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公开(公告)号：CN101499322B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910002003.8
申请日：2009-01-08
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 都筑孝夫
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/372 , H01L29/768 , G11C19/28
CPC分类号： H01L29/76816 , G11C19/282 , H04N5/363 , H04N5/37213
摘要： 提供一种CCD装置及驱动方法，针对扩散层的电势偏差等抑制复位馈通噪声。CCD构造的电荷传输寄存器经由输出栅极(2)连接到电荷检测部(3)，在所述电荷检测部(3)与复位漏极(5)之间具有复位栅极(4)，对所述输出栅极(2)施加与施加给复位栅极(4)的复位脉冲反相的输出栅极脉冲，包括虚拟电荷检测部(7)和振幅调整电路(8)，振幅调整电路(8)根据虚拟电荷检测部(7)的扩散层的电势检测结果，控制施加给输出栅极(2)的输出栅极脉冲的振幅。
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公开(公告)号：CN102811321A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210241018.1
申请日：2012-07-12
申请人： 天津大学
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/363 , H04N5/378
摘要： 本发明涉及金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。为大幅降低3T像素的kTC噪声，结合3T像素自身的优势，使TDI型CMOS图像传感器可以获得较好的成像效果，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，低噪声3T像素CMOS图像传感器，像素阵列具有N行像素和1行伪像素，1行伪像素不进行感光且输出恒定的电压；在整个N+1行像素阵列中，伪像素位于第1行或第N+1行；像素阵列的各列是同时操作的；累加器阵列具有N行累加器，列数与像素阵列相同；累加器各列也是同时操作的。本发明主要应用于图像传感器的设计制造。
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公开(公告)号：CN101707667B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910226424.9
申请日：2004-12-24
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H04N5/363 , H04N5/3575 , H04N5/378
摘要： 一种成像装置，包括：多个像素，所述像素的每个均具有光电转换部分和放大设备；具有第一模式和第二模式的读取部分，在第一模式中，通过复位所述放大设备的输入部分获得的信号通过所述放大设备被读取多次，在第二模式中，在光电转换部分中产生的光电转换信号通过所述放大设备从同一像素中读取多次；混合部分，用来混合从所述放大设备以所述第一模式读取多次的信号，输出该结果作为第一混合信号，以及混合从所述放大设备以所述第二模式读取多次的信号，并输出该结果作为第二混合信号；以及，用来在所述第一混合信号和所述第二混合信号之间执行差分处理的差分处理部分。
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公开(公告)号：CN101815179B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010151574.0
申请日：2010-04-15
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
发明人： 任张强
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/3745
摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器，像素单元，所述像素单元包括复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管，所述复位晶体管包括源极，所述源极作为像素单元的感应节点，还包括：复位单元，所述复位单元在输入的第一信号为高电位时，将所述感应节点电位升至高电位，在所述第一信号由高电位转换为低电位时，将复位晶体管的沟道电阻增大。通过增大复位晶体管的导通电阻，相对减小了复位噪声带宽，使得更多的复位噪声可以通过负反馈运算放大器消除。
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公开(公告)号：CN102209212A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110154820.2
申请日：2009-02-01
申请人： 索尼株式会社
发明人： 榊原雅树
摘要： 本发明提供了一种固态图像传感装置、读出其信号的方法以及摄像装置。所述固态图像传感装置包括像素阵列以及列处理单元，各垂直信号线与像素阵列的一列相连，所述列处理单元包括用于像素阵列的各列的单位读出电路。该单位读出电路包括：与对应的垂直信号线相连的输入开关；一端共同连接于输入开关的输入侧电容器；向输入侧电容器选择性地提供基准电压的基准开关；与输入侧电容器的另一端相连的运算放大器；在运算放大器的输入端和输出端之间选择性形成短路的复位开关；为各列设置的反馈电路，其包括在运算放大器的两端之间串联的反馈开关和反馈电容器。由于单位读出电路的一些子电路被像素阵列的多列所共用，所以可以减小列处理单元的电路面积。
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公开(公告)号：CN115360207A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211011643.7
申请日：2018-06-21
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/374 , H04N5/3745
摘要： 本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且在如下区域中形成有电荷运动控制电极：所述区域经由所述绝缘层面向所述光电转换层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域。
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公开(公告)号：CN115332277A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211011678.0
申请日：2018-06-21
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/374 , H04N5/3745
摘要： 本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中：所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述光电转换层的位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的区域的宽度比所述光电转换层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域的宽度窄。
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公开(公告)号：CN112449125B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910805367.3
申请日：2019-08-29
申请人： 天津大学青岛海洋技术研究院
摘要： 一种基于自适应阈值调整的图像传感器读出电路，主要包括：像素阵列、行寻址电路、相关双采样电路、列级放大器、比较器、计数器、自适应阈值调整逻辑、斜坡发生器；本发明的关键技术在于通过引入比较器、斜坡发生器、计数器、自适应阈值调整逻辑，实现片内的阈值实时调整，提高图像传感器的动态范围。该电路采用自适应阈值调整电路，根据实际曝光量进行阈值实时调整，利用数字逻辑电路实现阈值快速调整，从而实现在一定帧频下可以同时获取高亮和高暗的图像细节，提高图像传感器的动态范围。
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公开(公告)号：CN114520885A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210146586.7
申请日：2016-05-26
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/363 , H04N5/355 , H01L27/146 , H04N5/378
摘要： 本发明涉及摄像设备和电子装置。其中，摄像设备可包括：第一光电转换器；第一传输晶体管，连接到第一光电转换器，并且在平面图中第一传输晶体管位于第一光电转换器和浮动扩散部之间；第二传输晶体管，在平面图中，第二传输晶体管位于浮动扩散部和复位晶体管之间；第二光电转换器，在平面图中，第二光电转换器和第一光电转换器呈对角相邻；第三传输晶体管，连接到第二光电转换器；第四传输晶体管，连接到第三传输晶体管；电容，连接到第二光电转换器；第一配线，连接到电容和第三传输晶体管；第二配线，连接到第二传输晶体管和第四传输晶体管；以及放大晶体管，连接到浮动扩散部，其中，第一光电转换器的灵敏度比第二光电转换器的灵敏度高。
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公开(公告)号：CN114503545A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202180005695.0
申请日：2021-04-08
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
发明人： 马修·鲍威尔 , 穆罕默德·艾尔赛义德
摘要： 一种图像传感器包括多个像素列和多个读出电路。每个读出电路耦合到多个像素列中的一个并且包括：ADC，用于在复位转换阶段接收像素的第一模拟信号和在信号测量阶段接收像素的第二模拟信号；双斜坡发生器，用于生成具有第一斜坡速率的第一斜坡和具有大于第一斜坡速率的第二斜坡速率的第二斜坡，并且在复位转换阶段向读出电路提供第一斜坡且在信号测量阶段向多个读出电路提供第二斜坡；以及控制器，被配置为向读出电路和双斜坡发生器提供控制信号。
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