公开(公告)号：CN111115555A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911329252.8

申请日：2019-12-20

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 崔尉 ,  刘福民 ,  邱飞燕 ,  梁德春 ,  刘宇 ,  张树伟 ,  杨静 ,  张乐民 ,  吴浩越 ,  马骁

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及一种用于MEMS晶圆级共晶键合封装的硅槽结构及制备方法，分布于硅盖板片正面键合环内侧及外侧的环状硅槽为防溢出硅槽，其宽度w1与键合环的宽度w2之比为R满足1/20≤R≤1/10；分布于键合环内部的方形硅槽为收纳硅槽，其边长为L，在键合环上横向、纵向等间距排布，间距d和边长L满足20μm≤d＝L≤w2/10；所述硅槽结构在共晶键合过程中被溢出的合金熔液填充，固化后形成楔形键合层结构。本发明采用深反应离子刻蚀技术，直接在硅盖板片正面键合环两侧及内部刻蚀出横截面为等腰倒梯形的硅槽结构，通过这些沟槽结构收纳在共晶键合过程中溢出的合金熔液，并通过合金熔液固化后形成的楔形的键合层结构来提高键合强度和密封效果。

公开(公告)号：CN111024984A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911329259.X

申请日：2019-12-20

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 刘宇 ,  刘福民 ,  邱飞燕 ,  刘国文 ,  梁德春 ,  张乐民 ,  崔尉 ,  张树伟 ,  马骁 ,  徐宇新

IPC分类号： G01P15/08

摘要： 本发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法，该方法包括如下步骤：在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个上极板单元；在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个下极板单元；在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元；将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合。本发明可以加工出密封性好、尺寸精度满足要求的敏感芯片，能减少焊盘的折损率，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。

公开(公告)号：CN108281349B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201810093853.2

申请日：2018-01-31

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 李新坤 ,  庄海涵 ,  梁德春 ,  刘福民 ,  吴浩越 ,  王风娇 ,  徐宇新

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。

公开(公告)号：CN107298428B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710511844.6

申请日：2017-06-27

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 梁德春 ,  刘福民 ,  庄海涵 ,  邢朝洋 ,  刘宇 ,  凌希信

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种用于SOG‑MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG‑MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。

公开(公告)号：CN107298428A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710511844.6

申请日：2017-06-27

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 梁德春 ,  刘福民 ,  庄海涵 ,  邢朝洋 ,  刘宇 ,  凌希信

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00206 ,  B81C1/00865

摘要： 本发明公开了一种用于SOG-MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG-MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。

公开(公告)号：CN105253853A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510701040.3

申请日：2015-10-26

申请人： 北京航天控制仪器研究所

发明人： 梁德春 ,  刘福民 ,  邢朝洋 ,  徐宇新 ,  李昌政 ,  刘宇

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 一种SOG-MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。