用于轴向间隙式永磁旋转机械的转子

    公开(公告)号:CN102088215A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN201010577057.X

    申请日:2010-09-29

    CPC classification number: H02K1/2793 H01F41/0293

    Abstract: 一种轴向间隙式永磁旋转机械,其包括转子以及定子,该转子具有带有旋转轴线的转动轴,从转动轴沿径向延伸的盘形转子轭部,以及沿周向配置在转子轭部表面上的多个永磁块,使每个永磁块可具有平行于旋转轴线的磁化方向,该定子具有多个沿周向配置的线圈,并且该转子与该定子配置为在它们之间形成轴向间隙。在该转子中,每个永磁块是两个或多个经分割的永磁片组成的组件,磁片表面附近的保磁力高于磁片内部的保磁力。

    制备永磁体材料的方法
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101054646B

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN200710096121.0

    申请日:2007-04-13

    CPC classification number: H01F1/0573 H01F1/0577 H01F41/0273

    Abstract: 通过如下方法制备永磁体材料:将组成式为Rx(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa的各向异性烧结磁体机加工到比表面积至少为6mm-1,其中R是Sc、Y或者稀土元素,M是Al、Cu等,在600-1100℃下在含氢气的气氛中热处理,从而在R2Fe14B化合物上引发歧化反应,以及在600-1100℃下在降低的氢气分压下继续热处理,以便对R2Fe14B化合物引发重组反应,因而将R2Fe14B化合物相细分至晶粒尺寸≤1μm。

    稀土永磁体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101316674B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200780000372.2

    申请日:2007-03-28

    CPC classification number: B22F7/02 C21D6/00 C22C38/005 H01F1/0577 H01F41/0293

    Abstract: 一种稀土永磁体材料的制备方法,包括如下步骤:在R1aTbAcMd组成的烧结磁体本体的表面上布置粉末,其中R1是包括Sc和Y的稀土元素,T是Fe和/或Co,A是硼(B)和/或碳(C),M是Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta或W,所述粉末包含R2的氧化物、R3的氟化物或R4的氟氧化物,其中R2、R3和R4每种是包括Sc和Y的稀土元素并且具有等于或小于100μm的平均颗粒尺寸,并且在等于或者低于磁体本体烧结温度的温度下热处理磁体本体和粉末以便进行吸收处理,从而使所述粉末中的R2、R3和R4被吸收到所述磁体本体中,以及重复所述吸收处理至少两次。根据本发明,能够以具有高性能和最少用量Tb或Dy的R-Fe-B烧结磁体的形式制备一种稀土永磁体材料。

    功能梯度稀土永磁体
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101030467B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610019898.2

    申请日:2006-03-01

    CPC classification number: H01F1/0577 H01F1/058 H01F41/0266 H01F41/0293

    Abstract: 通过使E和氟原子从其表面吸收到R-Fe-B烧结磁体中获得了组成为RaEbTcAdFeOfMg的烧结磁体形式的具有降低的涡流损失的功能梯度稀土永磁体。使F分布成其浓度平均上从磁体中心向表面增加,围绕着(R,E)2T14A四方晶系主相晶粒的晶界中包含的E/(R+E)的浓度平均高于主相晶粒中包含的E/(R+E)的浓度,在从磁体表面向至少20微米深度处延伸的晶界区中的晶界处存在(R,E)的氟氧化物,在所述晶界区中以至少2,000个颗粒/平方毫米的数量分布等效圆直径至少1微米的氟氧化物颗粒,所述氟氧化物存在的面积分数至少为1%。所述磁体包括电阻高于磁体内部的表面层。在本发明的永磁体中,限制了磁路内涡流的产生。

    稀土类磁体的制备方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114402404A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202080065139.8

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明的稀土类磁体的制备方法如下:使用夹具(6)将多个烧结体(7)并列配置,使得多个烧结体(7)的第1面(21)沿着与垂直方向平行的面;在设置有在多个烧结体(7)的第1面(21)侧配置的靶(4)的第一成膜处理室(5)内,使膜在使用夹具(6)并列配置的多个烧结体(7)的第1面(21)上成膜;在设置有在多个烧结体(6)的第2面(22)侧配置的靶(4)的与第一成膜处理室(5)并列设置的第二成膜处理室(25)内,使膜在使用夹具(6)并列配置的多个烧结体(7)的第2面(22)上成膜;在第一成膜处理室(5)和第二成膜处理室(25)之间,使使用夹具(6)并列配置的多个烧结体(7)在水平方向移动。根据本发明,可提供能够通过利用由物理气相生长法形成的膜的晶界扩散法以稳定的品质且大量地制备高性能稀土类磁体的稀土类磁体的制备方法。

    制备R-Fe-B烧结磁体的方法
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107871581B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201710878362.4

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 本发明涉及制备R‑Fe‑B烧结磁体的方法。通过以下步骤制备R‑Fe‑B基烧结磁体:提供具有预定组成的合金细粉末;在施加的磁场中将合金细粉末压制成型为压坯;在900至1250℃的温度下将压坯烧结为烧结体;将烧结体冷却至400℃或更低;高温热处理,包括将包含HR的金属、化合物或金属间化合物放置在烧结体的表面上,在高于950℃至1100℃的温度下加热,以引起HR晶界扩散至烧结体中,并冷却至400℃或更低,其中HR是Dy、Tb和/或Ho,以及低温热处理,包括在400至600℃的温度下加热,并冷却至300℃或更低。烧结磁体Dy、Tb和Ho的含量低但产生高矫顽力。

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