公开(公告)号：CN108718032A

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201810478523.5

申请日：2018-05-18

申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司

发明人： 朱洪亮 ,  黄永光

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/34 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/34

摘要： 本发明公开了一种整片制作和测试边发射光器件的方法，步骤如下：S1，在晶圆衬底上外延生长多量子阱（MQW）结构和光器件材料结构；S2，在光器件材料结构片上刻制沟槽，形成若干光器件单元；S3，在光器件单元内刻制光波导条，然后生长绝缘介质，并在光波导条两边的沟槽内填充低折射率聚合物；S4，制作正面电极并金属化；S5，在光器件单元的出光端蒸镀减反射膜、背光端蒸镀高反射膜；S6，对晶圆衬底背面制作背面电极并金属化；S7，对晶圆衬底上的光器件单元进行整片在线测试和筛选；S8，切割晶圆衬底，裂解光器件单元，进行后续封装。本发明将沟槽底部刻制成减反射面，避免了凹沟槽底部反射光对器件性能的影响，减少沟槽刻蚀深度，节约刻蚀时间。

公开(公告)号：CN108666865A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810434917.0

申请日：2018-05-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 陆培祥 ,  胡宏波 ,  王凯 ,  龙华 ,  王兵

IPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方法及制备方法，结构依次包括：透明基底，位于透明基底上的多层介质膜，位于多层介质膜表面的半导体纳米结构，覆盖于半导体纳米结构上的透明介质薄膜以及位于透明介质薄膜上的金属薄膜；半导体纳米结构用于形成金属薄膜表面纳米尺度的缺陷，并产生荧光信号以激发金属SPPs；透明基底和多层介质膜构成双色镜衬底，双色镜衬底对激光高透且对荧光高反；激发方法包括：将波长相对较短的激光透过双色镜衬底后垂直入射到所述半导体纳米结构上，以激发半导体纳米结构产生波长相对较长的单光子荧光信号，进而由荧光信号激发金属薄膜的SPPs。本发明能够提高SPPs的激发效率并降低SPPs的探测难度和探测成本。

公开(公告)号：CN108023272A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610971330.4

申请日：2016-11-03

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 黎华 ,  万文坚 ,  曹俊诚

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  G01N21/3586 ,  G01N21/3504

CPC分类号： H01S5/06 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3586 ,  H01S5/10

摘要： 本发明提供一太赫兹量子级联激光器系统，包括直流源；与其连接的T型偏置器，用于将偏置信号提供给所述激光器，及耦合所述激光器的拍频信号并将该信号引出到环形器；或将偏置信号与射频信号叠加输入所述激光器；与T型偏置器一端连接的环形器，用于隔离射频、拍频信号；与环形器一端连接的频率检测装置，用于检测拍频信号频率；与环形器另一端连接的射频源，用于提供与拍频信号频率相等的射频信号；及与T型偏置器另一端连接的所述激光器，用于产生拍频信号及宽光谱的太赫兹波。通过本发明的太赫兹量子级联激光器系统、气体鉴定系统及方法，解决了现有技术中太赫兹量子级联激光器的光谱范围较窄，无法快速准确地检测出被测气体样品特征谱的问题。

公开(公告)号：CN104319625B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410563205.0

申请日：2010-08-25

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 克里斯蒂安·劳尔 ,  阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯

IPC分类号： H01S5/10

CPC分类号： H01S5/0655 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

摘要： 提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10)的表面(5)延伸到第二包层(1B)中，由与第二包层(1B)的半导体材料不同的半导体材料所组成的至少一个第一中间层(11)嵌入到第二包层(1B)中，并且凹槽(7)从半导体本体(10)的表面(5)至少部分地延伸至第一中间层(11)中。

公开(公告)号：CN106785903A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201510801017.1

申请日：2015-11-19

申请人： 苏州旭创科技有限公司

发明人： 李伟龙 ,  张永干 ,  常江 ,  苏奎 ,  孙雨舟 ,  杜颖超

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/024 ,  H01S5/06

CPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/024 ,  H01S5/06

摘要： 本申请揭示了一种谐振腔，所述谐振腔包括对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于第一反射结构和第二反射结构之间的增益单元，所述增益单元包括对光线进行放大的增益结构和对光程进行补偿的温度补偿结构，所述增益结构和温度补偿结构分别采用正温度系数材料和负温度系数材料制成，所述温度补偿结构通过对光程进行补偿来维持射出谐振腔的光线的波长保持不变。本申请中采用负温度系数材料作为补偿能使得谐振腔在不同温度下保持波长稳定；绝热激光器中谐振腔增益单元的有效折射率不会变化，进而光程保持不变，激光器的输出波长不会随着温度漂移。

公开(公告)号：CN103975490B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280059153.2

申请日：2012-11-19

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 克里斯蒂安·劳尔 ,  哈拉尔德·柯尼希 ,  乌韦·施特劳斯 ,  亚历山大·巴赫曼

IPC分类号： H01S5/024 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/042 ,  H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02469 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2054

摘要： (24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向提出一种具有下述特征的半导体激光二极 和/或侧向方向变化。管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的

公开(公告)号：CN106067656A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610404270.8

申请日：2016-06-08

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 徐天鸿 ,  黎华 ,  曹俊诚

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/24 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S3/10

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S3/10007 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/24

摘要： 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。

公开(公告)号：CN105449516A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511022234.7

申请日：2015-12-30

申请人： 山东华光光电子有限公司

发明人： 殷方军 ,  李沛旭 ,  苏建 ,  蒋锴 ,  徐现刚

IPC分类号： H01S5/068 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/068 ,  H01S5/10

摘要： 一种调整半导体激光器波长的方法，包括以下步骤：（1）将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条；（2）将巴条放入镀膜机中，镀膜机抽真空后对巴条烘烤；（3）达到步骤（2）中所述烘烤温度和真空度后，在巴条前腔面蒸镀增透膜，改变前腔面的反射率；（4）在后腔面上蒸镀高反膜，交替蒸镀光学厚度为λ/4的高低折射率镀膜，λ为半导体激光器的波长，使后腔面反射率大于98%。该方法可以主动双向调节半导体激光器波长，工艺简单，易于实现，可以在一定范围内调整半导体激光器的波长，提高了半导体激光器波长的对档率。

公开(公告)号：CN103222137B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180047881.7

申请日：2011-10-25

申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司

发明人： A·贝法尔 ,  C·斯塔盖瑞斯库

IPC分类号： H01S5/20

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313

摘要： 通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。

公开(公告)号：CN102986098B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180032578.X

申请日：2011-06-16

申请人： 阿尔卡特朗讯

发明人： 罗曼·布勒诺 ,  弗朗西斯·普安

IPC分类号： H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H04B10/291

CPC分类号： H04B10/2971 ,  H01S3/2333 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/5027 ,  H04B10/291

摘要： 本文献涉及无源光学网络PON。更特定但不专有地说，其涉及将反射式半导体光学放大器RSOA用于放大千兆位(Gigabit)无源光学网络GPON或波分多路复用无源光学网络WDM-PON中的信号。描述经配置以放大光学网络内不同波长的光的设备(21)。所述设备(21)包括经配置以放大第一波长(25)的光的第一活性材料(22)和经配置以放大第二波长(26)的光的第二活性材料(23)。此外，所述设备(21)包括使所述第一和第二活性材料(22，23)分开的第一反射镜(24)，所述反射镜(24)经配置以反射所述第一波长(25)的光且经配置以对所述第二波长(26)的光大体上透射。此外，所述设备包括与所述第一反射镜(24)相对的邻近所述第二活性材料(23)的第二反射镜(27)，所述第二反射镜(27)经配置以反射所述第二波长(26)的光。