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公开(公告)号：CN111816711B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010877959.9
申请日：2020-08-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L29/96 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
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公开(公告)号：CN112349804A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910726164.5
申请日：2019-08-07
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种柔性太阳能电池的制作方法，该方法包括如下步骤：在柔性塑料衬底上形成第一子电极层；在刚性衬底上形成外延层，在外延层的背向刚性衬底的一面上形成第二子电极层；将第一子电极层的背向柔性塑料衬底1的一面与第二子电极层的背向外延层的一面之间进行键合，以形成第一电极；去除刚性衬底。本发明解决了现有的柔性塑料衬底材料的耐热性较低，在生长Ⅲ‑Ⅴ太阳电池的外延层结构的时候容易挥发，生长困难，导致无法正常制作太阳电池的问题。
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公开(公告)号：CN111816728A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010830174.6
申请日：2020-08-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管包括衬底以及形成在衬底上的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的倍增层、电荷层和吸收层；其中，电荷层与吸收层之间设有第一波导层，吸收层的背向电荷层的表面上设有第二波导层，第一波导层的折射率和第二波导层的折射率小于吸收层的折射率。本发明解决了现有的雪崩光电二极管的吸收层的厚度太大从而增加载流子渡越吸收层的时间，降低雪崩光电二极管的响应速度的问题。
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公开(公告)号：CN102738292A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210203859.3
申请日：2012-06-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。
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公开(公告)号：CN102738290A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210203828.8
申请日：2012-06-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN113314398B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110570556.4
申请日：2021-05-25
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/201 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/44
摘要： 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中，通过在GaP/Si衬底上外延生长GaP缓冲层、InP/InGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层，可以获得高晶体质量的缓冲层，解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题，有效过滤衬底与InGaAs薄膜之间由于晶格失配引起的位错，较好的释放应力。
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公开(公告)号：CN111668337B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010423477.6
申请日：2020-05-19
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18 , H01L25/07
摘要： 本发明提供了一种探测器，其包括：探测芯片、温度传感器件、电绝缘层；所述电绝缘层设置于所述探测芯片的正表面上，所述温度传感器件设置于所述电绝缘层的背向所述正表面的表面上。本发明还提供了一种探测器的制作方法以及探测装置。本发明通过将温度传感器件通过片上集成的方式直接集成到探测芯片上，即集成到探测芯片的外表面，从而实现对探测芯片自身的工作温度进行直接和连续地实时监测，同时无需对探测芯片的结构进行改变，进而也就不需要重新设计探测器芯片的制作工艺。
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公开(公告)号：CN116799083A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310162749.5
申请日：2023-02-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明揭示了一种量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法，所述太阳电池从下向上依次包括柔性衬底、InGaAs底电池、布拉格反射器、量子阱中间电池及GaInP顶电池，所述量子阱中间电池从下向上依次包括GaInP层、GaAs缓冲层、多个量子阱结构及GaAs发射层，所述量子阱结构为未掺杂的InGaAs/GaAsP量子阱结构。本发明的量子阱多结叠层柔性太阳电池通过改进子电池结构，巧妙利用量子阱和高通布拉格反射器拓展光谱范围，产生子带隙电流，大幅度提升了太阳电池的短路电流密度，从而提升了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116454146A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310209697.2
申请日：2023-03-07
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/054 , H01L31/0693 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法。所述自聚光长波失配InGaAs电池包括外延结构以及与所述外延结构匹配的第一电极、第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的InP衬底、InAsxP缓冲层和InGaAs外延层，所述InAsxP缓冲层的As组分含量沿选定方向渐变，所述InP衬底和InGaAs外延层之间的应力弛豫在InAsxP缓冲层内，其中，0＜x＜1。本发明提供的一种自聚光长波失配InGaAs电池，提高了外延层的质量，并且提高了电池的光电效率以及可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113284965A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110528418.X
申请日：2021-05-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层及InxGa1‑xAs外延层，其中：所述第一缓冲层为InP缓冲层；所述第二缓冲层包括若干由下向上As组分递增的InAsyP1‑y应力调制缓冲层；所述InxGa1‑xAs外延层为高In组分的InxGa1‑xAs外延层。本发明通过生长As组分递增的InAsyP1‑y应力调制缓冲层，能突破InxGa1‑xAs外延层和InP衬底之间的晶格常数限制，释放晶格失配应力，降低外延层表面粗糙度，获得高质量的高In组分InGaAs外延层，从而提高光电器件的性能。
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