基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN102254969B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201110235828.1

    申请日:2011-08-17

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型区上覆设电流扩展层,该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极;该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化,制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题,也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题,使器件不仅具有纳米结构特性,而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。

    异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102723397A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210203861.0

    申请日:2012-06-20

    CPC分类号: Y02E10/544 Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种异质结太阳能电池,包括一具有第一导电类型的第一薄膜,以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜,所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层,第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法,包括步骤:1)在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层;2)在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区;3)在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层;4)在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层,且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。

    光学测试系统
    43.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210834097U

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201921786506.4

    申请日:2019-10-23

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本实用新型提供一种光学测试系统,包括激光器、电源、光路调节结构、样品承载结构、第一聚焦透镜、分光器及处理器,样品承载结构包括样品室和样品台,样品台设置于样品室中,样品台用于承载样品,光路调节结构、样品承载结构依次设置于激光器的出射光路上,电源与样品电性连接,第一聚焦透镜、分光器、处理器依次设置于样品的激发光的出射光路上,分光器位于第一聚焦透镜的后焦平面。激光器、光路调节结构、样品承载结构、第一聚焦透镜、分光器及处理器用于对样品进行光致发光测试;电源、样品承载结构、第一聚焦透镜、分光器及处理器用于对样品进行电致发光测试,从而能够同时对样品进行光致发光测试和电致发光测试,提升了测试效率。

    人工光合作用系统
    44.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209741126U

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201920088811.X

    申请日:2019-01-18

    IPC分类号: C12M1/00

    摘要: 本实用新型公开了一种人工光合作用系统。所述人工光合作用系统包括相互电连接的光阳极和光阴极,所述光阳极、光阴极分别与第一反应液、第二反应液配合,第一反应液与第二反应液之间经离子交换膜连通,光阳极包括半导体结构及与半导体结构键合的光伏电池单元,光阳极至少能够在第一反应液内促成H2O的光催化分解,光阴极包括纳米线以及与纳米线接触的生物助催化剂,并且光阴极至少能够在第二反应液内促成CO2的还原。本实用新型的人工光合作用系统可提高光利用率及载流子传导,进而提高光合作用还原效率;拓宽了半导体材料和生物相结合的光催化领域的应用,可以有效解决常用于光催化的氧化物材料转换效率低和稳定性差的问题。

    光合反应装置
    45.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209735575U

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201920206307.5

    申请日:2019-02-18

    IPC分类号: B01J19/12 B01J19/08

    摘要: 本实用新型公开了一种光合反应装置,包括反应槽、质子交换膜、氧化电极、还原电极和导线,质子交换膜设于反应槽内以将反应槽分隔为第一槽和第二槽,氧化电极设于第一槽的底部,还原电极设于第二槽的底部,氧化电极和还原电极通过导线彼此连接,氧化电极包括金属层、光电转换器件和电极反应层,金属层与导线连接,光电转换器件和电极反应层依序叠层于金属层上。本实用新型提高了太阳光的利用率。