-
公开(公告)号:CN119374730A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411623631.9
申请日:2024-11-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法,采用氧化硅/硅双层衬底;通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层,直流磁控溅射生长氮化铌薄膜;通过紫外曝光双层光刻胶绘制外部电极,磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜,利用lift‑off剥离制备出电极;通过电子束曝光绘制平面螺旋天线图形,磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜,利用lift‑off剥离,制备出天线;通过电子束曝光定义微桥图形,通过反应离子刻蚀把微桥的图形转移到氮化铌薄膜之上;在衬底硅面通过紫外曝光定义需要刻蚀的区域,通过FSE深硅刻蚀机蚀刻掉硅,制备悬浮桥结构。本发明在提高工作温度至9 K的同时保证了灵敏度性仍在pw/Hz1/2量级。
-
公开(公告)号:CN119291972A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411485728.8
申请日:2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器,涉及太赫兹技术领域,通过如下技术方案实现:其主体结构包括有光纤准直模块、聚焦透镜、光学倍频模块、发射器光电导天线、探测器光电导天线、外壳和底板。本发明所述的一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器,提出在泵浦光和探测光进入半导体开关之前,引入了光学倍频模块,可以将1560nm(±40nm)波长的探测飞秒脉冲激光倍频为780nm(±20nm)波长的飞秒脉冲激光,从而可以选择成本较低、工艺成熟的GaAs(或LT‑GaAs)来替代成本高昂的I nGaAs,作为半导体开关材料,是可行的低成本光纤太赫兹光电导天线探测器集成方案。
-
公开(公告)号:CN118393618A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410290160.8
申请日:2024-03-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型聚焦可控等离子体透镜,包括石英基片和生长在石英基片上的金膜,所述金膜含多层不同半径的阿基米德螺旋线结构沟槽。本发明还公开了制备上述新型聚焦可控等离子体透镜的方法,以及将所述新型聚焦可控等离子透镜激发太赫兹表面等离激元并聚焦增强的方法。本发明通过改变入射至等离子体透镜的太赫兹偏振情况,根据相长干涉原理,实现了对太赫兹表面等离激元的聚焦增强。本发明改善了透镜结构,并具有聚焦可控,聚焦效果好的特点。
-
公开(公告)号:CN115148890B
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202210537121.4
申请日:2022-05-17
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法,包括:金属掩膜遮挡部分衬底,沉积铝膜;铝膜氧化;磁控溅射沉积50nm铌膜;去除金属掩膜后,使用离子束刻蚀处理铌膜表面,露出其新的表面后,再次沉积160nm铌膜;光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形;使用反应离子刻蚀即得到结区,然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结,大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺,突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制,有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响,有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
-
公开(公告)号:CN113242027B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202110206157.X
申请日:2021-02-24
Applicant: 南京大学
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多个超导约瑟夫森结串联的阻抗匹配约瑟夫森参量放大器,包括输入输出端口、阻抗匹配传输线、非线性LC谐振器和直流偏置线,其中非线性LC谐振器由叉指电容和等效电感器构成,等效电感器由超导约瑟夫森结串联阵列及直流超导量子干涉仪构成,直流超导量子干涉仪由两个并联的超导约瑟夫森结组成的闭合环路构成,叉指电容连接阻抗匹配传输线,超导量子干涉仪的闭合环路处设置直流偏置线,通过调节直流偏置线的电流,改变直流超导量子干涉仪环路中的磁通,来实现非线性LC谐振器的频率调节。本发明有效降低了结构设计复杂度,实现非线性谐振器与外部传输线的阻抗匹配,总的谐振频率在较大范围内连续可调,器件性能稳定可靠。
-
公开(公告)号:CN117647848A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311679473.4
申请日:2023-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种甚长波红外双极化探测单元及阵列式动态电感探测器,所述甚长波红外双极化探测单元通过周期结构单元按照数目规律竖向周期设置,使得电感吸收器的外轮廓成圆形,有效增强电感吸收器的吸收频率;所述阵列式探测装置包括若干个甚长波红外双极化探测单元,每个甚长波红外双极化探测单元搭配相同中心工作频率的电感吸收器和不同谐振频率的叉指电容器,当待测甚长波红外信号的电磁波频率与电感吸收器的中心工作频率一致时,待测甚长波红外信号被谐振探测单元阵列最大程度地吸收,且最大程度地被甚长波红外双极化探测单元检测。本发明检测甚长波红外信号灵敏度高,易于片上集成,制备工艺简单方便,读出系统简单,易于推广。
-
公开(公告)号:CN117525793A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311626372.0
申请日:2023-11-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹时域微分器,包括微分功能芯片和芯片封装盒,微分功能芯片包括回音壁模式微环波导、直波导、第一锥形耦合波导、第二锥形耦合波导和衬底,其中:直波导位于回音壁模式微环波导的一侧,回音壁模式微环波导和直波导构成了单跑道型的回音壁模式微环谐振腔,对直波导传输的特定频率的太赫兹信号产生谐振并进行时域微分;第一、二锥形耦合波导位于直波导两端,分别作为太赫兹时域微分器的输入和输出端口;衬底用于集成制备回音壁模式微环波导、直波导和第一、二锥形耦合波导。本发明提高了对太赫兹信号处理的速率,实现了对高速太赫兹信号的微分处理。
-
公开(公告)号:CN116995112A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202310765114.4
申请日:2023-10-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/024 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种带有悬浮桥结构的高灵敏度SNSPD,在热氧化硅衬底上,使用反应磁控溅射制备NbN薄膜;在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ1500,使用深紫外曝光的方式绘制电极图形,使用Ti薄膜和Au薄膜来制备电极;在Ti薄膜和Au薄膜上,通过电子束曝光的方式绘制纳米线图形;利用反应离子刻蚀的方式,去除未被保护的NbN薄膜,进而制备出纳米线;在NbN薄膜上旋涂光刻胶AZ4620,利用深紫外曝光的方式制备刻蚀的窗口;根据所需要的灵敏度要求确定出悬浮桥的尺寸,通过控制刻蚀的时间,去除纳米线下方的硅衬底,从而形成具有不同尺寸悬浮桥的结构。本发明结构简单,能够明显调控SNSPD的探测灵敏度,并且这种结构也不会降低探测器的其他性能。
-
公开(公告)号:CN116981341A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310700763.6
申请日:2023-06-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超导约瑟夫森探针的制备方法,对带凹槽的石英毛细管进行表面处理;激光熔融拉制带槽石英纳米针尖;采用直流磁控溅射对带槽石英纳米针尖左侧和右侧分别进行超导薄膜的蒸镀,获得探针的左电极和右电极;采用直流磁控溅射正对纳米针尖顶部进行超导薄膜的蒸镀,形成两个并联的微桥型超导约瑟夫森结,完成超导约瑟夫森探针的制备。本发明有效解决了电子束蒸发难以制备高熔点超导材料如铌/氮化铌基约瑟夫森探针的问题,突破了直流磁控溅射制备约瑟夫森探针方向性差的限制,有效降低了直流磁控溅射制备约瑟夫森探针的难度,有效扩展了可用于制备超导约瑟夫森探针的超导薄膜种类,有效提高了约瑟夫森探针在高频检测方面的性能。
-
公开(公告)号:CN116659672A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310403451.9
申请日:2023-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超导纳米线单光子探测器的光子偏振态测量系统及方法,包括:光学回路,用于将输入激光依次调制为水平偏振光、垂直偏振光,45°线偏振光、圆偏振光、以及八个不同四分之一波片偏置角度时的偏振光;读出电路部分,用于读取探测器在每种偏振光入射条件下的响应脉冲数量和光强值;系统效率计算模块,用于将响应脉冲数量和光强值转换为系统效率;入射光子偏振态计算模块,用于利用探测器在水平偏振光、垂直偏振光,45°线偏振光、圆偏振光入射条件下的系统效率,计算得到探测器和制冷机中光纤的双折射参数,再利用探测器和制冷机中光纤的双折射参数和探测器在八个不同四分之一波片偏置角度时的偏振光入射条件下的系统效率,得到入射光的偏振状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-