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公开(公告)号：CN105140257B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510645803.7
申请日：2015-10-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L27/146 , H01L23/485
摘要： 一种超大面阵内线转移CCD，其创新在于：在水平转移区和成像区之间设置过渡区，过渡区由多个假像元构成，假像元不起成像作用，仅为金属布线提供物理空间；本发明的有益技术效果是：提供了一种新结构的超大面阵内线转移CCD，该器件能够在扩展成像像元规模的同时，保证行频不下降。
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公开(公告)号：CN107046046A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710242863.3
申请日：2017-04-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14806
摘要： 本发明提出了一种CCD像元结构，由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成，其中，感光区由N型区和P型区组成，N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是：提出了一种新的CCD像元结构，该CCD像元结构能够在光生电荷产生之初就对其进行电荷倍增处理，如果只需要进行一次电荷倍增处理，就不必再在后端设置相应的电荷倍增结构，如果需要进行两次电荷倍增处理，只需将其与现有的电荷倍增手段相结合就能实现。
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公开(公告)号：CN105140257A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510645803.7
申请日：2015-10-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L27/146 , H01L23/485
摘要： 一种超大面阵内线转移CCD，其创新在于：在水平转移区和成像区之间设置过渡区，过渡区由多个假像元构成，假像元不起成像作用，仅为金属布线提供物理空间；本发明的有益技术效果是：提供了一种新结构的超大面阵内线转移CCD，该器件能够在扩展成像像元规模的同时，保证行频不下降。
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公开(公告)号：CN104767944A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510174290.6
申请日：2015-04-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 一种能提高输出一致性的多抽头EMCCD放大电路，包括多个抽头放大器，每个抽头放大器都具有漏极、复位漏、复位栅和放大器地，其创新在于：所有抽头放大器的漏极通过引线相互短接，所有抽头放大器的复位漏通过引线相互短接，所有抽头放大器的复位栅通过引线相互短接，所有抽头放大器的放大器地通过引线相互短接。本发明的有益技术效果是：可明显提高多抽头EMCCD抽头输出的一致性，提高成像质量。
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公开(公告)号：CN216217211U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122975428.6
申请日：2021-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148
摘要： 本发明涉及一种CCD图像传感器结，特别涉及一种大阵列高帧频面阵CCD，包括M×N阵列规模面阵CCD器件包括从上到下依次级联的上部水平CCD、上部存储区、上部光敏区、下部光敏区、下部存储区以及下部水平CCD，每个区域大小为(M×N)/2,且上部水平CCD和下部水平CCD上分别设置有一组水平驱动以及n个输出放大器，包括每个区域分为4个子区域，每个子区域为未分区前区域阵列规模的1/4且每个子区电容为未分区前电容的1/8，并将上部水平CCD和下部水平CCD上的n个输出放大器每m个输出放大器划分为一组；本发明使得影响光敏区信号转移至存储区的帧转移时间的RC时间常数降低，实现大阵列CCD高帧频特性。
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