金刚石单晶薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN1096548A

    公开(公告)日:1994-12-21

    申请号:CN93112459.X

    申请日:1993-06-17

    IPC分类号: C23C16/26 C23C16/56

    摘要: 金刚石单晶薄膜的制造方法,它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体,用微波等离子体CVD或热丝CVD在 取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中,采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体,同时对衬底进行研磨处理的工艺,结果能得到平整光滑的,结晶完整性好的 取向同质外延金刚石单晶薄膜。

    一种制备非晶碳化硅陶瓷-金刚石复合涂层的方法

    公开(公告)号:CN104674186B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201510056617.X

    申请日:2015-02-03

    IPC分类号: C23C16/32 C23C16/27

    摘要: 本发明公开了一种制备非晶碳化硅陶瓷‑金刚石复合涂层的方法;首先,采用大分子有机硅烷作为前驱体,采用大分子前驱裂解的方法在衬底表面裂解生成非晶碳化硅陶瓷薄膜,然后采用热丝化学气相沉积法原位沉积微米金刚石薄膜,以制备非晶碳化硅陶瓷‑金刚石复合涂层。与现有技术相比,本发明采用大分子前驱裂解的方法制备的非晶碳化硅过渡层可以有效阻隔两步法与处理之后硬质合金基体表面的残余钴相,同时改善硬质合金基体的粗化表面,制备获得的非晶碳化硅陶瓷‑金刚石复合涂层既具有优异的附着性能,又具有极高的耐磨损性能,适合用于制备高质量金刚石涂层刀具。

    一种制备非晶碳化硅陶瓷-金刚石复合涂层的方法

    公开(公告)号:CN104674186A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510056617.X

    申请日:2015-02-03

    IPC分类号: C23C16/32 C23C16/27

    CPC分类号: C23C16/325 C23C16/271

    摘要: 本发明公开了一种制备非晶碳化硅陶瓷-金刚石复合涂层的方法;首先,采用大分子有机硅烷作为前驱体,采用大分子前驱裂解的方法在衬底表面裂解生成非晶碳化硅陶瓷薄膜,然后采用热丝化学气相沉积法原位沉积微米金刚石薄膜,以制备非晶碳化硅陶瓷-金刚石复合涂层。与现有技术相比,本发明采用大分子前驱裂解的方法制备的非晶碳化硅过渡层可以有效阻隔两步法与处理之后硬质合金基体表面的残余钴相,同时改善硬质合金基体的粗化表面,制备获得的非晶碳化硅陶瓷-金刚石复合涂层既具有优异的附着性能,又具有极高的耐磨损性能,适合用于制备高质量金刚石涂层刀具。

    特大孔径内孔金刚石平坦化涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN102140627B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201110028847.7

    申请日:2011-01-27

    IPC分类号: C23C16/27 C23C16/44

    摘要: 一种金刚石涂层技术领域的特大孔径内孔金刚石平坦化涂层的制备方法,采用热丝化学气相沉积法在拉拔模的內孔表面依次进行直流正向偏流沉积、直流反向偏流沉积、直流还原沉积和优化沉积处理,得到特大孔径内孔金刚石平坦化涂层。本发明用三相整流的直流电源来替代单相交流电源,从而解決了大功率供电的三相平衡问题,同时既能保证金刚石涂层的质量,又能提高涂层的表面平整度,减少涂层抛光工作量,提高涂层模具的合格率和可靠性。

    化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法

    公开(公告)号:CN101476113B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910045950.5

    申请日:2009-01-22

    IPC分类号: C23C16/22

    摘要: 本发明涉及一种薄膜技术领域的化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法,将硼酸三甲酯按预定的B/C比溶解于丙酮,并放置于始终保持0℃的鼓泡瓶中,以控制碳源和硼源的流量。部分氢气流量作为载气,用鼓泡法将液体蒸气带出。本发明不会发生硼酸三甲酯掺硼分解出硼酸,对流量计、针形阀和管道的堵塞,制成的薄膜电阻率低(10-3Ω.·cm),金刚石成份占绝对优势,质量好。掺硼制备过程安全无毒,没有硼源对大气等污染问题。

    刀具表面掺硼金刚石复合涂层制备装置

    公开(公告)号:CN101736323A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910311897.9

    申请日:2009-12-21

    IPC分类号: C23C16/46 C23C16/27

    摘要: 一种刀具制造技术领域的刀具表面掺硼金刚石复合涂层制备装置,包括:反应罩、合金钻头、支撑台及冷却装置、直流偏压电源、热丝电源、气压控制装置、耐高温弹簧、热丝和钻头支架,其中:合金钻头和耐高温弹簧分别竖直设置于钻头支架上,热丝的两端分别与耐高温弹簧相连接,钻头支架固定设置于支撑台及冷却装置上,反应装置固定设置于支撑台及冷却装置以及钻头支架的外部并与气压控制装置相连接,直流偏压电源分别于热丝及反应罩外壳相连,热丝电源的分别与热丝及耐高温弹簧相连。能够保证金刚石复合薄膜与基体之间具有良好的附着强度,并且能够有效改善金刚石薄膜的表面质量和均匀性,从而提高金刚石薄膜涂层刀具的使用寿命和切削性能。

    化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法

    公开(公告)号:CN101476113A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910045950.5

    申请日:2009-01-22

    IPC分类号: C23C16/22

    摘要: 本发明涉及一种薄膜技术领域的化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法,将硼酸三甲酯按预定的B/C比溶解于丙酮,并放置于始终保持0℃的鼓泡瓶中,以控制碳源和硼源的流量。部分氢气流量作为载气,用鼓泡法将液体蒸气带出。本发明不会发生硼酸三甲酯掺硼分解出硼酸,对流量计、针形阀和管道的堵塞,制成的薄膜电阻率低(10-3Ω.·cm),金刚石成份占绝对优势,质量好。掺硼制备过程安全无毒,没有硼源对大气等污染问题。

    金刚石薄膜涂层轴承支撑器的制备方法

    公开(公告)号:CN100465334C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200510027575.3

    申请日:2005-07-07

    IPC分类号: C23C16/27 F16C33/12

    摘要: 一种机械制造领域的金刚石薄膜涂层轴承支撑器的制备方法,采用基体表面去钴和粗化、脱碳和还原处理、反应气体中添加粘结促进剂预处理,通过控制CVD涂层工艺参数,金刚石沉积初期,在硬质合金衬底上以提高成核密度为主;在金刚石生长中间阶段,以生长 、 晶粒取向的涂层质量好、附着力强的金刚石多晶膜为主;金刚石沉积后期,通过升高反应气体压力、增加碳源浓度、在反应系统中通入氮气,在金刚石多晶膜上再原位生长一层由超细微晶聚集而成的球状金刚石晶粒薄膜,获得光滑金刚石薄膜,将该金刚石薄膜涂层支撑块粘接在粘结在钢支架上制成金刚石薄膜涂层轴承支撑器。本发明轴承支撑器寿命长,耐用度高,停机次数和生产辅助时间显著减少。