公开(公告)号：CN113937104A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111115804.2

申请日：2021-09-23

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  郑晓芬 ,  张丝柳

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： 本申请实施例提供一种存储器及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；其中，所述存储器具有贯穿所述堆叠结构的栅缝隙；所述栅电极层通过所述栅缝隙侧壁和底部的导电材料连通；在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料；去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料；去除剩余所述绝缘材料；去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层。

公开(公告)号：CN110684535B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201910917946.7

申请日：2019-09-26

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 徐融 ,  苏界 ,  孙文斌

IPC分类号： C09K13/06

摘要： 本发明提供一种磷酸刻蚀溶液，其包括磷酸刻蚀剂及硅刻蚀抑制剂，所述硅刻蚀抑制剂包括还原性添加剂。所述磷酸刻蚀溶液能够避免外延硅层被刻蚀，进而提高存储器的性能。

公开(公告)号：CN109216367A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810982981.2

申请日：2018-08-27

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  徐融 ,  顾立勋 ,  杨永刚 ,  蒋阳波 ,  孙文斌

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： 本发明涉及一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向相互堆叠的牺牲层和绝缘层；刻蚀所述堆叠结构至衬底表面，形成栅线隔槽；采用湿法刻蚀工艺，沿所述栅线隔槽去除所述牺牲层；其中，所述湿法刻蚀工艺包括：第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，所述第二刻蚀阶段位于所述第一刻蚀阶段之后，所述第一刻蚀阶段的刻蚀液中的Si浓度小于第二刻蚀阶段的刻蚀液中的Si浓度。上述半导体结构的形成方法有利于提高半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN109192680A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810982766.2

申请日：2018-08-27

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  徐融 ,  顾立勋 ,  杨永刚 ,  蒋阳波 ,  孙文斌

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67075 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67265

摘要： 本发明涉及一种化学液槽装置，包括：化学液槽体，用于盛放化学液；循环单元，包括连接所述化学液槽体的循环管路，所述循环管路一端连接至所述化学液槽体的溶液输出端，另一端连接至所述化学液槽体内的喷嘴，化学液自所述化学液槽体的溶液输出端流出，经过所述循环管路后通过所述喷嘴喷出而进入所述化学液槽体内；浓度调整单元，包括支管路，所述支管路的输入端和输出端分别通过三通阀连接至所述循环管路，且所述支管路的路径上设置有离子源容器，所述离子源容器两端与所述支管路连通，用于放置离子源物质。所述化学液槽装置能够自动调整化学液内的杂质离子浓度。

公开(公告)号：CN109742082B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201910002423.X

申请日：2019-01-02

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  徐融 ,  孙文斌

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

摘要： 本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，所述绝缘层的厚度自衬底表面向上逐渐变大；刻蚀所述堆叠结构至衬底表面，形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；采用湿法刻蚀工艺，沿所述栅线隔槽，去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述湿法刻蚀工艺对所述绝缘层的刻蚀量自衬底表面向上逐渐增大，所述绝缘层厚度的变化用于抵消对所述绝缘层的刻蚀量的变化。所述方法形成的存储器的绝缘层厚度均匀，有利于提高产品良率。

公开(公告)号：CN109148458B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201810990420.7

申请日：2018-08-28

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 徐融 ,  孙文斌 ,  苏界 ,  顾立勋 ,  杨永刚 ,  蒋阳波

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： 本申请公开了一种3D NAND存储器件的金属栅极的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠结构以及贯穿层叠结构的栅线缝隙，通过栅线缝隙去除牺牲层的部分，使其向远离栅线缝隙方向缩进，使得绝缘层的对应部分露出，然后处理绝缘层的露出部分，使得绝缘层在靠近栅线缝隙的部分的厚度小于远离栅线缝隙的部分，然后去除剩余的牺牲层形成镂空区域，向所述镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。通过该方法能够控制开口形貌，使得开口区域较大，进而使得金属介质得以充分填充，降低金属栅极产生缝隙的概率，避免残留在缝隙中的含氟气体侵蚀器件，提高了器件性能。本申请还公开了一种3D NAND存储器件。

公开(公告)号：CN110544695A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910857639.4

申请日：2019-09-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  顾立勋 ,  徐融 ,  孙文斌 ,  罗佳明

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568

摘要： 本发明提供了一种三维存储器的制造方法，具体包括：提供衬底，衬底上的堆叠层中具有沿衬底高度方向贯穿整个堆叠层的沟道通孔，沟道通孔的底部形成有硅外延结构，沟道通孔的侧壁和硅外延结构的上表面依次形成有第一氧化层、氮化层、第二氧化层和保护层；刻蚀硅外延结构上表面上的保护层，以形成暴露第二氧化层的缺口；经由缺口采用第一湿法工艺刻蚀第二氧化层；采用第二湿法工艺刻蚀氮化层；以及采用第三湿法工艺刻蚀第一氧化层，以暴露硅外延结构，其中第一湿法工艺和第三湿法工艺采用相同的腐蚀剂，不同于第二湿法工艺采用的腐蚀剂。根据本发明所提供的制造方法能够形成不影响周围器件的沟道通孔底部结构，以保证器件的电特性能良好。

公开(公告)号：CN116686400A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180019739.5

申请日：2021-11-10

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 刘思敏 ,  霍宗亮 ,  徐伟 ,  许波 ,  郭亚丽 ,  陈斌 ,  张丝柳 ,  苏界

IPC分类号： H10B43/10

摘要： 本申请公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：在衬底(110)上形成包括交替堆叠的电介质层(121)和牺牲层(122)的叠层结构(120)；形成贯穿叠层结构(120)的栅线缝隙(161)；以及经由栅线缝隙(161)，对靠近栅线缝隙(161)的部分电介质层(121)及牺牲层(122)进行刻蚀，以形成凹槽(162)，其中，凹槽(162)的底部位于牺牲层(122)中，并且在垂直于衬底(110)方向上，凹槽(162)尺寸的最小值大于等于对应的牺牲层(122)的尺寸。通过上述方法制作的三维存储器，在一定程度上避免了栅极层短接和栅极层断路的问题，提高了存储器的可靠性。

公开(公告)号：CN110544695B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201910857639.4

申请日：2019-09-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  顾立勋 ,  徐融 ,  孙文斌 ,  罗佳明

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568

摘要： 本发明提供了一种三维存储器的制造方法，具体包括：提供衬底，衬底上的堆叠层中具有沿衬底高度方向贯穿整个堆叠层的沟道通孔，沟道通孔的底部形成有硅外延结构，沟道通孔的侧壁和硅外延结构的上表面依次形成有第一氧化层、氮化层、第二氧化层和保护层；刻蚀硅外延结构上表面上的保护层，以形成暴露第二氧化层的缺口；经由缺口采用第一湿法工艺刻蚀第二氧化层；采用第二湿法工艺刻蚀氮化层；以及采用第三湿法工艺刻蚀第一氧化层，以暴露硅外延结构，其中第一湿法工艺和第三湿法工艺采用相同的腐蚀剂，不同于第二湿法工艺采用的腐蚀剂。根据本发明所提供的制造方法能够形成不影响周围器件的沟道通孔底部结构，以保证器件的电特性能良好。

公开(公告)号：CN114446987A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210114496.X

申请日：2022-01-30

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 张丝柳 ,  苏界 ,  郎陆广

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

摘要： 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供具有器件区和参考区的衬底，器件区包括第一本体结构以及栅线狭缝，第一本体结构包括沿第一方向交替叠置的牺牲层和绝缘介质层；参考区包括第一阻挡部以及第二本体结构，第二本体结构包括沿第二方向交替叠置的牺牲部和第二阻挡部；将牺牲层的材料以及牺牲部的材料替换为导电材料，形成多个第一导电层以及多个第二导电层；去除部分的导电材料，使得第一导电层的裸露表面低于绝缘介质层的靠近栅线狭缝的表面，形成多个第一凹槽，使得第二导电层的预定表面低于第二阻挡部的预定表面，形成多个第二凹槽。该方法解决现有技术中难以监测每片晶圆的栅线狭缝里凹槽的尺寸的问题。