一种明胶基碳纳米纤维及其制备方法

    公开(公告)号:CN112301464B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202011057455.9

    申请日:2020-09-30

    摘要: 本发明一种明胶基碳纳米纤维及其制备方法,包括以下步骤:将明胶固体颗粒加入到去离子水中,加热搅拌后向明胶水溶液中加入能够溶于水且具有高稳定常数的铁(Ⅲ)配合物制成混合纺丝液,静电纺丝制备得到明胶基纤维;将纺成的明胶基纤维经预氧化、碳化处理即得到明胶基碳纳米纤维。本发明的优点在于采用明胶作为前驱体制备碳纳米纤维,实现了资源的高效利用;采用具有高稳定常数的铁(Ⅲ)配合物作为辅助剂,不仅阻止了三价铁离子与明胶分子发生交联凝聚,同时克服了明胶纤维因玻璃化转变温度低导致在高温下熔化成块状难以保持纤维形貌的缺点。本发明制备方法简单,环境友好,得到的明胶基碳纳米纤维表面光滑、粗细均匀、孔隙率高,在催化、吸附等领域有一定的应用前景。

    一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109103468B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201810959790.4

    申请日:2018-08-22

    IPC分类号: H01M4/90

    摘要: 本发明涉及一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用,制备了一种具有元素梯度分布的Fe/Zn双金属ZIF,将其作为前驱体,热解碳化制备铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂,以提高活性位点的利用率、优化孔道结构,进而提升催化活性。本发明制备的铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂可高效催化氧气还原反应,表现出优于商业化Pt/C的氧还原催化活性和电化学稳定性。该制备方法简单可控、周期短,且原料储量丰富、成本低,可实现大规模生产。

    一种明胶基碳纳米纤维及其制备方法

    公开(公告)号:CN112301464A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011057455.9

    申请日:2020-09-30

    摘要: 本发明一种明胶基碳纳米纤维及其制备方法,包括以下步骤:将明胶固体颗粒加入到去离子水中,加热搅拌后向明胶水溶液中加入能够溶于水且具有高稳定常数的铁(Ⅲ)配合物制成混合纺丝液,静电纺丝制备得到明胶基纤维;将纺成的明胶基纤维经预氧化、碳化处理即得到明胶基碳纳米纤维。本发明的优点在于采用明胶作为前驱体制备碳纳米纤维,实现了资源的高效利用;采用具有高稳定常数的铁(Ⅲ)配合物作为辅助剂,不仅阻止了三价铁离子与明胶分子发生交联凝聚,同时克服了明胶纤维因玻璃化转变温度低导致在高温下熔化成块状难以保持纤维形貌的缺点。本发明制备方法简单,环境友好,得到的明胶基碳纳米纤维表面光滑、粗细均匀、孔隙率高,在催化、吸附等领域有一定的应用前景。

    一种过渡金属锰、氮掺杂炭氧还原电催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111883792A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010584127.8

    申请日:2020-06-24

    摘要: 本发明涉及一种过渡金属锰、氮掺杂炭氧还原电催化剂的制备方法及其应用,所述的过渡金属锰、氮掺杂炭氧还原电催化剂以吸附有锰离子的双金属沸石咪唑酯金属有机骨架材料为前驱体,通过在惰性气氛下炭化、氨气气氛下活化制备得到。本发明所提供的方法过程可控,可有效提高过渡金属锰、氮掺杂炭电催化剂的活性位点数目与传质能力,所制备的催化剂表现出优于商业Pt/C的氧还原催化活性,可应用于质子交换膜燃料电池、金属-空气电池等领域。

    一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257873A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910665929.9

    申请日:2019-07-23

    摘要: 本发明涉及一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择氯化铜,氯化亚锡,亚硒酸钠作为铜、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5-5后在室温下进行电沉积得到Cu掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Cu掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Cu掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257872A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910665920.8

    申请日:2019-07-23

    IPC分类号: C25D9/04 C25D3/02

    摘要: 本发明涉及一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择硝酸银,氯化亚锡,亚硒酸钠作为银、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5-5后在室温下进行电沉积得到Ag掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Ag掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Ag掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法

    公开(公告)号:CN106676590B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201611152892.2

    申请日:2016-12-14

    IPC分类号: C25D3/54 C25D5/50

    摘要: 本发明涉及一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法,电解液中含有摩尔比为100:(2.5‑10):(1‑10):(40‑100)的氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠,电解液的pH值介于2.5‑3.75之间,电解液经搅拌后用电沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备出了附着力良好的预沉积薄膜,然后将预沉积薄膜置于硫粉和惰性气氛保护条件下于200‑600°C下恒温,得到纯相高结晶性的In2S3半导体薄膜。本发明提供的方法在ITO玻璃基底上制备出纯相In2S3半导体薄膜,适合作为薄膜太阳能电池的缓冲层材料。