-
公开(公告)号：CN111623552B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010738144.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 浙江赋同科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及低温技术领域，本发明的技术方案为：一种采用吸附式制冷机与G‑M制冷机集成的低温恒温器，包括支架和固设于所述支架上的冷头固定板，所述冷头固定板上设有光纤进出密封接口和低温同轴电缆进出接口，所述冷头固定板的上端设有G‑M制冷机，所述冷头固定板的下端连接真空罩，所述G‑M制冷机的冷头连接在冷头固定板的中间并且延伸至所述真空罩内部，所述冷头的中部连接第一级冷平台，所述第一级冷平台下端连接有第一级冷屏，所述冷头的端部连接有第二级冷平台，所述第二级冷平台下方连接吸附床冷屏罩，所述吸附床冷屏罩内设有吸附式制冷机，所述第二级冷平台下端连接有第二级冷屏，所述第二级冷屏将吸附式制冷机笼罩在内。
-
公开(公告)号：CN111693738A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010402144.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多通道高频芯片的低温测试结构，包括芯片定位印制电路板、多通道接口电路板和施压装置，所述芯片定位印制电路板用于放置待测芯片；所述多通道接口电路板上设置有多路金属探针结构，所述金属探针结构用于实现待测芯片与外部设备的信号输入与输出；所述施压装置用于施加压力使得芯片定位印制电路板上的待测芯片的引脚pad与所述多通道接口电路板上的多路金属探针接触以实现电连接。本发明能保证测试中芯片的完整无损。
-
公开(公告)号：CN108051405B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
-
公开(公告)号：CN106549099B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510593955.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法，包括：SOI基片，由下至上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅；第一抗反射层，位于顶层硅的表面；第二抗反射层，位于背衬底的表面；深槽，贯穿第二抗反射层、背衬底及埋氧层；光学腔体结构，位于第一抗反射层的表面；超导纳米线，位于第一抗反射层与光学腔体结构之间；反射镜，位于光学腔体结构的表面。通过在衬底上刻蚀深槽，拉近了耦合光纤与器件的距离，避免了传统背面耦合结构超导纳米线单光子探测器件中长聚焦透镜的使用，便于光纤MU头与器件的对准耦合；避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题及衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率，提高了器件探测效率。
-
公开(公告)号：CN108735850A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710257378.3
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J11/00 , H01L29/0603 , H01L29/0684
Abstract: 本发明提供一种具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件及其制作方法，所述具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线单光子探测器件，具有器件有效区域；辅助环，位于所述超导纳米线单光子探测器件的表面，且位于所述器件有效区域外围；所述辅助环在显微镜物镜观测下具有与所述超导纳米线单光子探测器件不同的亮度。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件表面设置辅助环，在光耦合时，物镜观测光穿过衬底后辅助环与超导纳米线单光子探测器件其余部分的亮度对比度明显，辅助环可以清晰分辨，器件上方的光纤所出的光在器件上产生的光斑可以很容易地对准到辅助环中心，从而也就是对准到了器件有效区域中心。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558632B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510593862.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种高偏振消光比超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜的表面；介质层，位于所述高反膜的表面，且包覆所述超导纳米线；光栅结构，位于所述介质层的表面。本发明的高偏振消光比超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底，采用正面光耦合方式可避免了衬底Fabry‑Perot腔会对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率；通过光栅结构尺寸设计可实现非目标极化光滤波功能，进而有效提高器件探测效率及偏振消光比。
-
公开(公告)号：CN107507911A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678338.6
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
CPC classification number: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器，所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部；其中，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线，各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线，可以降低器件的总电感，提升器件的响应速度，器件内的电流得以提升，提高器件的信噪比。
-
公开(公告)号：CN104064631B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410334717.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器；其中，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。本发明操作简单，仅需在衬底上集成短波通多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率，另外，只需要过滤波长范围大于1550nm的光波，降低了设计要求，有利于滤波器的实现。
-
公开(公告)号：CN101820046A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010143759.7
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明涉及一种本征结的制备方法，包括：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并固定超薄单晶于基片上；(3)超薄单晶选择及厚度确定；(4)本征结制备；其中，步骤(2)中，通过多次剥离BSCCO单晶薄片，将肉眼看不到的单晶碎片吸附于基片表面。步骤(3)根据需要选择合适大小和厚度的单晶用于本征结制备。本发明的优点是：(1)采用了超薄的单晶，厚度远小于材料的穿透深度，从而可以有效的吸收被探测信号。同时薄超导单晶有助于本征结和基片之间的热扩散；(2)制备过程没有采用胶固定工艺，有助于超导材料和基片之间的热扩散；(3)单晶表面和基片之间的高度差仅为单晶本身厚度，从几十到几百纳米，和薄膜厚度相当。
-
公开(公告)号：CN118567127A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410737573.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种推挽式热光调制器、调制方法及光芯片，包括：马赫曾德尔干涉结构及热光调制电极，热光调制电极接收调制信号并实现对马赫曾德尔干涉结构中光信号相位的调制；热光调制电极包括第一电极部及第二电极部，第一电极部与第二电极部形成回路；第一电极部与第二电极部的第一结合部形成加热点，第一电极部与第二电极部的第二结合部形成制冷点，加热点和制冷点分别作用于马赫曾德尔干涉结构的第一调制臂波导及第二调制臂波导上；其中，第一电极部与第二电极部的材质不同。本发明的推挽式热光调制器、调制方法及光芯片利用两种不同的材料同时构建加热点和制冷点，形成推挽式热光调制模式，有效加快调制速度、提升调制效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.039 seconds)
