一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构

    公开(公告)号:CN109353985B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201811196468.7

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构,涉及微机械静电驱动技术领域;包括n组相同的弧形梳齿组;n组弧形梳齿组均匀分布在外部圆弧形器件的外沿;每组弧形梳齿组包括静梳齿和动梳齿;静梳齿和动梳齿为交错配合的F型锤状结构;在外部静电的驱动下;动梳齿以外部圆弧形器件中心为圆心,相对静梳齿进行靠近或远离的弧形运动;静梳齿与动梳齿配合时,第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间;第二动电极位于第二定电极的径向外侧;本发明实现了在与传统技术相同的真空环境和驱动电压下,提高机械运动位移,并且不增加工艺难度。

    一种MEMS器件圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN108083226B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201711268166.1

    申请日:2017-12-05

    Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法,步骤如下:(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构,单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出,记为低阻硅柱;(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构,并填充拓扑结构之间的孔隙,得到无孔洞绝缘子结构;(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极,并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环;(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合,实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接,并实现MEMS器件的真空封装;(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极;(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。

    一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN107963609B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201711140014.3

    申请日:2017-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法,在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接,并形成了压力可控的MEMS密封腔体,和现有的基于硅‑硅焊料键合、硅‑硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高;对盖板玻璃片进行减薄至10~50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10~50微米,而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米,由于越薄的介质层引入的寄生电容越大,因此,本发明引入的寄生电容小,使得MEMS器件输出的信噪比提高。

    一种横向MEMS压电-静电耦合能量采集器及加工方法

    公开(公告)号:CN108199617A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201711387843.1

    申请日:2017-12-20

    CPC classification number: H02N2/186 H02N1/08 H02N2/22

    Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元,两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚,从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容,在振动过程中MEMS可变电容发生交变,同时压电体产生的电荷也发生交变,两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上,并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。

    一种微型定位导航授时终端

    公开(公告)号:CN107688191A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201710607689.8

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明提出了一种微型定位导航授时终端,包括MEMS陀螺、MEMS加速度计、微处理器、微型原子钟、GNSS导航芯片等主要功能元件,采用一体化设计的方法,实现了定位导航授时终端的高度集成和微型化。为了实现三轴MEMS陀螺、三轴加速计的正交安装和终端的高度集成,提高终端设备的抗振性,采用刚挠结合板技术,进行终端的三维组装。本发明不依赖外界信息,具有较高的自主性,能够保证用户在GNSS拒止条件下的可靠定位导航时间信息的获取。本发明提出的定位导航授时终端,具有体积小、功耗低、精度高、实时性好、抗冲击能力强等优良特性。

    一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构

    公开(公告)号:CN109399549B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201811196917.8

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构,涉及微机械静电驱动技术领域;包括n组相同的直线形梳齿组;n组直线形梳齿组水平均匀分布在外部器件的水平侧壁上;每组直线形梳齿组包括静梳齿和动梳齿;静梳齿和动梳齿为交错配合的E型结构;在外部静电的驱动下;动梳齿沿外部器件的水平侧壁,相对静梳齿进行靠近或远离的直线运动;静梳齿与动梳齿配合时,第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间;第二动电极伸入第二定电极和第三定电极之间;第三动电极设置在第三定电极之间外侧;本发明实现了在于传统技术同样的真空环境和驱动电压下,得到更大的驱动行程,且未增加工艺难度。

    一种横向MEMS压电-静电耦合能量采集器及加工方法

    公开(公告)号:CN108199617B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201711387843.1

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元,两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚,从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容,在振动过程中MEMS可变电容发生交变,同时压电体产生的电荷也发生交变,两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上,并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。

    一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构

    公开(公告)号:CN109353985A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811196468.7

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构,涉及微机械静电驱动技术领域;包括n组相同的弧形梳齿组;n组弧形梳齿组均匀分布在外部圆弧形器件的外沿;每组弧形梳齿组包括静梳齿和动梳齿;静梳齿和动梳齿为交错配合的F型锤状结构;在外部静电的驱动下;动梳齿以外部圆弧形器件中心为圆心,相对静梳齿进行靠近或远离的弧形运动;静梳齿与动梳齿配合时,第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间;第二动电极位于第二定电极的径向外侧;本发明实现了在与传统技术相同的真空环境和驱动电压下,提高机械运动位移,并且不增加工艺难度。

    一种石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的制造方法

    公开(公告)号:CN108645397A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810291497.5

    申请日:2018-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的制造方法,包括如下步骤:刻蚀碳化硅晶圆,制作与盘式谐振子微结构相对应的刻蚀槽;对刻蚀完成的碳化硅晶圆和石英玻璃进行键合;以高于石英玻璃软化点的温度对晶圆键合结构进行加热,直至石英玻璃均匀灌入碳化硅晶圆的刻蚀槽内,停止加热;对灌入石英玻璃的碳化硅晶圆进行减薄抛光,去除刻蚀槽以外石英玻璃;采用干法刻蚀工艺去除碳化硅,完成石英盘式谐振子结构释放。本发明解决了石英盘式微结构制造工艺难度大的问题,实现了石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的高精度批量制造。

    一种MEMS器件圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN108083226A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711268166.1

    申请日:2017-12-05

    Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法,步骤如下:(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构,单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出,记为低阻硅柱;(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构,并填充拓扑结构之间的孔隙,得到无孔洞绝缘子结构;(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极,并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环;(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合,实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接,并实现MEMS器件的真空封装;(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极;(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。

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