公开(公告)号：CN104052498B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410096588.5

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  金经纶 ,  千镇泳

IPC: H03M13/11 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了一种最优化用于纠正与存储在非易失性存储器设备中的数据有关的错误的对数似然比（LLR）的方法。在该方法中，监控包括在非易失性存储器设备中的多个存储器单元的阈值电压分布的变化，并且基于监控结果更新用于存储器单元的LLR。即使存储器单元的特性退化，LLR仍持续地维持在最优值。

公开(公告)号：CN103971724B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201410045218.9

申请日：2014-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹翔镛

IPC: G11C8/08

Abstract: 本发明涉及存储器、存储控制器、存储系统、及其操作方法。在一个实施例中，方法包括在存储器上执行读操作，并且由存储控制器基于计数值和参考值确定是否执行可靠性验证读操作。所述计数值基于由存储控制器发出到存储器的读命令的数目，并且可靠性验证读操作对于从与存储器中的至少一个未选字线相关联的至少一个存储单元读数据。未选字线是在读操作期间未选择的字线。所述方法还包括基于所述确定执行对于所述至少一个未选字线的可靠性验证读操作。

公开(公告)号：CN103928055A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410012363.7

申请日：2014-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/34

Abstract: 本发明提供了闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。