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公开(公告)号：CN103789765A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410000760.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法，该方法是先用真空热蒸镀的方法将Ag粉蒸镀到不同倾斜角度的基片上，得到镀有Ag薄膜的基片；然后，配制合适浓度的硝酸锌溶液，在水浴环境中磁力搅拌，加入三乙醇胺使溶液呈弱碱性，然后将上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中，反应，得到Ag/ZnO核壳结构物。本发明采用斜角热蒸发法制备Ag薄膜，湿化学方法制备ZnO壳层，得到ZnO包覆Ag的纳米级材料；包覆均匀、工艺简单可控、成本低；制备的Ag/ZnO核壳结构材料在生物探针、环境检测、医药学等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102683490A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140490.6
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN101866860B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
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公开(公告)号：CN101887849B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN100485975C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极-电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1657403A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510023575.6
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉中的石英反应管中，随后将其上方的孔口封口，将其下方设置的微小通气孔调节至需要的孔口大小，其调节大小范围为0.3－3mm2，然后抽真空，保持一定的真空度，真空度范围为10－1－10－2Pa；继续打开真空系统，使石英反应管内的合成化合物于源端高温处产生的气相物质被气流运送至沉积端；源端温度为800—1000℃，沉积端区的温度为450－600℃，运输速率为20－40g/24hr；电阻加热炉内温度梯度为16－24℃/cm，石英管内产生的尾气籍真空系统经冷阱收集于尾气吸收池。本发明方法及装置的优点是气相输送速率快，生产效率高，而且结构简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN1632933A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH－KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112133775B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
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公开(公告)号：CN113189635A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110453513.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本申请公开了一种单极性核辐射探测器及其前置放大电路。其中，单极性核辐射探测器前置放大电路包括：高压偏置电压源，作用于所述单极性核辐射探测器；第一滤波电路，连接所述单极性核辐射探测器，用于对所述单极性核辐射探测器在所述偏置电压电源的偏置电压的作用下所产生的电流脉冲信号进行滤波处理；放大电路，连接所述第一滤波电路，用于对经滤波处理的所述电流脉冲信号进行放大；低频反馈电路，连接所述放大电路，用于对所述电流脉冲信号中的低频信号提供反馈回路。本申请提供的前置放大电路可以提高系统的抗噪声水平，提高分辨率。
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公开(公告)号：CN112216749A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011093122.1
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有高阻钝化层的碲锌镉(CZT)晶体探测器及其制备方法，所述CZT单晶的结构为高阻钝化层‑半导体‑高阻钝化层的三明治结构；在制备中，选取纯度为99.99999％的高纯Cd、Zn、Te材料作为垂直布里奇曼法生长CZT晶体的原料，获得晶体后切片、划片获得所需衬底，经抛光和腐蚀后采用射频磁控溅射沉积方法在样品上生长高阻钝化层；经过光刻和等离子体刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在单晶上沉积Au电极。本发明是一种有效的钝化CZT表面的方法，高阻钝化层能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶体表面电阻率，最终提高探测器的电学性能和后续器件制成的稳定性和寿命。
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