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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
摘要： 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114005895B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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公开(公告)号：CN105280745B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201410247480.1
申请日：2014-06-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN104979312A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410148441.6
申请日：2014-04-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L23/482 , H01L31/043 , H01L21/60
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种半导体结构，包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片，其中，所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层，所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括前述的半导体结构，所述半导体器件为激光器、探测器或太阳能电池。本发明还公开了如前所述的半导体结构的制备方法。本发明通过在键合界面中设置有纳米孔阵列结构层，从而抑制了键合界面光损耗和电损耗，并提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN111834489B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910302110.6
申请日：2019-04-17
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1‑mGamN纳米柱、第二Al1‑xGaxN纳米柱、以及第三Al1‑zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1‑aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN110653375B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810700931.0
申请日：2018-06-29
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种层状复合材料，包括合金层和镍铜合金层，所述合金层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合，所述合金层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备方法及其在锅具中的应用。本发明提供的层状复合材料解决了现有复合材料中存在的抗氧性差、脆性大、硬度不高、结合力差等问题。
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公开(公告)号：CN103247638B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310153381.2
申请日：2013-04-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层，构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构；在所述衬底和第一N+中间接触层之间，设有P+下接触层，在所述第二N+中间接触层上，设有P+上接触层，各接触层上设有对应的引出电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN104716238A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310675320.2
申请日：2013-12-12
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L31/035209 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L33/0062
摘要： 本发明公开了一种双色光电器件，包括p型GaAs衬底，形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱，以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层，所述双色光电器件为单片集成的单个器件。本发明还公开了一种双色光电器件的制作方法。由于本发明的双色光电器件为单片集成的单个器件，成本低，利于小型化设备的制造。
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公开(公告)号：CN103305809A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310258291.X
申请日：2013-06-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 一种温度连续可调的喷淋头，用于进行金属有机化学沉积反应，包括：进气单元；反应室上盖；连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管；其特征在于，还包括：调温盘组件，调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道，调温盘内设有供冷却介质流通的空腔，相对密封的空腔与入口通道和出口通道与空腔连通，调温盘上还对应喷淋管设有通孔，喷淋管穿插于通孔中，高温盘可上下移动连接于反应室上盖和进气单元之间；位移装置，用于调节调温盘组件上下移动。本发明可通过改变调温盘与反应室上盖的距离来调整反应室内顶端空间的温度，在生长HEMT器件、LED行业广泛应用，不仅可以解决反应室内温度梯度的有效控制问题，还能提高源的使用效率。
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公开(公告)号：CN103247638A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310153381.2
申请日：2013-04-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层，构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构；在所述衬底和第一N+中间接触层之间，设有P+下接触层，在所述第二N+中间接触层上，设有P+上接触层，各接触层上设有对应的引出电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。
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