半导体激光装置
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106104948A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201580013164.0

    申请日:2015-03-03

    发明人: 郑宇进 菅博文

    IPC分类号: H01S5/14

    摘要: 本发明所涉及的半导体激光装置具备:半导体激光阵列,出射慢轴方向的发散角为θs(>4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成;第1光学元件,在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层;第2光学元件,在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层;第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置,第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。

    一种原子-腔耦合产生高阶横模的方法及装置

    公开(公告)号:CN105375250A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510865615.5

    申请日:2015-12-02

    申请人: 山西大学

    IPC分类号: H01S3/08

    CPC分类号: H01S3/0804

    摘要: 本发明提供了一种原子-腔耦合产生高阶横模的方法及装置。本发明解决了传统的通过倾斜谐振腔腔镜或光线传播方向产生高阶横模的问题。该发明如下:在由原子汽室和驻波腔耦合的系统中,当一对强的相干耦合场对射穿过腔内原子介质时,腔内介质对弱的腔模场的折射率产生调制,从而诱发高阶横模的产生。该发明装置如下:由半导体激光器、光隔离器、半波片、偏振分光棱镜、全反镜、凸透镜,平凹镜,铯原子气室组成高阶横模激光产生系统。本发明适用于制备基于碱金属原子吸收线附近的空间高阶横模关联光场的种子光源、利用高阶横模进行微小位移的精确测量、激光冷却与光学俘获、量子信息存储等研究领域。