公开(公告)号：CN102208491B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110133302.2

申请日：2011-05-20

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 李涛 ,  周春兰 ,  王文静

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法。该方法采用质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液处理氮化硅表面，持续时间5～120秒，以减小薄膜与溶液的接触角，进而增加薄膜表面的亲水性。

公开(公告)号：CN102254814A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110234519.2

申请日：2011-08-16

Applicant: 中国科学院电工研究所 ,  中轻太阳能电池有限责任公司

Inventor： 李涛 ,  周春兰 ,  宋洋 ,  郜志华 ,  罗运强 ,  段野 ,  李友忠 ,  王文静

IPC: H01L21/311 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。

公开(公告)号：CN101956180A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010231360.4

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 周春兰 ,  李涛 ,  王文静

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34

Abstract: 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法，其特征在于，首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiNx:H减发射薄膜，然后在原位先用N2等离子体进行表面物理轰击，时间为10-15秒，以去除SiNx:H薄膜键合较弱的-N(-NH2，-NH)和打断Si-H键得到未成键的Si+，接着用NH3或者NH3和N2混合等离子体进行表面处理，时间为10-20秒，使氮化硅薄膜中的未成键的Si+与N+键合形成Si-N键。所述的SiNx:H薄膜是构成太阳电池表面减反射层的一部分。