一种负载型四氧化三钴纳米复合催化剂及应用

    公开(公告)号:CN104043453B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201410003963.7

    申请日:2014-01-06

    IPC分类号: B01J23/75 C25B11/06 C25B1/34

    摘要: 本发明提供了一种负载型四氧化三钴催化剂及其制备方法,所述负载型四氧化三钴催化剂为固体粉末,粒径在10nm左右的四氧化三钴颗粒均匀负载在酸化炭黑表面,四氧化三钴在炭黑表面的预负载率范围为20%~100%,其对氧气还原反应具有高催化活性,而且制备工艺简单,成本低廉,四氧化三钴颗粒粒径易于控制,催化剂易于工业化生产。另一方面,将该催化剂制备成气体扩散电极,应用在氯碱工业氧阴极技术中。该电极在电解食盐水性能测试中表现出较低的槽电压,具有优异的氧气还原反应电催化活性,同时在碱性介质中保持良好的耐久性与稳定性。

    一种垃圾渗滤液的处理方法

    公开(公告)号:CN104891733A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510235335.6

    申请日:2015-05-11

    IPC分类号: C02F9/14

    摘要: 本发明涉及一种垃圾渗滤液的处理方法,以厌氧处理、好氧处理、膜生物反应器进行预处理,以较低的成本充分降解易于生物降解的有机污染成分;以光电芬顿反应进行深度降解处理,充分快速地降解难生物降解的污染成分;用气体扩散电极持续产生过氧化氢维持芬顿反应;用2-乙基蒽醌作催化剂提高过氧化氢的产生效率;用紫外光照射保证亚铁离子再生,循环发生芬顿反应,节约药剂成本且几乎不产生含铁污泥,最终处理环节不使用膜分离工艺,有机废物高效降解后排放,不会产生浓缩液,且成本远低于膜分离工艺。

    一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109103468B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201810959790.4

    申请日:2018-08-22

    IPC分类号: H01M4/90

    摘要: 本发明涉及一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用,制备了一种具有元素梯度分布的Fe/Zn双金属ZIF,将其作为前驱体,热解碳化制备铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂,以提高活性位点的利用率、优化孔道结构,进而提升催化活性。本发明制备的铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂可高效催化氧气还原反应,表现出优于商业化Pt/C的氧还原催化活性和电化学稳定性。该制备方法简单可控、周期短,且原料储量丰富、成本低,可实现大规模生产。

    一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257873A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910665929.9

    申请日:2019-07-23

    摘要: 本发明涉及一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择氯化铜,氯化亚锡,亚硒酸钠作为铜、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5-5后在室温下进行电沉积得到Cu掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Cu掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Cu掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257872A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910665920.8

    申请日:2019-07-23

    IPC分类号: C25D9/04 C25D3/02

    摘要: 本发明涉及一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择硝酸银,氯化亚锡,亚硒酸钠作为银、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5-5后在室温下进行电沉积得到Ag掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Ag掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Ag掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法

    公开(公告)号:CN106676590B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201611152892.2

    申请日:2016-12-14

    IPC分类号: C25D3/54 C25D5/50

    摘要: 本发明涉及一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法,电解液中含有摩尔比为100:(2.5‑10):(1‑10):(40‑100)的氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠,电解液的pH值介于2.5‑3.75之间,电解液经搅拌后用电沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备出了附着力良好的预沉积薄膜,然后将预沉积薄膜置于硫粉和惰性气氛保护条件下于200‑600°C下恒温,得到纯相高结晶性的In2S3半导体薄膜。本发明提供的方法在ITO玻璃基底上制备出纯相In2S3半导体薄膜,适合作为薄膜太阳能电池的缓冲层材料。