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公开(公告)号：CN105785288A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410809764.5
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01V3/165
Abstract: 本发明提供了一种基于低温超导SQUID的航空磁测量装置，包括数据采集器、供电单元、无磁辅助系统支架、法拉第笼、读出电路和姿态测量模块、低温超导SQUID传感器单元、无磁杜瓦固定桶、吸振材料、无磁装置底撑板和吸振部件；所述无磁辅助系统支架和所述无磁杜瓦固定桶均固定在所述无磁装置底撑板上；所述低温超导SQUID传感器单元置于所述无磁杜瓦固定桶内，且所述低温超导SQUID传感器单元和所述无磁杜瓦固定桶间填充有所述吸振材料；所述法拉第笼包覆整个测量装置。本发明的基于低温超导SQUID的航空磁测量装置，能够提升低温超导SQUID系统对测试外场复杂电磁环境的抗干扰能力，消减航空磁测量过程中引入的高、低频机械振动。
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公开(公告)号：CN105676152A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610066331.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
CPC classification number: G01R33/035 , H01L39/24 , G01R33/0356
Abstract: 本发明提供一种直读式磁通调制读出电路及方法，包括：SQUID器件；对SQUID器件输出信号放大的前置放大器；滤除直流量和低频噪声的高通滤波器；调制解调信号发生器；对高通滤波器的输出信号解调的解调器；积分并产生响应电压信号的积分器；将响应电压信号后反馈至SQUID器件的反馈模块。通过调制使SQUID器件的工作点在两个工作点之间跳跃，两个工作点的变化趋势相反，被测信号经过放大、高通滤波、解调、积分后反馈回SQUID器件，以此锁定工作点。本发明通过高通滤波器实现了对前置放大器低频噪声和输出直流偏置的隔离；SQUID磁通-电压转换系数不会因负载效应而降低；不会对SQUID磁通电压曲线产生高次谐波失真；避免了变压器的热噪声问题；电路结构更简单，实用性更强。
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公开(公告)号：CN105655242A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410675336.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区；对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温，以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底；然后在甲烷环境下进行第二阶段保温，以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质，利用离子注入技术，实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂，从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。
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公开(公告)号：CN102856184B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210385176.4
申请日：2012-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后利用H2O为氧化剂及金属源反应，采用原子层沉积法于所述石墨烯表面沉积金属氧化物薄膜作为高k栅介质层。本发明具有以下有益效果：本发明通过引入的金属薄膜，可以有效地在石墨烯晶格中引入悬挂键，同时在后续金属溶解工艺中能够很好的保留顶层石墨烯，由于悬挂键的作用，可以通过原子层沉积法制备均匀且超薄的高k栅介质层。
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公开(公告)号：CN103935998B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410196389.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯水溶液的制备方法，其特征在于利用石墨烯量子点作为分散剂，在水溶液中与石墨烯片发生非共价结合，促进石墨烯在水中的分散，从而获得可稳定分散的石墨烯水溶液。本发明的技术方案包括以下步骤：(1)制备石墨烯粉体、石墨烯量子点水的混合物，得到石墨烯悬浊液；(2)机械分散上述混合物，获得稳定的石墨烯水溶液。与现有石墨烯水溶液的制备技术相比，本发明充分利用石墨烯量子点在水中良好的分散性，辅助分散在水中难以分散的石墨烯粉体，获得稳定分散的石墨烯水溶液，工艺简单。克服了以往在水中分散石墨粉体中必须引入表面活性剂和聚合物等难以去除的难题，非常适合石墨烯水溶液的批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105405965A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510908225.1
申请日：2015-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L43/065 , G01R33/0052 , H01L43/14
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—h-BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接，将大大降低器件的接触电阻及功耗。
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公开(公告)号：CN102944855B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210393486.0
申请日：2012-10-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及超导量子干涉器件（SQUID，Superconducting QUantum Interference Device）技术领域。其特征在于将多环结构SQUID与电感线圈、电阻集成在一起构成全集成多环结构SBC SQUID，其中两个电感线圈分别与多环结构SQUID器件存在磁耦合，另一个电感作为器件的反馈线圈，两个电阻分别是器件的并联支路电阻和器件的加热电阻。本器件具有功能全面、易于调整参数等特点，而且因为器件结构均是由窄条薄膜构成，减小了磁通蠕动效应的影响，提高了器件对工作环境的适应能力。
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公开(公告)号：CN105002562A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510434137.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。
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公开(公告)号：CN103265021B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310207387.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni-Cu合金，而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出，在所述Ni-Cu合金表面重构形成石墨烯。本发明获得的石墨烯薄膜具有质量好、大尺寸且层数可控的优势，且易于转移。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，本发明的层数可控石墨烯的生长方法将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。
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公开(公告)号：CN104803380A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510239652.5
申请日：2015-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，以天然石墨或人造石墨为原料，在水相环境下进行边缘氧化插层，不破坏面内石墨结构，增大石墨片边缘层间距离，采用气泡剥离法对其进行剥离，从边缘逐渐扩大石墨片层之间的层间距离，使石墨片层间相互脱离，达到剥离效果，获得水溶性的石墨烯。本发明操作流程简单、安全、无污染，制得的石墨烯质量高；由于本发明获得的石墨烯具有水溶性、完美结构和可控尺寸的优点，因此本发明可应用于透明导电薄膜、导热胶、导电浆料、高阻隔复合材料等领域。
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