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公开(公告)号：CN115000243B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210593575.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/0747
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公开(公告)号：CN114883427B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210578784.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种高效晶硅异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的晶硅异质结太阳电池通过减小载流子选择性接触层在电池迎光面上的面积占比，使更多太阳光进入到晶硅衬底中，从而提升电池短路电流密度。同时，所述的制备方法不影响电池表面的钝化效果，可确保电池保持高开路电压和高填充因子，也不显著增加电池制备过程的复杂性，便捷易实施。
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公开(公告)号：CN114883424A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210576903.9
申请日：2022-05-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法，属于光伏发电技术领域。本发明通过采用不同的牺牲层对电池的不同构成功能层进行保护，可确保图形化结构从第一牺牲层往电池构成功能层上转移的过程中不会对电池构成功能层产生任何损伤，所述的构成牺牲层的硅薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜材料，性质稳定，对电池构成功能层的制备过程也不会产生影响，不影响太阳电池表面的钝化效果，也不影响光生少子的传输和收集，从而保障全背接触晶硅异质结太阳电池具有获得高转换效率的潜力，为全背接触晶硅异质结太阳电池的低成本制备提供一种可行途径。
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公开(公告)号：CN114122154A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111180819.7
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池，包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层；第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层。本发明采用梯度金属氧化物层，减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧，避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应，提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的钝化性能，进而提升太阳电池的热稳定性。
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公开(公告)号：CN111048233B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911294173.8
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了一种异质结太阳电池用电极浆料及其制备方法，属于电子材料的制备领域。本发明提供的电极浆料，包括以下质量百分含量的组分：89％～95％纳米银铜复合物、4～8％树脂和1～3％助剂；所述纳米银铜复合物由包括以下组分的原料制备得到：可溶性铜盐、可溶性银盐、水、pH调节剂、还原剂、有机溶剂和表面活性剂。本发明采用纳米银铜复合物作为原料，在纳米银中复合纳米铜，相较于现有技术中采用纯纳米银粉末作为原料，能够显著的降低电极浆料的成本；且可以在150℃条件下实现部分熔融，使制成的电极浆料固化后的电阻率低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111139076B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201811313605.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学腐蚀液，属于硅片刻蚀技术领域；该化学腐蚀液的特征在于包含有MnO2颗粒的HNO3/HF/H2O溶液。将该腐蚀液用于硅片腐蚀时，MnO2颗粒沉降于硅片表面起到掩膜的作用，使HNO3/HF/H2O腐蚀硅片的反应主要在MnO2颗粒之间的区域发生，由此可以提高腐蚀坑的高宽比，降低硅片表面的光反射率；同时，MnO2颗粒与硅接触的位置将硅氧化成SiO2，生成的SiO2再被HF去除，露出的硅与MnO2接触并继续发生如上反应，逐渐消耗MnO2颗粒，反应的综合效果是改善了绒面的减反射性能，从而能够在多晶硅片表面得到反射率较低的高性能绒面，且具有工艺简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN111969070A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010823142.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法。本发明提供的太阳电池，包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化物层、第二透明导电膜层和上电极层；所述背电极层为功函数梯度设置的背电极层。本发明通过上述结构的设置可以使金属氧化物中少量的氧迁移到背电极，降低其与非晶硅中氢的反应几率，从而可以提高所述太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN111040766A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911360376.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C09K13/08 , H01L31/0236 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种多晶硅片制绒液、黑硅材料的制备方法及其在加速PERC电池LeTID恢复中的应用。该多晶硅片制绒液包括：HF、Mn(NO3)2、聚N-乙烯基乙酰胺和水。采用这种多晶硅片制绒液，无需在制绒前去除损伤层，可以直接将多晶硅片浸入其中进行刻蚀，在较温和的环境下实现快速制绒，刻蚀后的多晶硅片清洗去除杂质后即可用于太阳能电池的制备，使用方便、制绒时间短。本发明还提供一种黑硅材料的制备方法及其应用，该黑硅材料用于多晶硅PERC电池加工工艺时具有加速LeTID恢复的特性，能够提高电池发电效率，有利于多晶硅PERC电池的推广与应用。
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公开(公告)号：CN110265296A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910554252.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法，属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂，而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境，在酸性环境中，固体MnO2表现出氧化性，与硅片接触可以将硅氧化，生成的SiO2被HF酸刻蚀，露出新的硅表面与固体MnO2接触，继续被氧化，随着反应进行，在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构，固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀，还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备，不需要使用贵金属，也不需要使用硝酸，即可得到反射率低的绒面。
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公开(公告)号：CN106098808B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610649477.1
申请日：2016-08-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极，该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极，底层为阻扩散层镍电极，中层为导电层铜电极，顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相，结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能，在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆，依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极，低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极，替代贵金属银电极。
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