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公开(公告)号：CN113630951B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110895550.4
申请日：2021-08-05
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种无液氦射频超导加速器，其带电粒子束流经注入系统产生和引出，经束流传输系统被引入到加速模组，功率源系统向加速模组提供射频功率，低电平与控制系统监测运行、维持超导腔内的电磁场幅度和相位稳定，带电粒子在加速模组内得到加速后，再经束流传输系统被引入应用终端。本发明通过固体传导的方式对超导腔进行冷却，使超导腔在低温下稳定运行，加速带电粒子束流，摆脱当前射频超导加速腔只能浸泡在液氦里的冷却方式，省去结构复杂的液氦浸泡冷却恒温器和造价昂贵占地规模大的液氦低温站，价格便宜、占地面积小、结构简单、布局紧凑、运维方便等优点，能够显著降低射频超导加速器的应用难度，大大拓展射频超导加速器的应用范围。
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公开(公告)号：CN115852302A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211590083.5
申请日：2022-12-12
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： C23C10/08
摘要： 本发明公开了一种通过物理吸附有效避免铌三锡薄膜表面生成残余锡滴的方法。本发明采用物理吸附法避免镀膜过程中产生锡滴，包括如下1)和/或2)：1)在镀膜过程中的高温生长阶段结束后，关闭镀膜腔体下部位置处的锡源加热电源，或关闭镀膜腔体上部位置处的炉膛加热带电源，以在镀膜腔体的锡蒸汽入口处和出口处形成低温区冷阱，对镀膜腔体内部的锡蒸汽形成低温冷阱吸附；2)在镀膜过程中，在镀膜腔体的锡蒸汽出口处设置陶瓷片，以吸附弥散的锡蒸汽。本发明物理吸附方法可有效避免在镀膜过程中在Nb3Sn薄膜表面出现锡滴，从而避免其影响Nb3Sn薄膜超导腔的射频超导性能；该方法可适当放宽对镀膜条件的精确控制，从而大幅度降低锡蒸汽扩散工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN114990552A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210634294.8
申请日：2022-06-07
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种利用微量可控化学处理手段有效去除锡蒸汽扩散法Nb3Sn薄膜表面残余锡滴的方法。现有锡蒸汽扩散法镀Nb3Sn薄膜工艺不可避免造成Nb3Sn表面残留一些纳米级锡滴。与Nb3Sn(Tc～18K)相比，Sn的超导转变温度只有3.7K，因此，Nb3Sn表面残余锡滴的存在将限制Nb3Sn薄膜的超导性能。本发明提出的微量可控化学方法可成功将Nb3Sn表面残余锡滴有效去除，同时降低锡蒸汽扩散Nb3Sn薄膜生长条件的精确控制要求，从而大幅度降低锡蒸汽扩散工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN113385894B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110648823.5
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： B23P15/00
摘要： 本发明公开了一种基于高导热材料和高射频性能超导材料复合板的射频超导谐振腔的制备方法。该方法包括下述步骤：1)双层材料A/B复合板准备；2)腔体零部件成型；3)机加工制作法兰；4)除干净真空电子束焊缝区域的材料B；5)零部件超纯水清洗、超声波清洗和晾干；6)零部件材料A表面电子束焊接前酸洗约5‑10微米；7)酸洗后的零部件的超纯水清洗、超声波清洗和晾干；8)整腔零部件真空电子束焊接；9)整腔焊缝区域覆材料B，即得。
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公开(公告)号：CN113811064A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010528556.3
申请日：2020-06-11
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种Nb3Sn超导加速腔的热处理方法。该方法包括以下步骤：1)对Nb3Sn超导加速腔进行洁净装配前的后处理，如超声波清洗、高压纯净水冲洗；2)Nb3Sn超导加速腔的洁净装配；3)Nb3Sn超导加速腔洁净装配后的真空检漏；4)Nb3Sn超导加速腔的高真空低温烘烤。本发明的热处理工艺能够显著降低Nb3Sn超导加速腔的表面电阻，从而降低Nb3Sn超导加速腔的功率损耗；能够消除Nb3Sn超导加速腔在加速梯度小于5MV/m时品质因子随梯度显著下降的问题，从而增大Nb3Sn超导加速腔的有效加速梯度。
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公开(公告)号：CN113382527A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110647936.3
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种复合结构超导谐振加速腔，其内层材料为高超导性能材料，因此该复合结构超导腔会具有良好的射频性能；其外层材料为高导热材料，因此可以有效增大外层材料的厚度，一方面可以显著提高复合超导腔的机械稳定性，有效抑制氦压波动、洛伦兹失谐、颤噪等因素等带来的频率失谐，另一方面可以为复合超导腔内表面功率损耗产生的热量提供良好的横向传递通道，有效减缓复合超导腔因缺陷、二次电子倍增效应、场致发射效应而出现热失超，显著提高复合超导腔运行的热稳定性。
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公开(公告)号：CN110213878B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910455839.7
申请日：2019-05-29
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种高频谐振腔，包括第一半腔、第二半腔、调谐电容板和耦合电感；第一半腔和第二半腔上下对称布置，第一半腔和第二半腔均包括短路片、内杆、外筒、敷面和Dee板；两Dee板分别连接在两内杆的第一端，两Dee板上下对称布置；两外筒分别套设在两内杆的外部，且两外筒的第一端与一敷面连接，两敷面分别设置在两Dee板的外侧并连接在一起，以将Dee板包围在其中；调谐电容板设置在Dee板尾端和敷面之间的中平面且可水平移动；短路片设置在内杆的第二端，耦合电感与短路片可转动地连接。本发明不仅使电压分布曲线均衡，而且能够在调节较少变量的情况下实现频率的调谐和电压分布均匀上升，腔体的品质因数高，结构简单紧凑，易于加工制造安装和便于操作控制。
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公开(公告)号：CN111237464A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010049918.0
申请日：2020-01-16
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： F16J15/20 , F16J15/18 , F16J15/3232 , C25F7/00 , C25F3/16
摘要： 本发明涉及一种旋转动密封结构及旋转电解抛光装置。本发明所述旋转动密封结构在定子和转子的密封连接处采用双唇型结构动密封圈，该动密封圈的材料为聚四氟乙烯材料，所述旋转动密封结构在定子和转子的轴肩连接处采用滑动轴承连接，所述旋转动密封结构在定子和转子的内外圈相对转动处采用深沟球轴承连接。本发明所述旋转动密封装置及旋转电解抛光装置，既具有耐腐蚀的特点，又可以保障装置的同轴度等工艺参数，具备可靠和安全性等特点，其解决了强腐蚀电解质环境下尤其是大通径工件的内表面旋转电解化学抛光工艺的实现问题。
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公开(公告)号：CN110213878A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910455839.7
申请日：2019-05-29
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种高频谐振腔，包括第一半腔、第二半腔、调谐电容板和耦合电感；第一半腔和第二半腔上下对称布置，第一半腔和第二半腔均包括短路片、内杆、外筒、敷面和Dee板；两Dee板分别连接在两内杆的第一端，两Dee板上下对称布置；两外筒分别套设在两内杆的外部，且两外筒的第一端与一敷面连接，两敷面分别设置在两Dee板的外侧并连接在一起，以将Dee板包围在其中；调谐电容板设置在Dee板尾端和敷面之间的中平面且可水平移动；短路片设置在内杆的第二端，耦合电感与短路片可转动地连接。本发明不仅使电压分布曲线均衡，而且能够在调节较少变量的情况下实现频率的调谐和电压分布均匀上升，腔体的品质因数高，结构简单紧凑，易于加工制造安装和便于操作控制。
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公开(公告)号：CN108156745A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810138949.6
申请日：2018-02-09
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H05H7/22
摘要： 本发明公开了一种功率输入耦合器，包括：功率输入端，其输入功率；同轴转换器，与功率输入端相连，包括：外导体与内导体；高频陶瓷窗，与同轴转换器相连接，包括：陶瓷窗，该陶瓷窗包含一室温条件下的台阶圆柱陶瓷管，该台阶圆柱陶瓷管由沿着功率传输方向直径渐缩的至少两个圆柱陶瓷管组成；以及输出端外导体组件，与高频陶瓷窗连接，其输出功率。该功率输入耦合器的结构简单，焊接难度较低、窗体强度提高、保险系数增强。
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