-
公开(公告)号：CN103312137A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310205649.2
申请日：2013-05-29
IPC分类号： H02M1/32
摘要： 本发明涉及一种应用于线性稳压源的上电过冲抑制电路，包括上电延迟控制模块、倒比下拉模块和正反馈模块；上电延迟控制模块包括开关管、第二场效应管、第一电阻、第二电阻、外部调节电容；开关管的源极与供电系统相连接，开关管的漏极与第二场效应管的源极相连接，第二场效应管的栅极经相串联的第二电阻和外部调节电容后接地，第一电阻并接于第二场效应管的源极和栅极之间；倒比下拉模块连接于第二场效应管的漏极与地之间；正反馈模块连接于第二场效应管的漏极与开关管的栅极之间；开关管的漏极与线性稳压源的输入端相连接。本发明能够使线性稳压源在电源稳定后开始工作，有效抑制上电过冲，便于与线性稳压源电路实现接口，应用方便。
-
公开(公告)号：CN102394570B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110329015.9
申请日：2011-10-26
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 本发明公开一种单片集成窄脉冲峰值保持电路，包括对输入窄脉冲信号进行峰值采样并能够保持该峰值的采样保持部分、用于控制所述的采用保持部分输出峰值保持信号或完成峰值泄放的控制逻辑部分。采用并联跨导放大器和电容耦合技术，在精确地保持窄脉冲的峰值的同时，能够实现良好的稳定性，成本低、体积小、功耗低，能够高精度地峰值采样，该电路基于标准cmos工艺而实现单片集成。
-
公开(公告)号：CN102393786B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110333713.6
申请日：2011-10-28
IPC分类号： G05F3/30
摘要： 本发明公开一种高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源，包括启动电路、带隙主体电路、反馈控制回路及输出电路，启动电路在电源上电时摆脱简并点的束缚而正常工作，带隙主体电路产生一带正温度系数电流，该带正温度系数电流由带隙主体电路镜像至反馈控制回路中而产生另一带负温度系数电流，这两带相反温度系数电流分别同比镜像至反馈控制回路和输出电路中，反馈控制回路中引入一个产生高阶补偿电流的补偿电阻，两同比镜像后的电流与补偿电流叠加后镜像至输出电路中的负载电阻上而得到与温度无关的基准电压。基于负反馈工作点的可控设计实现高阶温度系数补偿的稳定控制，实现了高精度的带隙基准源，工艺要求低、电路结构简单、面积小和适用范围广。
-
公开(公告)号：CN102394570A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110329015.9
申请日：2011-10-26
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 本发明公开一种单片集成窄脉冲峰值保持电路，包括对输入窄脉冲信号进行峰值采样并能够保持该峰值的采样保持部分、用于控制所述的采用保持部分输出峰值保持信号或完成峰值泄放的控制逻辑部分。采用并联跨导放大器和电容耦合技术，在精确地保持窄脉冲的峰值的同时，能够实现良好的稳定性，成本低、体积小、功耗低，能够高精度地峰值采样，该电路基于标准cmos工艺而实现单片集成。
-
公开(公告)号：CN110347031B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910715901.1
申请日：2019-08-05
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本发明实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本发明的幅度时间转换电路受时钟频率的限制较小，极大提高了转换精度，代表回波信号强度的电压直接以数字格式输出，无需片上ADC进行2次量化，降低了片上系统设计的难度。
-
公开(公告)号：CN112255618B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202011047237.7
申请日：2020-09-29
发明人： 白涛
IPC分类号： G01S7/4861 , G01S17/10 , G01S7/4865
摘要： 激光雷达测距电路的每个像元，提高了时刻鉴别本发明公开了一种像元级的时刻鉴别电路， 精度。输入脉冲电压连接比较器的反相输入端，比较器的同相输入端接阈值电压，比较器的输出端经固定延迟单元连接反相器后输入整形驱动单元作为输出，反相器由第三P型晶体管和第四N型晶体管组成，比较器的输出端还经低通滤波单元连接第八N型晶体管的栅极，所述第八N型晶体管的源极接地，漏极通过上拉电阻连接供电电压，所述第八N型晶体管的漏极还连接第一P型晶体管的栅极，第一P型晶体管的源极连接供电电压，所述第一P型晶体管的漏极连接第三P型晶体管的源
-
公开(公告)号：CN117097316A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311109755.0
申请日：2023-08-31
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/16
摘要： 本发明公开了本发明提出了一种适用于NMOS开关的衬底偏置电路，电路采用电压负反馈结构，保证输出电压始终跟随输入电压，在整个输入电压范围内消除了NMOS开关的体效应，提高了NMOS开关的过驱动电压，降低了噪声电压，减小了输入信号的负载效应；同时，衬底偏置电路的输出极点为主极点，通过在输出极点设置滤波补偿电容，消除了混入输入信号中的高频毛刺和干扰，保证NMOS开关的衬底电压的精度。
-
公开(公告)号：CN110320950A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910738661.7
申请日：2019-08-12
发明人： 白涛
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO，运算放大器负相输入端接参考电压VREF，正相输入端分别连接功率管漏端的输出电压OUT和第一MOS管的漏端，运算放大器输出端接第一MOS管的栅端；通过运算放大器两个正相输入端对应所在的两个闭合环路实现嵌位，使第二闭合环路中的功率管漏端的输出电压OUT、第一闭合环路中的第一MOS管的漏端电压和参考电压VREF相等。本发明通过双环路嵌位提高输出电压精度，扩展了带宽，保证了快速的负载瞬态响应，即使LDO负载电容和电流在较大范围变化时，也能保证系统的稳定性。
-
公开(公告)号：CN104898752B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510358958.2
申请日：2015-06-26
发明人： 白涛
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种快速瞬态响应的无电容型LDO，通过在LDO功率调整管的漏端和栅端引入可调节共源共栅反馈环路，使LDO输出端构成一个具有深度负反馈的射极跟随器，因此，LDO在全负载范围内都具有超低的交流输出阻抗，保证了输出极点始终处在高频。即使LDO负载电容和电流在较大范围变化时，无输出大电容型LDO在单位增益带宽以内只有一个主极点，保证了系统稳定性；由于无额外的补偿电容，实现了快速的瞬态响应。
-
公开(公告)号：CN104316862A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410554076.9
申请日：2014-10-17
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种三轴MEMS加速度计信号处理电路的串扰评价方法，为：（1）内部调整：调整信号处理电路中的参数而改变其工作状态，使得对应于三轴MEMS加速度计的每个轴的工作数据一致；（2）外部调节：调节三个轴各自的输入，使其中两个轴的输出电压达到一稳定值；再调节第三轴的输入使其输出电压改变，第三轴的输出电压每改变同一刻度值时，监测另外两轴的输出电压的变化量，该变化量即为串扰；重复上述过程分别评价三轴中每个轴对其他两轴的串扰。本方法可在测试三轴加速度计信号处理电路性能参数时，量化电路串扰程度，保证电路测试的有效性，且节约成本，对提高测试的可靠性具有重要的意义，可广泛推广。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
63 条记录 (耗时 0.055 秒)
