公开(公告)号：CN101397651A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810201997.1

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  戴灵恩 ,  王长君 ,  梁小燕 ,  施朱斌 ,  钱永彪 ,  滕建勇 ,  秦凯丰

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。