公开(公告)号：CN109791879A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061273.9

申请日：2017-06-05

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀勉

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C23C16/325 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有100mm以上的直径并且包括相对于{0001}面以大于0°且不小于8°的角度倾斜的主表面；碳化硅外延层，所述碳化硅外延层形成在所述主表面上并具有20μm以上的厚度；以及基面位错，所述基面位错包含在所述碳化硅外延层中并且具有连接到包含在所述碳化硅外延层中的螺纹螺旋位错的一端和存在于所述碳化硅外延层的表面中的另一端。所述基面位错在相对于{0001}基面中的 方向具有20°以上且80°以下的倾斜度的方向上延伸。所述基面位错的密度为0.05/cm2以下。

公开(公告)号：CN108863418A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810148840.0

申请日：2018-02-13

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 须山章子 ,  鹈饲胜 ,  内桥正幸 ,  垣内一雄 ,  日置秀明

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  G21D1/00 ,  C04B35/64 ,  C04B35/52 ,  C04B35/628

CPC分类号： C04B35/83 ,  B32B18/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/806 ,  C04B37/005 ,  C04B41/00 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/94 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/70 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/765 ,  C04B2237/84 ,  C23C16/325

摘要： 本发明实施方式的长纤维增强碳化硅构件为筒形状，其具有第1复合材料层和第2复合材料层。第1复合材料层是在碳化硅的基体中使碳化硅的长纤维复合化而成的。第2复合材料层是在碳化硅的基体中使碳的长纤维复合化而成的。而且，将第1复合材料层与第2复合材料层进行层叠。

公开(公告)号：CN108707876A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201711446268.8

申请日：2017-12-27

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 周文龙

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C14/06 ,  B23P6/00

CPC分类号： C23C16/4581 ,  B23P6/00 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/18 ,  C23C16/303 ,  C23C16/325

摘要： 本发明公开了一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：对石墨盘表面进行第一裂纹检测；当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。本发明的技术方案对石墨盘的第一裂纹进行检测，并对存在第一裂纹的石墨盘进行修复，保证石墨盘表面的第一裂纹可以被覆盖填充，避免石墨盘因石墨裸露而被侵蚀，减少了碳掺杂对制品品质的影响，提升了半导体材料制造性能，同时可以延长石墨盘使用寿命，并预防因应力累积而造成石墨盘破裂的风险。

公开(公告)号：CN107354447A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710604231.7

申请日：2017-07-24

申请人： 苏州宏久航空防热材料科技有限公司

发明人： 潘影 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/325 ,  C23C16/342

摘要： 本发明提供一种碳纳米管-SiC薄膜的制备方法，包括以下步骤：将过渡金属衬底和碳纳米管粉体置于真空反应系统中，碳纳米管粉末颗粒尺寸为10纳米-20纳米，采用氩气分别作为碳纳米管粉体载气体和三氯甲基硅烷载气体，氢气作为反应气体，在除去真空腔内氧气的情况下，维持室内真空度1-1000Pa，并升温至800-1200℃，将氢气注入真空腔中，流量为100-500mL/min，分别将载有碳纳米管粉末和三氯甲基硅烷的氩气体通入真空腔中，流量分别为10-100ml/min和100-500ml/min，碳纳米管粉末供给速度为10-100mg/min，同时保持氢气流量，保温1-5h，降温速率为5-20℃/min。本发明有益效果主要在于提高了SiC薄膜的高温抗氧化，抗烧蚀性能。

公开(公告)号：CN107109695A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070016.2

申请日：2015-11-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 日吉透

IPC分类号： C30B29/36

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C23C16/325 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/30625

摘要： 一种碳化硅单晶基板(11)，其具有相对于{0001}面有偏角的第一主面(11a)和与所述第一主面(11a)连续地设置的第一周缘端部(11c2)。在所述第一主面(11a)上形成碳化硅外延层(12)。所述碳化硅外延层(12)具有与所述第一主面(11a)接触的第二主面(12b)、在所述第二主面(12b)相反侧的第三主面(12a2)、及与所述第二主面(12b)和所述第三主面(12a2)各自连续地设置的第二周缘端部(12c2)。将包括所述第一周缘端部(11c2)和所述第二周缘端部(12c2)的周缘区域(C)除去。所述碳化硅外延层(12)在垂直于所述第三主面(12a2)的方向上具有50μm以上的厚度。

公开(公告)号：CN107002236A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580050013.2

申请日：2015-09-23

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： 克洛迪娅·法法尔德 ,  文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 ,  让-马克·吉拉尔

IPC分类号： C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/30 ,  C23C16/24 ,  C23C16/40 ,  C07F7/10 ,  C07F7/08 ,  C07F7/02

CPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/02 ,  C07F7/08 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532

摘要： 披露了包含碳硅烷取代的胺前体的含Si膜形成组合物。该碳硅烷取代的胺前体具有式(R1)aN(‑SiHR2‑CH2‑SiH2R3)3‑a，其中a＝0或1；R1是H、C1至C6烷基、或卤素；R2和R3各自独立地是H；卤素；具有式OR’的烷氧基，其中R’是烷基(C1至C6)；或具有式NR”2的烷基氨基，其中每个R”独立地是H、C1‑C6烷基、C1‑C6烯基、或C3‑C10芳基或杂环基。还披露了合成该碳硅烷取代的胺前体的方法及它们用于沉积工艺的用途。

公开(公告)号：CN106987899A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610929270.X

申请日：2016-10-31

申请人： 姜全忠

发明人： 姜全忠 ,  徐现刚

IPC分类号： C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC分类号： C30B25/08 ,  C23C16/325 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

摘要： 本发明公开了一种使用气相传输的材料生长装置，包括真空室和生长室，生长室置于真空室中，生长室包括出气道和至少两个内表面，两个内表面分别用于搁置所需的生长源料和衬底；生长源料至少包括上表面和和下表面，生长源料的上表面与衬底相对、而下表面则与生长室接触；衬底至少包括生长面和背面，衬底的背面与生长室接触、而生长面与生长源料相对，生长源料的上表面与衬底的生长面之间形成生长腔；其特征在于：生长源料的上表面、衬底的生长面、生长室和出气道设置成使得由生长源料产生的气流在衬底的生长面上流动时，与衬底的生长面平行。还公开了使用该生长装置形成材料的方法、以及料生长过程的检测装置。

公开(公告)号：CN104561934B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410576747.1

申请日：2014-10-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  龚波

IPC分类号： C23C16/452

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3326 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3003

摘要： 本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

公开(公告)号：CN106233430A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020267.X

申请日：2015-04-16

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所

发明人： 升本恵子

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24529

摘要： 本发明的课题在于提供一种碳化硅外延晶片，其对于低偏离角的碳化硅外延晶片，即使在高C/Si比下的生长中也会抑制异质多型的混入，并且能够形成可靠性高的高耐压碳化硅半导体元件。本发明的外延晶片，其特征在于，其是在具有α型的晶体结构且使(0001)Si面或(000－1)C面倾斜大于0°且不足4°的碳化硅基板上配设有外延生长层的碳化硅外延晶片，在碳化硅基板表面，5个以上且10个以下的高度1nm的台阶统合成的台阶聚束所占的比例为90％以上。

公开(公告)号：CN103974918B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280056372.5

申请日：2012-11-14

申请人： 法国圣戈班玻璃厂

发明人： C·图马泽 ,  M·梅尔赫 ,  A·于尼亚尔 ,  R·兰特

IPC分类号： C03C17/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： C03C17/3441 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/156 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明涉及一种包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiOxCy)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiOxCy)层具有总厚度E并且具有：(a)从深度P3延伸到深度P4的富碳的深区域，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及(b)从深度P1延伸到深度P2的贫碳的浅表区域，其中C/Si原子比小于或等于0.4，其中P1＜P2＜P3＜P4，和(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。