一种应用于汽车OBD接头的锁头
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118610823A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410724273.4

    申请日:2024-06-05

    发明人: 黄辉斌

    IPC分类号: H01R13/639 H01F7/02

    摘要: 本发明公开了一种应用于汽车OBD接头的锁头,包括挡片、锁体,挡片的内侧设有凸起的凸片、堵片,凸片上安装有可旋转的锁片,堵片位于底侧以限制OBD母头在锁体内上下移动;锁体包裹OBD母头,锁体的顶部中央开设有锁孔用于卡住OBD母头顶部的凸块,锁体内部侧边设有限位部,限位部安装有吸引锁片卡在限位部的磁柱,以使得挡片、锁体卡接成一体。挡片还开设有钥匙孔,供钥匙插入以吸引锁片旋转错开限位部,通过将挡片、锁体分离实现解锁。本发明结构简单,可以快速安装到OBD接口上;采用磁性吸附设计,可以有效防止破锁、解锁,市面的钥匙、开锁方法均不适用;本发明的锁头能够有效防止非法分子OBD插头非法访问和数据篡改,增强了汽车OBD接口的安全性。

    基于人工自旋冰纳米磁体的可重构磁子晶体及其重构方法

    公开(公告)号:CN118136366B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410555608.4

    申请日:2024-05-07

    申请人: 南京大学

    IPC分类号: H01F7/02 H01F41/00

    摘要: 本发明公开一种基于人工自旋冰纳米磁体的可重构磁子晶体及其重构方法,属于磁振子电子学技术领域。本发明在铁磁层上设置同尺寸、不同尖端形状的纳米小磁体阵列,将其按照一定晶格常数和方向规律进行排列;按照磁结构需要,利用两种纳米小磁体尖端不同的磁化翻转,通过施加外加磁场,来改变样品的磁化状态,从而调节铁磁层中的磁畴状态,进而实现多种具有不同频谱和空间分辨模式的磁结构。本发明对未来设计可编程磁子电路提供了新型可重构磁子晶体的方案,并且方法简单,容易在实验中实现,对神经网络储备池计算需要多种磁结构的条件提供思路。

    一种抑制阴极回流的永磁结构及高功率微波产生系统

    公开(公告)号:CN118507195A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410589674.3

    申请日:2024-05-13

    IPC分类号: H01F7/02

    摘要: 本发明公开了一种抑制阴极回流的永磁结构及高功率微波产生系统,解决了现有永磁体结构中经常因为阴极回流造成明显的功率浪费的问题,具体包括均为圆环状且依次同轴排布的阴极底座区磁体、二极管区磁体、互作用区磁体及收集极区磁体;所述阴极底座区磁体包括由内至外依次同轴套装的第一轴向充磁永磁体、第一径向充磁永磁体以及第一软磁体;二极管区磁体的用于为二极管区产生引导磁场;互作用区磁体的内壁为异型环面,用于保证互作用区的磁场均匀性;收集极区磁体包括第二径向充磁永磁体和第二软磁体;第二径向充磁永磁体的磁化方向朝向远离其中心轴的方向;收集极区磁体用于提供收集区的引导磁场。

    一种极异方性内周磁极磁环

    公开(公告)号:CN116978686B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202310951094.X

    申请日:2023-07-29

    IPC分类号: H01F41/02 H01F7/02 H01F1/01

    摘要: 本发明涉及磁极磁环技术领域,尤其为一种极异方性内周磁极磁环,包括底模主体,所述筒柱顶端设置有磁场取向机构,所述磁场取向机构顶端设置有覆盖,所述压环主体包括垫盘,所述垫盘底端固定设置有顶钢杆,所述垫盘顶端固定设置有弧板以及圆腔环,所述圆腔环外侧贴合接触有护盖,所述护盖底端固定设置有插杆,所述插杆底端与垫盘的预留孔嵌合接触,所述圆腔环顶端固定设置有环管,所述弧板顶端设置有粉料填充机构,所述圆腔环内壁开设有导孔,本发明通过覆盖、垫盘、顶钢杆、弧板、圆腔环、护盖、插杆、环管、粉料填充机构以及导孔形成对铁氧体粉料的磁场取向结构。

    一种具有缓冲调节能力的电磁铁组件

    公开(公告)号:CN118482125A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410942226.7

    申请日:2024-07-15

    发明人: 邵磊

    摘要: 本发明公开了一种具有缓冲调节能力的电磁铁组件,涉及电磁铁技术领域;为了解决阻尼自适应调节问题;具体包括外壳体,所述外壳体的底部内壁固定安装有电磁铁,所述外壳体的中部内壁滑动连接有活塞板一,活塞板一的底部外壁固定安装有永磁磁铁,且所述活塞板一的顶部外壁通过缓冲杆连接有缓冲座。本发明通过设置电磁铁与永磁磁铁,利用电磁铁与永磁磁铁之间的磁斥力提供阻尼,并且增设自适应控制组件,且在外壳体的内腔冲注油液,利用冲击力大小与油液压强相关的特性来使得弹簧电极头与电磁铁线圈配合位置的改变,从而高边电磁铁接入电路的线圈匝数,从而改变阻尼力,从而实现了阻尼力的自适应调节。

    一种磁通源及包含该磁通源的非接触位移反馈装置

    公开(公告)号:CN118448123A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410541945.8

    申请日:2024-04-30

    IPC分类号: H01F7/02 G01B7/02

    摘要: 本发明公开了一种磁通源及包含该磁通源的非接触位移反馈装置,属于位移传感器领域。该磁通源采用镜像对称、直线排布、充磁方向沿镜像对称面相反的永磁体阵列,通过控制永磁体阵列从镜像对称面开始朝向两个阵列端部方向上排列的永磁体形状渐变,从而能够在保持所有永磁体的充磁强度相同的情况下使所有永磁体在壳体之外形成磁通密度线性变化的直线行程段。相对于需要调整充磁强度来保证磁通密度线性变化的磁通源方案,本发明可以无需调整充磁强度,即可得到磁通密度线性变化的直线行程段,大大提高了磁通源加工的便捷性和质量可控性。另外,在本发明的实施例中,还提供了多种优化设计的永磁体阵列形式,这些优化方案均具有较好地磁通密度线性度,能够满足非接触式位移反馈的需求。

    一种永磁体阵列布局及其控制方法

    公开(公告)号:CN118448122A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410535416.7

    申请日:2024-04-30

    摘要: 本发明涉及一种永磁体阵列布局及其控制方法,永磁体阵列布局:包括至少两块硬磁体、两块半硬磁体和四块纯铁;其中:两块所述硬磁体和两块所述半硬磁体以N‑S级环形交替排列,在相邻所述硬磁体和所述半硬磁体之间设置所述纯铁为保持器,四块所述纯铁分别与所述硬磁体和所述半硬磁体首尾相接形成一个磁吸附单元;永磁体阵列布局的控制方法包括:在所述半硬磁体外设置线圈,设置电源为所述线圈施加正向或反向的脉冲电流,使线圈产生的磁场用于反转半硬磁体的磁化方向。本发明提供一种永磁体阵列布局及其控制方法,能够提高磁性系统的磁吸附力,并且能够快速实现磁性系统状态的切换。