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公开(公告)号：CN103789765A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410000760.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法，该方法是先用真空热蒸镀的方法将Ag粉蒸镀到不同倾斜角度的基片上，得到镀有Ag薄膜的基片；然后，配制合适浓度的硝酸锌溶液，在水浴环境中磁力搅拌，加入三乙醇胺使溶液呈弱碱性，然后将上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中，反应，得到Ag/ZnO核壳结构物。本发明采用斜角热蒸发法制备Ag薄膜，湿化学方法制备ZnO壳层，得到ZnO包覆Ag的纳米级材料；包覆均匀、工艺简单可控、成本低；制备的Ag/ZnO核壳结构材料在生物探针、环境检测、医药学等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102683490A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140490.6
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN101887849B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN112133775B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
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公开(公告)号：CN112216749A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011093122.1
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有高阻钝化层的碲锌镉(CZT)晶体探测器及其制备方法，所述CZT单晶的结构为高阻钝化层‑半导体‑高阻钝化层的三明治结构；在制备中，选取纯度为99.99999％的高纯Cd、Zn、Te材料作为垂直布里奇曼法生长CZT晶体的原料，获得晶体后切片、划片获得所需衬底，经抛光和腐蚀后采用射频磁控溅射沉积方法在样品上生长高阻钝化层；经过光刻和等离子体刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在单晶上沉积Au电极。本发明是一种有效的钝化CZT表面的方法，高阻钝化层能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶体表面电阻率，最终提高探测器的电学性能和后续器件制成的稳定性和寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133775A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
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公开(公告)号：CN102703983A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210196925.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是：将满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.8)的纯度为99.99999%的Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，依次放入二次封套和一次封套，抽真空至2.0×10-4Pa，在一次封套处封结石英坩埚。将封好的坩埚放入合料炉，缓慢升温至500℃，经一定时间保温后，缓慢升温至物料熔点合料保温。缓慢降温至室温后，合料完毕。然后取出坩埚，在二次封套处，对坩埚进行二次封管。切去尾部一次封套部分，将装有CdZnTe物料的坩埚放入晶体生长炉中进行单晶生长。利用双封套通过二次封管的方法实现了对晶体生长时自由空间体积的压缩，在后续的单晶生长过程中，能有效抑制晶体中Cd空位的形成，从而提高了晶体的性能。
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公开(公告)号：CN102230213A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN101871123A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN109461668B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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