一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法

    公开(公告)号:CN102735183B

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201210178809.4

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱,确定支持向量机的核函数与训练方式;生成测试光谱及多种不同的支持向量机;利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试,找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系,作为支持向量机训练的指导原则;对测试光谱添加不同量级的噪声影响,将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试,找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级,作为另一指导原则;利用两个指导原则,训练得到最优的支持向量机;对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射,识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。

    一种四分之一双波片相位延迟器

    公开(公告)号:CN103424797A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310321074.0

    申请日:2013-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种四分之一双波片相位延迟器,可在紫外、可见及近红外的波段范围内实现消色差,其特征在于,该双波片相位延迟器由两个同种材料或者不同材料的四分之一零级波片构成,该两零级波片沿光轴平行布置,且两光轴夹角为45°,其中,所述两个四分之一零级波片的中心波长在波段范围内,且满足使得两零级波片组成的双波片在该波段范围内各波长点对应的相位延迟量δe(λ)与理想相位延迟量值π/2之间差值的最大值取得最小值。与现有的双波片相比,该相位延迟器将两个零级波片光轴按45°组合,而不是90°,得到的双波片相位延迟器在全波段内有更好的消色差等特性,能够满足光谱椭偏测量等宽光谱光学系统的使用要求。

    一种测量不确定度的分析方法

    公开(公告)号:CN103106332A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210544768.6

    申请日:2012-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种测量不确定度的分析方法。利用参考测量系测量各标准样件,获取测量结果X,利用某一待分析的测量系统对标准样件进行测量,获取测量结果Y;分别计算测量结果X和Y的方差V(X)和V(Y),并定义α=V(X)/V(Y);假设和是测量值X和Y的一个合理估计;并假设有关系存在;按照Mandel精度定义式计算求得计算定义的全局不确定度;再计算整体不确定度T,利用T2替换第5步公式α=V(X)/V(Y)中的V(Y),重新计算一个新的比例系数α1;将α1与α对比,如果满足迭代条件,则当前计算的T即为待分析系统的测量不确定度;否则继续迭代。该方法可以对测量系统的测量不确定度作更为合理的分析。

    一种复合波片光轴对准方法及装置

    公开(公告)号:CN102393555B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201110350098.X

    申请日:2011-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种复合波片光轴对准方法及装置。将待对准复合波片的两片晶片装在支架上之后分别安装在固定、旋转波片卡盘上;从光源发出的光经过起偏器后形成线偏振光;通过待对准的复合波片后,线偏振光偏振态发生变化;根据探测器探测到的透射光强信号可进一步获得待对准复合波片相位延迟波动量的变化幅值;比较相位延迟波动量的变化幅值的相对大小;通过电控旋转台控制旋转波片卡盘转动,直至将复合波片的光轴对准到所要求的精度范围内。装置包括光源,起偏器,固定波片卡盘,旋转波片卡盘,旋转检偏器,探测器,电控旋转台,计算机,步进电机和电控旋转台控制器。该方法可以实现对复合波片光轴进行高精度对准,装置简易,操作简单。

    一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法

    公开(公告)号:CN102750333A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210177237.8

    申请日:2012-05-31

    CPC classification number: G06N99/005

    Abstract: 本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法,包括待提取参数取值范围的划分,子光谱数据库的建立,支持向量机分类器训练光谱的生成,支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比,本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节,实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比,在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且,通过增加每个分类器中包含的类数,可以得到更小的子数据库,从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。

    一种复合波片光轴对准方法及装置

    公开(公告)号:CN102393555A

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201110350098.X

    申请日:2011-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种复合波片光轴对准方法及装置。将待对准复合波片的两片晶片装在支架上之后分别安装在固定、旋转波片卡盘上;从光源发出的光经过起偏器后形成线偏振光;通过待对准的复合波片后,线偏振光偏振态发生变化;根据探测器探测到的透射光强信号可进一步获得待对准复合波片相位延迟波动量的变化幅值;比较相位延迟波动量的变化幅值的相对大小;通过电控旋转台控制旋转波片卡盘转动,直至将复合波片的光轴对准到所要求的精度范围内。装置包括光源,起偏器,固定波片卡盘,旋转波片卡盘,旋转检偏器,探测器,电控旋转台,计算机,步进电机和电控旋转台控制器。该方法可以实现对复合波片光轴进行高精度对准,装置简易,操作简单。

    一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置

    公开(公告)号:CN102082108A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN201010519775.1

    申请日:2010-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置,能够同时快速测量微纳深沟槽结构线宽、沟槽深度、侧壁角、侧壁粗糙度等侧壁形貌参数。步骤为:将波长为从近红外到中红外的光束经起偏后得到的椭圆偏振光投射到待测结构表面;采集待测结构表面零级衍射信号,计算得到微纳深沟槽结构测量红外椭偏光谱;采用分波长建模方法分别计算在近红外和中红外波段理论椭偏光谱,采用分步光谱反演方法与实验测量红外椭偏光谱匹配,依次提取出沟槽结构参数和粗糙度参数。装置包括红外光源、第一至第四离轴抛物镜、迈克尔逊干涉仪、平面反射镜、起偏器、样品台、检偏器、探测器和计算机;是一种非接触、非破坏性、低成本、快速侧壁形貌测量手段。

    一种基于线扫描高光谱成像的薄膜膜厚测量方法

    公开(公告)号:CN114723625B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202210272852.0

    申请日:2022-03-18

    Inventor: 张传维 陈鸿飞

    Abstract: 本发明属于薄膜测量领域,具体涉及一种基于线扫描高光谱成像的薄膜膜厚测量方法,包括:获取由位置维度和光谱维度构成的二维畸变光谱图像,其中的每个光谱带存在梯形畸变形状;采用该插值方式对各光谱带像素点进行位置维度畸变校正;基于无形状畸变的待测薄膜二维光谱图像和无薄膜二维光谱图像,确定待测薄膜的透射光谱或反射光谱;采用多项式对该光谱本征趋势拟合,得到本征趋势多项式;分别对该本征趋势多项式和透射光谱或反射光谱做傅里叶变换,得到的本征趋势频谱和透射或反射频谱相减,计算得到待测的大幅宽薄膜的膜厚分布。本发明提出一种面向高光谱成像畸变图像处理方法以快速精确地对大幅宽薄膜幅宽方向厚度分布进行测量。

    一种映射模型构建方法及待测样件结构参数测量方法

    公开(公告)号:CN116840164A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310802729.X

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 本发明提供一种映射模型构建方法及样件结构参数测量方法,通过拟合算法提取多组实测穆勒光谱对应的结构参数,采用灵敏度分析方法计算每个波长对应的每个穆勒光谱元素点位对厚度的灵敏度;根据灵敏度阈值,筛选合格的穆勒光谱元素点位;获取训练数据集,包括组合格的个穆勒光谱元素点位和组结构参数;基于训练数据集对构建的映射模型进行训练。本发明通过每个波长对应的每个穆勒光谱元素点位对厚度的灵敏度分析,去掉灵敏度低的不合格点位,让机器学习时对结构参数变化更敏感进而更容易训练出准确模型,且训练过程中不易过拟合,使机器学习求得的结构参数更为合理,同时也不存在直接通过拟合算法求结构参数因系统噪声带来的误差。

    一种基于线扫描高光谱成像的薄膜膜厚测量方法

    公开(公告)号:CN114723625A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210272852.0

    申请日:2022-03-18

    Inventor: 张传维 陈鸿飞

    Abstract: 本发明属于薄膜测量领域,具体涉及一种基于线扫描高光谱成像的薄膜膜厚测量方法,包括:获取由位置维度和光谱维度构成的二维畸变光谱图像,其中的每个光谱带存在梯形畸变形状;采用该插值方式对各光谱带像素点进行位置维度畸变校正;基于无形状畸变的待测薄膜二维光谱图像和无薄膜二维光谱图像,确定待测薄膜的透射光谱或反射光谱;采用多项式对该光谱本征趋势拟合,得到本征趋势多项式;分别对该本征趋势多项式和透射光谱或反射光谱做傅里叶变换,得到的本征趋势频谱和透射或反射频谱相减,计算得到待测的大幅宽薄膜的膜厚分布。本发明提出一种面向高光谱成像畸变图像处理方法以快速精确地对大幅宽薄膜幅宽方向厚度分布进行测量。

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