述第一进酸管路和第二进酸管路平行地设置在所述制程槽的底部且分别与所述制程槽的底部平行，以使得进入所述制程槽的清洗液相向平行地流动。本实用新型的批处理清洗机通过从两侧供酸可以减少晶圆与晶圆之间的浓度梯度和温度梯度，能够增加制程槽内的清洗液的均匀性和稳定性，因此提高晶圆的良率。
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