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公开(公告)号：CN115398885A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028744.2
申请日：2021-02-24
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/363 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： 本发明在让所有像素同时进行曝光的固态摄像元件中提高了图像质量。上游电路依次生成预定的复位电平及与曝光量相对应的信号电平，并且致使第一和第二电容元件各者保持复位电平和信号电平。选择电路依次执行用于将第一和第二电容元件中的一者连接到预定的下游节点的控制、用于将第一和第二电容元件两者都与下游节点断开的控制、以及用于将第一和第二电容元件中的另一者连接到下游节点的控制。当第一和第二电容元件两者都与下游节点断开时，下游复位晶体管使下游节点的电平初始化。下游电路经由下游节点从第一和第二电容元件依次读出复位电平和信号电平，并且输出所读出的复位电平和信号电平。
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公开(公告)号：CN115134542A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210544933.1
申请日：2018-08-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N5/359 , H04N5/363 , H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。
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公开(公告)号：CN112399103B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910739398.3
申请日：2019-08-12
申请人： 天津大学青岛海洋技术研究院
IPC分类号： H04N5/363
摘要： 一种用于TOF图像传感器的复位噪声抑制方法，该方法基于双浮动扩散（Floating Diffusion,FD）结构，通过在像素内增加一个等效的复位管，在不显著增加像素面积和功耗的前提下，实现对像素内浮动扩散节点在复位过程中引入的复位噪声的抑制；双FD结构相对于单FD结构和4‑FD结构，在帧率和FD一致性之间取得了良好的折衷。
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公开(公告)号：CN114600447A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080072433.1
申请日：2020-10-19
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 松浦浩二
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/357 , H04N5/363
摘要： 本公开的摄像元件包括：模数转换器，其被构造为将在彼此不同的多个摄像条件下获取的并且从像素输出的多个模拟像素信号转换为多个数字像素信号；阈值设定单元，其被构造为在所述模数转换器的输入侧设定随机变化的阈值；比较单元，其被构造为将由所述阈值设定单元设定的所述阈值用作比较阈值，并且将所述比较阈值与所述多个模拟像素信号中的一者进行比较；以及选择单元，其被构造为基于来自所述比较单元的比较结果，选择并输出从所述模数转换器输出的所述多个数字像素信号中的一者。
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公开(公告)号：CN114144975A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052824.7
申请日：2020-07-22
申请人： 思睿逻辑国际半导体有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0948 , H03K17/14 , H03K17/16 , H04N5/363 , H04N5/3745
摘要： 本申请涉及半导体器件、特别是MOS器件的控制，以便降低RTS/闪烁噪声。一种电路(100)包括第一MOS器件(103、104)和偏压控制器(107)。所述电路能够至少以第一电路状态(PRO)和第二电路状态(PRST)操作，在所述第一电路状态下，所述第一MOS器件活动以促成第一信号(Sout)，在所述第二电路状态下，所述第一MOS器件不促成所述第一信号。所述偏压控制器能够操作来控制在所述第一MOS器件的一个或多个端子处的电压以在所述第二电路状态的实例期间施加预偏压(VPB1、VPB2)。所述预偏压被施加来设置所述第一MOS器件内的电荷载流子陷阱的占用状态，以在所述第一电路状态下的后续操作期间限制噪声。在实施方案中，所述偏压控制器被配置为使得所述预偏压的至少一个参数是基于一个或多个操作条件在使用中选择性地可变的。
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公开(公告)号：CN113924648A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080038423.6
申请日：2020-05-06
申请人： 索尼集团公司
摘要： 本公开的摄像元件包括光电转换部，该光电转换部包括层叠的第一电极21、光电转换层23A和第二电极22，其中，在光电转换层23A的正下方，从光电转换层侧起形成有保护层23B和无机氧化物半导体材料层23C，该保护层23B包括无机氧化物。
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公开(公告)号：CN113785397A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032828.9
申请日：2020-02-21
申请人： 爱色乐居
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/374 , H04N9/04
摘要： 本公开涉及一种彩色和红外图像传感器(1)，包括硅衬底(10)、在衬底中和衬底上形成的MOS晶体管(16)、至少部分地形成在衬底中的第一光电二极管(2)、覆盖衬底的光敏层(26)，以及彩色滤光片(34)，光敏层插入在衬底和彩色滤光片之间。图像传感器还包括位于光敏层的任一侧并界定光敏层中的第二光电二极管(4)的第一和第二电极(22、28)，第一光电二极管被配置为吸收可见光谱和红外光谱的第一部分的电磁波，光敏层被配置为吸收可见光谱的电磁波并且允许红外光谱的所述第一部分的电磁波通过。
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公开(公告)号：CN113658970A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110890091.0
申请日：2016-02-16
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/363 , H01L27/30 , H04N5/232
摘要： 本发明的摄像装置，具备：半导体基板，设有电路元件；光电转换元件，被半导体基板支承，对入射光进行光电转换，具有形成在受光面侧的第1电极、遮光性的第2电极以及配置在第1电极与第2电极之间的光电转换膜；多层配线构造，设在半导体基板与光电转换元件的第2电极之间，包括将第2电极与设于半导体基板的电路元件电连接的连接部；以及电容元件，形成在多层配线构造内。电容元件具有下部电极、上部电极以及配置在上部电极与下部电极之间的电介质膜。下部电极及上部电极的至少一方具有连接部所贯通的开口或切缝，开口或切缝从半导体基板的法线方向来看时与第2电极重叠。
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公开(公告)号：CN111372015B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811603543.7
申请日：2018-12-26
申请人： 比亚迪半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种线性‑对数响应像素电路和图像传感器，能够使线性‑对数像素电路的复合输出更具一致性。该像素电路包括：电荷外溢晶体管的第二端与侧溢出控制晶体管的第一端连接，侧溢出控制晶体管的第二端与复位晶体管的第一端连接，复位晶体管的第二端、第一和第二源跟随晶体管的第二端均连接到电源电压，对数响应晶体管的第二端与其栅极连接后连接到第二源跟随晶体管的第一端，第一源跟随晶体管的第一端与第一开关管和行选通管的第一端连接，第一开关管的第二端和第二源跟随晶体管栅极与电平保持电容的一端连接，电平保持电容的另一端接地，第二开关管的第一端与第二源跟随晶体管的第一端连接，光电二极管的一端接地、另一端连接侧溢出控制晶体管的第一端。
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公开(公告)号：CN112040156A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010967989.9
申请日：2020-09-15
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
摘要： 一种全局曝光图像传感器电路及其控制方法，该电路包括电荷存储模块、传输管、浮动扩散部、开关管、补充电荷承载模块和源极跟随器；所述电荷存储模块与光电二极管连接，用于承载所述光电二极管曝光后产生的电荷；所述传输管的第一端与所述电荷存储模块连接，所述传输管的第二端与所述浮动扩散部连接；所述开关管的第一端与所述浮动扩散部连接，所述开关管的第二端与所述补充电荷承载模块的第一端连接，所述补充电荷承载模块的第二端接地；所述源极跟随器的控制端与所述浮动扩散部连接，所述源跟随器的第一端与行选管连接，所述源跟随器的第二端与电源端连接。由此，能够有效提高全局曝光像素的动态范围。
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