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公开(公告)号：CN118870847A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487223.4
申请日：2023-04-28
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/18 , H10K71/16
摘要： 本发明公开了一种基于垂直结构的发光晶体管，具体涉及一种基于垂直结构的具有存储功能的发光晶体管器件，包括衬底、栅极、铁电绝缘层、源极、空穴传输层、发光层、电子传输层、漏极。与传统的发光晶体管相比，本发明提供的一种具有存储功能的发光晶体管器件可以简化显示技术中的像素电路结构，具有更高的集成度和更简单的工艺制程，有望降低显示面板的制造成本；同时，本发明提供的发光晶体管采用垂直结构构型，与平面结构型的发光晶体管相比，提高了像素开口率，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN118714862A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310347969.5
申请日：2023-03-27
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开了一种有效抑制有机光电探测器暗电流的方法，属于光电探测器技术领域。所述有机光电探测器采用倒置结构，从下至上依次为透明阴极、电子传输层、光敏层、空穴传输层、空穴注入层、阳极，其中空穴传输层为掺杂结构。所述的掺杂空穴传输层可以提高电子在反向偏压下的注入势垒，从而有效抑制暗电流。同时可以进一步提高其光生载流子的传输和收集效率，制备出高效探测性能的有机光电探测器件。
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公开(公告)号：CN117430640A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210813753.9
申请日：2022-07-11
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本发明属于新材料与合成化学领域，具体涉及一种磷光发光材料及有机电致发光器件，该磷光发光材料的结构式如下：该类磷光发光材料发光量子产率高、热稳定性好、合成方法简单且成本较低，开拓基于铱配合物的磷光材料体系。将此类化合物作为发光材料应用于有机电致发光器件中，可有效提高器件发光效率及寿命。
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公开(公告)号：CN116528638A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310351160.X
申请日：2023-03-29
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开一种有源层的制备方法、窄带近红外光电二极管及其制备方法，有源层制备方法包括步骤：将施主材料和受主材料加入到与水不互溶的第一溶剂中，形成第一混合液，第一溶剂的沸点小于等于180℃；将第一混合液施加到第一水面上进行液面分子自组装，将形成的第一薄膜转移到待制备有源层的基底上，进行第一次退火后，得到体异质结有源层。本发明利用液面分子自组装法制备高质量的有源层，将第一混合液施加到第一水面上，第一混合液由于表面张力在第一水面上向四周扩散，同时第一溶剂挥发，当扩散和挥发均完成时自组装结束，形成第一薄膜。本发明采用液面分子自组装法制备有源层结晶性好、质量高、且不会对待制备有源层的基底造成破坏。
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公开(公告)号：CN114195825B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111445587.3
申请日：2021-11-30
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： C07D517/04
摘要： 工作寿命。本发明公开一种本发明提供的一种萘并五元杂环并苯并五元杂环电子传输材料及其制备方法与有机发光器件，所述电子传输材料的结构通式为：其中，R1‑R10分别独立地选自氢基、氘基、氚基或链烷基，Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，Ar1取代R1、R2、R3或R4，Ar2取代R5、R6、R7、R8、R9或R10，Ar1和Ar2同时存在或不同时存在；X和Y分别独立地选自氧、硫或硒。本发明通过苯并五元杂环的引入同时引入多环芳烃并采用合适的连接方式来构建具有
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公开(公告)号：CN116390517B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310415619.8
申请日：2023-04-18
申请人： 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：衬底、栅极、介电层、沟道层、源电极、钙钛矿发光功能层以及漏电极；其中，衬底、栅极、介电层、沟道层层叠设置，源电极与钙钛矿发光功能层相邻设置且位于沟道层背离介电层的一侧，漏电极设置在钙钛矿发光功能层背离沟道层的一侧；钙钛矿发光功能层包括层叠设置的空穴传输层、钙钛矿发光层以及电子传输层。本发明利用钙钛矿材料作为发光层材料，形成集开关和发光功能于一体的钙钛矿发光晶体管器件，这种独特的器件结构是实现以集成化、高分辨率、节能化和多功能化为特征的下一代显示技术的最佳基元。
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公开(公告)号：CN116390517A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310415619.8
申请日：2023-04-18
申请人： 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：衬底、栅极、介电层、沟道层、源电极、钙钛矿发光功能层以及漏电极；其中，衬底、栅极、介电层、沟道层层叠设置，源电极与钙钛矿发光功能层相邻设置且位于沟道层背离介电层的一侧，漏电极设置在钙钛矿发光功能层背离沟道层的一侧；钙钛矿发光功能层包括层叠设置的空穴传输层、钙钛矿发光层以及电子传输层。本发明利用钙钛矿材料作为发光层材料，形成集开关和发光功能于一体的钙钛矿发光晶体管器件，这种独特的器件结构是实现以集成化、高分辨率、节能化和多功能化为特征的下一代显示技术的最佳基元。
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公开(公告)号：CN114195825A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111445587.3
申请日：2021-11-30
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： C07F9/6561 , C07D517/04 , C07D495/04 , H01L51/54 , H01L51/50
摘要： 本发明公开一种本发明提供的一种萘并五元杂环并苯并五元杂环电子传输材料及其制备方法与有机发光器件，所述电子传输材料的结构通式为：其中，R1‑R10分别独立地选自氢基、氘基、氚基或链烷基，Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，Ar1取代R1、R2、R3或R4，Ar2取代R5、R6、R7、R8、R9或R10，Ar1和Ar2同时存在或不同时存在；X和Y分别独立地选自氧、硫或硒。本发明通过苯并五元杂环的引入同时引入多环芳烃并采用合适的连接方式来构建具有高电子迁移速率、高三线态能级、合适的最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道、高玻璃化转变温度的电子传输材料，进而提高器件稳定性和工作寿命。
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