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公开(公告)号：CN115567791B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210919479.3
申请日：2022-08-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/71
摘要： 本发明涉及图像传感器领域，特别涉及一种阵列读出帧转移CCD图像传感器，包括光敏区、存储区、水平区以及输出放大器，存储区的一端与光敏区连接，另一端与水平区连接，水平区与输出放大器连接，光敏区包括一次多晶硅、二次多晶硅和一次金属，一次多晶硅、二次多晶硅通过一次接触孔与一次金属连接，一次多晶硅和二次多晶硅在轴向交错设置，一次金属径向设置；存储区包括一次金属和二次金属，一次金属和二次金属通过二次接触孔连接，二次金属轴向设置；所述一次金属内部设置有沟阻；本发明提升光敏区、存储区快态频率，避免常规金属布线设计对于器件响应均匀性的影响，提升水平区信号快速转移。
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公开(公告)号：CN115148754A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210780998.6
申请日：2022-07-04
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及一种基于高阻硅衬底的CCD制作方法，包括取一P型高阻硅衬底；在非光敏区区域进行硼注入，使非光敏区区域的硼掺杂浓度高于光敏区区域，在光敏区区域和非光敏区区域之间形成硼浓度差异分布；在P型高阻硅衬底上制作CCD。本发明中，通过对非光敏区区域进行大面积硼注入设计，不仅在光敏区区域保留P型高阻硅特性，而且解决了现有技术中基于P型高阻硅衬底的CCD的耗尽层相比于常规P型低阻硅衬底的CCD更加易于扩展，易导致放大器源漏穿通、放大器直流增益特性退化等问题，改善了基于P型高阻硅衬底制作的CCD的性能。
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公开(公告)号：CN111147775B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010004308.9
申请日：2020-01-03
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种单片混合型CCD结构，包括衬底和设在该衬底上的线阵CCD单元、TDICCD单元和TDIEMCCD单元，所述线阵CCD单元包括第一水平寄存器、第一光敏区和第一放大器，所述第一光敏区与所述第一水平寄存器电连接，所述第一水平寄存器与所述第一放大器电连接；所述TDICCD单元包括第二水平寄存器、第二光敏区和第二放大器，所述第二光敏区与所述第二水平寄存器电连接，所述第二水平寄存器与所述第二放大器电连接；所述TDIEMCCD单元包括第三水平寄存器、第三光敏区、第三放大器和倍增寄存器，所述第三光敏区与所述第三水平寄存器电连接，所述第三水平寄存器与所述倍增寄存器电连接，所述倍增寄存器与所述第三放大器电连接。
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公开(公告)号：CN110676279A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910957618.X
申请日：2019-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有接触孔；两个蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧形成双蓝光窗口像元架构；两个蓝光窗口各自按照左右分割的方式均匀分成三个面积等大的区域；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。
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公开(公告)号：CN103412468A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310377712.0
申请日：2013-08-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 为解决现有技术光刻大尺寸CCD芯片的拼接曝光方法存在的相邻CCD拼接芯片电路结构所对应的几何图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变宽或变窄等缺陷的问题，本发明提出一种光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法，采用拼接方式分别对各CCD拼接芯片进行曝光，其特征在于，在上一块光刻掩膜版图形的拼接边上，设置有与下一块光刻掩膜版重叠的宽度为0.1微米的重叠区，并且，在重叠区内的几何图形的端头设置有大小为0.1微米×0.1微米的正方形补偿缺口。本发明的有益技术效果能够有效避免相邻CCD拼接芯片电路结构所对应的几何图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变宽或变窄等缺陷，有效提高大尺寸CCD芯片的性能或质量。
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公开(公告)号：CN115442546B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211051753.6
申请日：2022-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/71
摘要： 本发明公开了一种具有电荷泄放功能的帧转移CCD及其控制方法，包括依次层叠形成的具有第一掺杂类型的衬底和具有第二掺杂类型的阱层以及形成于所述阱层至上的埋沟以及并排形成于所述埋沟之上的光敏区、存储区和水平区，所述光敏区电连接有一驱动所述光敏区的第一区域下方的埋沟进行电荷泄放的第一驱动时钟；所述第一驱动时钟控制所述电荷在一预设的第一时钟脉冲内于所述第一区域下方的埋沟泄放至衬底，能够很好兼顾帧转移CCD的灵敏度和成像质量。
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公开(公告)号：CN116936595A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311142254.2
申请日：2023-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
发明人： 杨洪
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明涉及一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构，属于电子电路领域。该结构由抗过饱和溢出栅、抗过饱和溢出势垒、抗过饱和溢出漏和沟阻构成；抗过饱和溢出势垒位于抗过饱和溢出栅下0.5μm位置，抗过饱和溢出漏位于抗过饱和溢出栅一侧，CCD垂直转移沟道位于抗过饱和溢出栅另一侧，CCD垂直转移沟道在强光下产生的过饱和信号越过抗过饱和溢出势垒进入抗过饱和溢出漏，避免过饱和信号溢出至临近CCD垂直转移沟道；在N型硅衬底之上，通过注入能量为2MeV高能注入B+离子高温推结形成深度约5μm的深P阱；N型衬底施加5V的正向偏置电压，确保N型衬底不会倒灌信号至CCD垂直转移沟道；有利于降低抗过饱和溢出电压。
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公开(公告)号：CN115442546A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211051753.6
申请日：2022-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种具有电荷泄放功能的帧转移CCD及其控制方法，包括依次层叠形成的具有第一掺杂类型的衬底和具有第二掺杂类型的阱层以及形成于所述阱层至上的埋沟以及并排形成于所述埋沟之上的光敏区、存储区和水平区，所述光敏区电连接有一驱动所述光敏区的第一区域下方的埋沟进行电荷泄放的第一驱动时钟；所述第一驱动时钟控制所述电荷在一预设的第一时钟脉冲内于所述第一区域下方的埋沟泄放至衬底，能够很好兼顾帧转移CCD的灵敏度和成像质量。
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公开(公告)号：CN115332283A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210963507.1
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明涉及一种行间转移电荷耦合器件像元结构，包括衬底，所述衬底上设置有光敏区和垂直区，所述光敏区的四周环绕设置有一圈第一沟阻；所述垂直区设置有埋沟，所述垂直区的远离光敏区的一侧设置有第二沟阻；在所述光敏区和垂直区之间设置有读出势垒，在所述垂直区和读出势垒的上端覆盖有栅氧，所述栅氧的上端覆盖有垂直驱动相；光敏区上覆盖有p+层，所述p+层的外沿交叠在第一沟阻上；所述p+层在邻近读出势垒的位置处设置有p+层留白区域。本发明中，通过在p+层邻近读出势垒的位置处设置p+层留白区域，能够避免形成阻挡势垒，从而在电荷转移时形成阶梯形貌电势分布，电荷信号可以顺畅的从光敏区读出至垂直区。
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公开(公告)号：CN107046046B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710242863.3
申请日：2017-04-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明提出了一种CCD像元结构，由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成，其中，感光区由N型区和P型区组成，N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是：提出了一种新的CCD像元结构，该CCD像元结构能够在光生电荷产生之初就对其进行电荷倍增处理，如果只需要进行一次电荷倍增处理，就不必再在后端设置相应的电荷倍增结构，如果需要进行两次电荷倍增处理，只需将其与现有的电荷倍增手段相结合就能实现。
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