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公开(公告)号：CN118829240A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410950531.0
申请日：2024-07-16
申请人： 常州大学
摘要： 本发明属于有机太阳能电池领域，具体公开了一类氘代二卤代苯固体添加剂在有机太阳能电池中的应用。在有机太阳能电池的活性层中，以全氘代二卤代苯代替二卤代苯作为固体添加剂，进一步增强了活性层的结晶性，改善了活性层的形貌，从而实现了给受体间电荷的有效分离和收集，提升了有机太阳能电池的短路电流、填充因子和能量转换效率。其中，氘代对溴碘苯固体添加剂加工的PM6:Y6有机太阳能电池，能量转换效率由16.03％提升到17.46％。氘代对溴碘苯(p‑IBrPh‑d4)固体添加剂加工的PM6:L8‑BO和D18:L8‑BO有机太阳能电池能量转换效率分别达到18.67％和19.05％。
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公开(公告)号：CN118714862A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310347969.5
申请日：2023-03-27
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开了一种有效抑制有机光电探测器暗电流的方法，属于光电探测器技术领域。所述有机光电探测器采用倒置结构，从下至上依次为透明阴极、电子传输层、光敏层、空穴传输层、空穴注入层、阳极，其中空穴传输层为掺杂结构。所述的掺杂空穴传输层可以提高电子在反向偏压下的注入势垒，从而有效抑制暗电流。同时可以进一步提高其光生载流子的传输和收集效率，制备出高效探测性能的有机光电探测器件。
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公开(公告)号：CN118475137A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410537703.1
申请日：2017-05-04
申请人： 诺瓦尔德股份有限公司
发明人： 马里亚·克里斯蒂娜·蒙布洛纳·林孔 , 立东·吉尔·埃斯克里格 , 米歇尔·塞索洛 , 扬·亨里克·博林卡 , 扬·布洛赫维茨-尼莫特 , 凯·莱德雷尔
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池。具体地，本公开涉及一种太阳能电池，其具有第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的层叠结构。该层叠结构包括光吸收层、设置在第一电极和光吸收层之间的有机p型层及设置在第二电极和第一光吸收层之间的n型层，光吸收层包含具有钙钛矿晶体结构的吸收剂化合物。有机p型层包括以下层中的至少一个：包含有机p型掺杂剂的层及包含有机p型掺杂剂和第一有机芳族基质化合物的混合物的层。n型层包括以下层中的至少一个：包含n型掺杂剂的层及包含n型掺杂剂和第二有机芳族基质化合物的混合物的层。
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公开(公告)号：CN118434180A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410529353.4
申请日：2024-04-28
申请人： 成都京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光器件及其制作方法、显示面板、显示装置及蒸镀装置，涉及显示技术领域。该发光器件包括阳极和阴极，以及位于阳极和阴极之间的发光部；发光部包括主体材料和掺杂剂，在发光部的厚度方向上，掺杂剂的浓度先逐渐增大再逐渐减小，也即是在发光部的厚度方向上掺杂剂的浓度分布曲线仅具有一个掺杂峰。本公开实施方式中，在发光部的厚度方向上设置掺杂剂的浓度分布曲线仅存在一个掺杂峰，从而在制作发光器件时可任意调整掺杂峰在发光部的厚度方向上所处的厚度区域，以保证空穴、电子复合比例最大的位置位于掺杂缝所处的厚度区域内，进而保证发光器件具有更大的发光效率。
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公开(公告)号：CN118434162A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410177360.2
申请日：2024-02-08
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明提供一种丝氨酸掺杂的电子传输层；通过向SnO2胶体溶液中引入丝氨酸添加剂，显著提高钙钛矿太阳能电池的性能。本发明还提供一种石墨炔掺杂的空穴传输层；通过向Spiro‑OMeTAD溶液中引入石墨炔添加剂，显著提高钙钛矿太阳能电池的性能。本发明还提供一种包含丝氨酸掺杂的电子传输层与石墨炔掺杂的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池；通过双重掺杂，可以有效钝化器件缺陷，不需要引入界面修饰层，避免了在引入修饰层后带来新的界面问题；同时，也有利于减少界面处缺陷，提升载流子传输速率，提高太阳能电池光电转换效率，且容易实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN118317673A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410482596.7
申请日：2024-04-22
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明属于有机场效应晶体管器件制造领域，提供了一种有机场效应晶体管的有机半导体层掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，通过在半导体层中间加入合适的掺杂层进行排除聚合物晶体中的掺杂阴离子，在不破坏薄膜表面形貌的情况下降低了半导体内陷阱态密度，因而提高薄膜载流子浓度，从而达到将接触电阻大大降低的目的，并降低功率器件的阈值电压、提高器件的载流子迁移率。在实际制造过程中，本发明改进了传统体掺杂导致半导体层溶液配制极大浪费以及配制小批量溶液无法准确控制掺杂比例的不足，通过改变工艺实现了原来工艺不能达到的掺杂比例，简化了制造器件的工艺、控制了器件制作成本。
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公开(公告)号：CN118284108A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211724261.9
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/165 , H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/30 , H10K59/12
摘要： 本发明提供了一种光电器件及其制备方法、显示装置，涉及光电技术领域。光电器件包括：阳极；阴极；以及电子传输层，设置于阳极和阴极之间；电子传输层包括多个子传输层，多个子传输层的电子迁移率在第一方向上增大；其中，第一方向为从阳极往阴极的方向。本发明提供的光电器件的电子传输性能较佳。
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公开(公告)号：CN116496658B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210063920.2
申请日：2022-01-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： C09D11/03 , C09D11/02 , C09D11/38 , C09D11/30 , H10K30/30 , H10K30/50 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K71/30 , H10K85/00
摘要： 本发明公开了一种晶态非晶态杂化的氧化锌纳米粒子墨水、制备方法及应用。所述制备方法包括：向包含晶态的氧化锌纳米粒子和醇类溶剂的氧化锌纳米粒子分散液中加入非晶杂化添加剂，使所述晶态的氧化锌纳米粒子的至少部分表面被非晶化，从而钝化氧化锌纳米粒子的表面缺陷，获得晶态非晶态杂化的氧化锌纳米粒子墨水，所述非晶杂化添加剂包括弱酸或弱碱。本发明的制备方法可以提高氧化锌纳米粒子墨水的分散性和稳定性，同时制备的晶态非晶态杂化的氧化锌纳米粒子墨水用于制作电子传输层或载流子修饰层，所得光电器件的电学性能、稳定性和机械柔性等均有大幅提高。
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公开(公告)号：CN118265421A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410259242.6
申请日：2024-03-07
申请人： 福建江夏学院
摘要： 本发明提供一种铅锡混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括一铅锡混合钙钛矿膜层，所述铅锡混合钙钛矿膜层为FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜，所述FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜的制备方法如下：将甲脒氢碘酸盐、甲胺氢碘酸盐、甲胺盐酸盐、碘化亚锡、碘化铅和氟化亚锡溶解于溶剂中，再加入一定量的异辛酸亚锡，混合均匀后，将溶液旋涂于基底表面，再在80‑120℃温度下进行退火，即得到FA0.8MA0.2Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿薄膜；所述甲脒氢碘酸盐、甲胺氢碘酸盐和甲胺盐酸盐摩尔比为0.8:0.1:0.1，所述添加剂异辛酸亚锡的含量为1‑10mg/ml。本发明可增强铅锡混合钙钛矿薄膜结晶以及提高铅锡混合钙钛矿太阳能电池效率，增强电池稳定性。
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公开(公告)号：CN118265420A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410202637.2
申请日：2024-02-23
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种经掺杂可实现p型、n型以及i型导电性的钙钛矿半导体；其中，掺杂的钙钛矿材料根据导电类型(极性)又可分为p型、n型以及i型(本征)钙钛矿半导体。这些钙钛矿半导体特性可调，经掺杂后的钙钛矿材料组分为A’2An‑1BnX3n+1:D或ABX3:D，其中A’为有机阳离子，A为一价阳离子，B为金属阳离子，X为一价阴离子，D为掺杂剂。基于经掺杂的钙钛矿半导体的光电子器件可以摆脱对电子传输层或空穴传输层的依赖，从而简化器件工艺，降低器件制备复杂性和成本。基于可控掺杂的钙钛矿半导体材料的发光二极管、太阳能电池、和晶体管可展现出优异的性能。
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