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    半导体激光装置
    1.
    发明公开
    半导体激光装置 失效

    公开(公告)号：CN106104948A

    公开(公告)日：2016-11-09

    申请号：CN201580013164.0

    申请日：2015-03-03

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 郑宇进 ,  菅博文

    IPC: H01S5/14

    CPC classification number: H01S5/4062 ,  H01S3/0804 ,  H01S3/08081 ,  H01S3/0815 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/42

    Abstract: 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。

    硅发光元件
    3.
    发明授权
    硅发光元件 失效

    公开(公告)号：CN102210029B

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN200980144433.1

    申请日：2009-09-08

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 楚树成 ,  菅博文

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/32

    CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/025

    Abstract: 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。

    半导体光电阴极
    4.
    发明公开
    半导体光电阴极 无效

    公开(公告)号：CN101192491A

    公开(公告)日：2008-06-04

    申请号：CN200710196170.1

    申请日：2007-11-29

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 新垣实 ,  中嶋和利 ,  广畑彻 ,  菅博文

    IPC: H01J1/34

    CPC classification number: H01L31/1035 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

    Abstract: 一种半导体光电阴极，包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层作为光吸收层而起作用，第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度，使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层压在第一III－V族化合物半导体层上。另外，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。

    无源Q开关激光装置
    5.
    发明公开
    无源Q开关激光装置 有权

    公开(公告)号：CN101010839A

    公开(公告)日：2007-08-01

    申请号：CN200580029865.X

    申请日：2005-09-06

    Applicant: 大学共同利用机关法人自然科学研究机构 ,  浜松光子学株式会社

    Inventor： 酒井博 ,  菅博文 ,  平等拓范

    IPC: H01S3/113

    CPC classification number: H01S3/113 ,  H01S3/0014 ,  H01S3/0621 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/10061

    Abstract: 激光装置(10)具备：激光介质(11)，其配置在构成光共振器(12)的一对反射机构(12A、12B)间，同时被激发而放出光；可饱和吸收体(14)，其配置在上述一对反射机构间在光共振器(12)的光轴(L)上，同时伴随着吸收来自激光介质的放出光(21)而增加透射率；激发光源部(13)，其输出激发激光介质的波长的光(22)。上述可饱和吸收体(14)是具有互相垂直的第1～第3晶轴的晶体，被配置在光共振器(12)内以使其分别互相垂直的2个偏光方向的放出光而具有不同的透射率。此时，激光振荡相对于透射率更大的偏光方向的放出光而产生，结果得到偏光方向稳定的激光。

    光纤激光器装置
    7.
    发明公开
    光纤激光器装置 失效

    公开(公告)号：CN1689202A

    公开(公告)日：2005-10-26

    申请号：CN03806206.2

    申请日：2003-06-20

    Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  植田宪一 ,  白川晃

    Inventor： 白川晃 ,  植田宪一 ,  菅博文 ,  宫岛博文

    IPC: H01S3/067 ,  H01S3/07 ,  H01S3/082

    CPC classification number: H01S3/2383 ,  H01S3/067 ,  H01S3/06708

    Abstract: 本发明提供的一种光纤激光器装置(1)，具有用激励光激励芯(2a、3a)内的激光活性物质使激光发生、使激光在芯(2a、3a)内传播、从端部(2c、3c)输出的多个光纤激光器(2、3)，其特征在于，各光纤激光器(2、3)，在两端部(2b、2c、3b、3c)具有反射激光的谐振器(4、5)，同时形成使芯(2a、3a)的一部分直径细化的结构，并使各芯(2a、3a)的直径细化部分接近，利用例子来自芯(2a、3a)内的激光，在谐振器(4、5)内实施注入同步。采用该光纤激光器装置(1)，使芯(2a、3a)间相互接近，利用从芯(2a、3a)透出的激光使其实现注入同步，以这样的简单构成，可实现相加效率非常高的，激光器间的相干相加。

    透射型二次电子面及电子管
    8.
    发明公开
    透射型二次电子面及电子管 无效

    公开(公告)号：CN1639822A

    公开(公告)日：2005-07-13

    申请号：CN03804924.4

    申请日：2003-02-24

    Applicant: 浜松光子学株式会社

    Inventor： 新垣实 ,  内山昌一 ,  菅博文

    IPC: H01J1/32 ,  H01J43/22 ,  H01J31/12 ,  H01J31/50

    CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/32 ,  H01J29/023 ,  H01J29/482 ,  H01J31/506 ,  H01J43/22

    Abstract: 本发明的透射型二次电子面，包括下列构成部分，即由金刚石或以金刚石为主要成分的材料所形成的二次电子射出层(1)；加强二次电子射出层(1)的机械强度的支持框(21)；与二次电子射出层(1)的入射面相对设置的第一电极(31)；以及与二次电子射出层(1)的出射面相对设置的第二电极(32)。而且，二次电子射出层(1)的入射面和出射面两者间加上有电压，在二次电子射出层(1)内部形成有电场。一旦一次电子入射从而在二次电子射出层(1)内部有二次电子生成，二次电子便被二次电子射出层(1)内部形成的电场向出射面方向加速，射出至透射型二次电子面的外部。以此可实现一种可相对于一次电子的入射高效率地使二次电子射出的透射型二次电子面以及使用它的电子管。

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